맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

강유전체 폴리머 나노도트 소자 및 그 제조를 위한 디웨팅 프로세스

  • 기술번호 : KST2015118424
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 강유전체 폴리머(Ferroelectric Polymer)인 P(VDF-TrFE)로 이루어져, 소자의 특성을 개선시킨 강유전체 폴리머 나노도트 소자 및 그 제조를 위한 디웨팅 프로세스(Dewetting Process)에 관한 것으로, 강유전체 폴리머 나노도트 소자는 절연물질로 이루어진 기판, 기판 상면에 형성된 하부 전극, 하부 전극 상면의 일부 영역에 요철 구조로 형성되고, P(VDF-TrFE)로 이루어진 P(VDF-TrFE) 나노도트 및 P(VDF-TrFE) 나노도트 상면에 형성된 상부 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.나아가, 본 발명에 따른 강유전체 폴리머 나노도트 소자 제조를 위한 디웨팅 프로세스(Dewetting process)는 기판을 준비하는 단계, 기판 상면에 하부 전극을 형성하는 단계, P(VDF-TrFE) 폴리머 용액을 획득하는 단계, 하부 전극 상면에 P(VDF-TrFE) 폴리머 용액을 도포하는 단계, 어닐링(Annealing) 공정으로 P(VDF-TrFE) 나노도트를 획득하는 단계 및 P(VDF-TrFE) 나노도트 표면에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL B82B 1/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC B82B 1/008(2013.01) B82B 1/008(2013.01) B82B 1/008(2013.01) B82B 1/008(2013.01)
출원번호/일자 1020110023698 (2011.03.17)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1276560-0000 (2013.06.13)
공개번호/일자 10-2012-0105951 (2012.09.26) 문서열기
공고번호/일자 (20130624) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.03.17)
심사청구항수 6

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 노광수 대한민국 대전광역시 유성구
2 최윤영 대한민국 대전광역시 유성구
3 오세훈 대한민국 대전광역시 유성구
4 김동진 대한민국 대전광역시 유성구
5 안건 대한민국 대전광역시 유성구
6 김연태 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이준성 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길 **, ***호 준성특허법률사무소 (대치동, 대치빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.03.17 수리 (Accepted) 1-1-2011-0194173-01
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.05.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.06.25 수리 (Accepted) 9-1-2012-0051811-56
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.09.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0571265-72
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.11.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0971637-88
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2012-0971647-34
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.03.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0212402-01
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2013.04.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0374585-44
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2013-0374577-89
11 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2013.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0374359-89
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
절연물질로 이루어진 기판;상기 기판 상면에 형성된 하부 전극;상기 기판과 하부 전극 사이에 TiO2, ZrO2, Cr, Ti 중 어느 하나로 형성된 접착층;상기 하부 전극 상면의 일부 영역에 요철 구조로 형성되고, 150℃에서 어닐링(Annealing)하여 형성된 P(VDF-TrFE) 폴리머로 이루어진 P(VDF-TrFE) 나노도트를 포함하되,상기 P(VDF-TrFE) 나노도트는,표면 거칠기(Surface roughness)가 10㎚~25㎚ 범위에 속하고, 높이가 40㎚~100㎚ 범위에 속하며, 지름과 높이의 비가 2:1~4:1이고, 지름과 상기 나노도트의 간격비(Pitch)가 1:1~1:3인 것을 특징으로 하는 강유전체 폴리머 나노도트 소자
2 2
제 1항에 있어서, 상기 강유전체 폴리머 나노도트 소자는,상기 나노도트 표면에 상부 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 강유전체 폴리머 나노도트 소자
3 3
제 1항에 있어서, 상기 하부 전극은,TI, Cr, Al, Ni, Ag, Pt, Au, La, In 또는 Sn 중 하나 또는 하나 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 강유전체 폴리머 나노도트 소자
4 4
제 1항에 있어서, 상기 P(VDF-TrFE) 나노도트는,지름이 100㎚~300㎚ 범위에 속하는 것을 특징으로 하는 강유전체 폴리머 나노도트 소자
5 5
제 4항에 있어서, 상기 P(VDF-TrFE) 나노도트는,상기 하부 전극 상면에 반 구 형상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 강유전체 폴리머 나노도트 소자
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
제 2항에 있어서, 상기 상부 전극은,TI, Cr, Al, Ni, Ag, Pt, Au, La, In 또는 Sn 중 하나 또는 하나 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 강유전체 폴리머 나노도트 소자
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
삭제
14 14
삭제
15 15
삭제
16 16
삭제
17 17
삭제
18 18
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.