맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

구리 이온 드리프트의 측정을 위한 구조체 및 이를 이용한 구리 이온 드리프트의 측정 방법

  • 기술번호 : KST2015129249
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실리콘 웨이퍼 내에 수직 방향으로 형성된 비아 홀(via hole); 상기 비아 홀의 내부에 순차적으로 배치된 도전체, 확산 방지막 및 절연막; 상기 비아 홀 상부에 배치된 Ta/Al/TiN 를 포함하는 상부 전극; 및, 상기 실리콘 웨이퍼 후면에 배치된 접지용 전극: 을 포함하는, 구리 이온 드리프트 측정용 관통전극(Through Silicon Via, TSV) 구조체를 제공한다.
Int. CL H01L 23/48 (2006.01) H01L 21/66 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020110029499 (2011.03.31)
출원인 세종대학교산학협력단, 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1229326-0000 (2013.01.29)
공개번호/일자 10-2012-0111151 (2012.10.10) 문서열기
공고번호/일자 (20130204) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.03.31)
심사청구항수 16

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 세종대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 광진구 능동로 *** (군
2 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이원준 대한민국 서울특별시 마포구
2 서승호 대한민국 경기도 남양주시
3 이재학 대한민국 대전광역시 유성구
4 송준엽 대한민국 대전광역시 서구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대전광역시 유성구
2 세종대학교산학협력단 서울특별시 광진구 능동로 *** (군
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2011-0235585-04
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.13 수리 (Accepted) 4-1-2011-5073277-77
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.02.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.03.23 수리 (Accepted) 9-1-2012-0024117-55
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.07.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0433528-82
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.09.25 수리 (Accepted) 1-1-2012-0779394-28
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.09.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0779395-74
10 등록결정서
Decision to grant		 2013.01.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0037990-19
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 웨이퍼 내에 수직 방향으로 형성된 비아 홀(via hole);상기 비아 홀의 내부에 순차적으로 배치된 도전체, 확산 방지막 및 절연막;상기 비아 홀 상부에 배치된 확산 방지막/Al/TiN 를 포함하는 상부 전극; 및,상기 실리콘 웨이퍼 후면에 배치된 접지용 전극:을 포함하고, 상기 비아 홀을 하나 이상 포함하는, 구리 이온 드리프트 측정용 관통전극(Through Silicon Via, TSV) 구조체
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 도전체는 Cu 를 포함하고, 상기 확산 방지막은 Ta, Ti, W, Ru, Pt, Ni, Co, 또는 이들의 조합; 이들의 질화물(nitride); 이들의 탄화물(carbide); 및, 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 구리 이온 드리프트 측정용 관통전극 구조체
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 비아 홀이 상기 실리콘 웨이퍼를 관통하거나 또는 부분 관통한 것을 포함하는 것인, 구리 이온 드리프트 측정용 관통전극 구조체
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 절연막은 SiO2, Al2O3, SiN, SiC, SiCN, 저유전율(low-k) 절연막, 이들의 조합, 및 이들의 적층 구조로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 구리 이온 드리프트 측정용 관통전극 구조체
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 절연막은 열산화법(Thermal oxidation), 화학기상증착법(CVD), 습식법(Wet process), 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 것에 의해 증착된 것을 포함하는 것인, 구리 이온 드리프트 측정용 관통전극 구조체
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 확산 방지막은 물리기상증착법(PVD), 화학기상증착법(CVD), 전해도금, 무전해 도금, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 것에 의해 증착된 것을 포함하는 것인, 구리 이온 드리프트 측정용 관통전극 구조체
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 도전체는 물리기상증착법(PVD), 화학기상증착법(CVD), 전해도금, 무전해 도금, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 것에 의해 충진(filling)된 것을 포함하는 것인, 구리 이온 드리프트 측정용 관통전극 구조체
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 도전체는 씨앗(seed)층 상에서 이온화 스퍼터링(Ionized sputtering), 전해도금(electroplating), 또는 이들의 조합에 의해 충진된 것을 포함하는 것인, 구리 이온 드리프트 측정용 관통전극 구조체
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 접지용 전극은 Al 을 포함하는 것인, 구리 이온 드리프트 측정용 관통전극 구조체
10 10
삭제
11 11
제 1 항에 있어서,상기 하나 이상의 비아 홀이 일렬로 배열되어 있는 것인, 구리 이온 드리프트 측정용 관통전극 구조체
12 12
제 1 항에 있어서,상기 하나 이상의 비아 홀이 하나 이상의 상기 상부 전극에 의해 연결된 것인, 구리 이온 드리프트 측정용 관통전극 구조체
13 13
제 12 항에 있어서, 상기 하나 이상의 비아 홀이 각각 하나의 상기 상부 전극에 연결되어 있는 것인, 구리 이온 드리프트 측정용 관통전극 구조체
14 14
제 1 항 내지 제 9 항 및 제 11 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 따른 구리 이온 드리프트 측정용 관통전극 구조체를 이용한 관통전극 내 구리 이온 드리프트의 측정 방법으로서, 상기 관통전극 구조체에 포함된 비아 홀 상의 상기 상부 전극과 상기 접지용 전극을 연결하거나, 또는 2 개 이상의 비아 홀 상의 상기 상부 전극을 연결하고, 상기 관통전극 구조체에 전기적 부하 및 열적 부하를 가하여 상기 부하 전 및 후에 발생하는 정전용량(Capacitance)-전압 곡선의 변화로부터 상기 절연막 내로의 구리 이온 드리프트(drift)를 측정하는 것을 포함하는,관통전극 내 구리 이온 드리프트의 측정 방법
15 15
제 14 항에 있어서, 상기 정전용량-전압 곡선의 변화로부터 플랫 밴드 전압(Flat band voltage, VFB)의 변화를 측정하여 상기 구리 이온 드리프트(drift)를 측정하는 것을 포함하는 것인, 관통전극 내 구리 이온 드리프트의 측정 방법
16 16
제 14 항에 있어서, 상기 전기적 부하는 1 MV/cm 내지 3 MV/cm 이고, 상기 열적 부하는 25℃ 내지 300℃ 의 조건인, 관통전극 내 구리 이온 드리프트의 측정 방법
17 17
제 14 항에 있어서, 상기 전기적 부하 및 상기 열적 부하 조건 하에, 관통전극 내 구리 이온 드리프트에 의한 상기 절연막의 파괴시간(Time-Dependent Dielectric Breakdown, TDDB)을 측정하는 것을 포함하는, 관통전극 내 구리 이온 드리프트의 측정 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국기계연구원 차세대 반도체 MCP 핵심기술 개발 TSV 형상에 따른 구리 확산 연구