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자성을 가지는 커버부를 준비하는 커버부 준비단계;단차가 형성되어 상부층과 하부층으로 구획되는 기판을 마련하는 기판 마련단계;상기 커버부가 상기 하부층으로부터 일부 이격된 상태로 미세채널을 형성하며 상기 기판에 접합되도록 상기 커버부에 자력을 인가하는 미세채널 형성단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 자력을 이용한 미세채널 형성방법
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제1항에 있어서,상기 상부층과 상기 하부층의 경계를 기점으로 상기 하부층 측으로 이어지는 일부구간 상에 배치되는 상기 커버부는 상기 하부층으로부터 상측으로 이격된 상태로 소정의 곡률(curvature)을 가지고 휘어지는 것을 특징으로 하는 자력을 이용한 미세채널 형성방법
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제2항에 있어서,상기 커버부 준비단계는 강자성 입자와 고분자 수지가 포함되어 혼합되는 혼합재를 마련하는 혼합재 마련단계; 상기 혼합재를 경화하여 커버부를 성형하는 경화단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 자력을 이용한 미세채널 형성방법
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제3항에 있어서,상기 경화단계는 상기 강자성 입자가 자중(自重)에 의하여 중력방향으로 이동되도록 상기 혼합재를 경화하는 것을 특징으로 하는 자력을 이용한 미세채널 형성방법
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제3항에 있어서,상기 경화단계는 자력(磁力)에 의하여 상기 강자성 입자가 어느 하나의 방향으로 이동하여 상기 혼합재가 경화되도록 자력부재를 배치하는 것을 특징으로 하는 자력을 이용한 미세채널 형성방법
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제3항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 미세채널 형성단계는 상기 커버부를 상기 기판의 상면에 배치하는 배치단계; 상기 강자성 입자에 인력을 가하도록 상기 기판의 하면에 자력부를 배치하는 자력 인가단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 자력을 이용한 미세채널 형성방법
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제6항에 있어서,상기 커버부 또는 상기 기판은 플라즈마, SAM(Self Assembled Monolayer), 레이저 중 어느 하나를 이용하여 표면처리되는 것을 특징으로 하는 자력을 이용한 미세채널 형성방법
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제6항에 있어서,상기 커버부의 곡률(curvature)은 상기 상부층과 상기 하부층의 높이차이, 상기 기판의 두께, 상기 강자성 입자와 상기 자력부 사이에서 발생하는 인력의 세기 중 어느 하나에 의하여 변형되는 것을 특징으로 하는 자력을 이용한 미세채널 형성방법
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단차가 형성되어 상부층과 하부층으로 구획되는 기판;상기 기판의 하면에 배치되는 자력부;자성을 가지고 상기 기판의 상면에 배치되며, 상기 자력부와의 사이에서 발생하는 인력에 의하여 상기 기판에 밀착되되, 일부가 상기 하부층으로부터 이격됨으로써 미세채널을 형성하는 커버부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 자력을 이용한 미세채널
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제9항에 있어서,상기 커버부는 고분자 수지와 강자성 입자가 혼합되어 마련되는 것을 특징으로 하는 자력을 이용한 미세채널
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제10항에 있어서,상기 미세채널은 내벽이 상기 상부층의 측벽과 상기 하부층의 상면과 상기 커버부의 하면으로 구성되는 것을 특징으로 하는 자력을 이용한 미세채널
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제11항에 있어서, 상기 미세채널의 내벽면은 플라즈마, SAM(Self Assembled Monolayer), 레이저 중 어느 하나를 이용하여 표면 처리되는 것을 특징으로 하는 자력을 이용한 미세채널
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제9항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,상기 커버부는 상기 기판으로부터 탈착 가능한 것을 특징으로 하는 자력을 이용한 미세채널
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