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웨이퍼 레벨 몰딩 장치 및 웨이퍼 레벨 몰딩 방법

  • 기술번호 : KST2015129640
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 웨이퍼 레벨 몰딩 장치 및 웨이퍼 레벨 몰딩 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게 웨이퍼 레벨 반도체 패키지 제조 공정 중, 웨이퍼 레벨 몰딩 과정에서 스핀코팅 방식으로 확산된 몰딩 컴파운드에 의해 웨이퍼 상에 부착된 반도체 칩이 몰딩되도록 함으로써, 박형 몰딩을 용이하게 구현할 수 있는 웨이퍼 레벨 몰딩 장치 및 웨이퍼 레벨 몰딩 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01) H01L 23/28 (2006.01)
CPC H01L 21/67126(2013.01) H01L 21/67126(2013.01) H01L 21/67126(2013.01)
출원번호/일자 1020130017867 (2013.02.20)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1475444-0000 (2014.12.16)
공개번호/일자 10-2014-0104124 (2014.08.28) 문서열기
공고번호/일자 (20141230) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.02.20)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김형준 대한민국 대전광역시 유성구
2 이재학 대한민국 대전광역시 유성구
3 송준엽 대한민국 대전광역시 서구
4 이창우 대한민국 대전광역시 서구
5 하태호 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김종관 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
3 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.02.20 수리 (Accepted) 1-1-2013-0151093-74
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.02.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.03.10 수리 (Accepted) 9-1-2014-0018443-18
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.04.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0279357-71
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.06.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0590348-86
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.06.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0590361-70
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2014.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0664166-88
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.11.19 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-1117304-95
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2014-1117306-86
10 등록결정서
Decision to grant
2014.12.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0845516-11
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
웨이퍼 레벨 반도체 패키지 제조 공정 중, 웨이퍼 레벨 몰딩 공정을 수행하기 위한 웨이퍼 레벨 몰딩 장치(1)에 있어서,소형 모바일 제품에 사용되는 Logic, AP(Applicaion processor), Memory 소자인 다수개의 반도체 칩(110)이 상측에 배치되어 본딩된 베이스 웨이퍼;상기 베이스 웨이퍼(100)의 외주면과 수평 또는 수직방향으로 일정 거리 이격되어 설치되며, 스핀 코팅 후 상기 베이스 웨이퍼(100)의 가장자리로 흘러내린 몰딩 컴파운드(410)를 제거할 수 있도록 세정 용매를 분사시키는 분사모듈(600);을 포함하여 형성되되,상기 베이스 웨이퍼(100)에 몰딩 컴파운드(410)를 공급하여, 몰딩 챔버(200) 내부에서 스핀 코팅되도록 형성되고,상기 몰딩 챔버(200)가 내부가 진공상태, 가압상태 및 강제 공기 유동상태 중 어느 하나의 상태인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 몰딩 장치
2 2
제 1항에 있어서,상기 웨이퍼 레벨 몰딩 장치(1)는상기 베이스 웨이퍼(100)가 상측에 고정되어, 상기 베이스 웨이퍼(100)를 지지 및 이송하는 캐리어 웨이퍼(120);상기 몰딩 챔버(200) 내부에서 회전가능하게 설치되며, 상기 캐리어 웨이퍼(120)가 고정되는 스핀지지대(300); 및상기 스핀지지대(300)의 상측에 일정거리 이격되어 설치되며, 상기 베이스 웨이퍼(100)로 액상의 몰딩 컴파운드(410)를 공급하는 디스펜서(400); 를 포함하여 형성되는 웨이퍼 레벨 몰딩 장치
3 3
제 2항에 있어서,상기 베이스 웨이퍼(100)는10~100㎛의 두께로 웨이퍼 레벨 반도체 패키지 공정이 수행되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 몰딩 장치
4 4
삭제
5 5
제 2항에 있어서,상기 몰딩 챔버(200)에는강제 공기 유동상태가 될 수 있도록상기 스핀지지대(300) 상측에 일정거리 이격되어 공기유동부(500)가 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 몰딩 장치
6 6
삭제
7 7
제 1항에 있어서,상기 웨이퍼 레벨 몰딩 장치(1)는몰딩 챔버(200) 내부에서 회전가능하게 설치되며, 상기 베이스 웨이퍼(100)가 고정되는 스핀지지대(300); 및상기 스핀지지대(300)의 상측에 일정거리 이격되어 설치되며, 상기 베이스 웨이퍼(100)로 액상의 몰딩 컴파운드(410)를 공급하는 디스펜서(400); 를 포함하여 형성되며,상기 베이스 웨이퍼(100)가 인터포저 웨이퍼(Interposer wafer)인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 몰딩 장치
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삭제
9 9
제 7항에 있어서,상기 몰딩 챔버(200)에는강제 공기 유동상태가 될 수 있도록상기 스핀지지대(300) 상측에 일정거리 이격되어 공기유동부(500)가 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 몰딩 장치
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삭제
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제 2 내지 3항, 5항, 7항 및 9항 중 어느 한 항에 의한 웨이퍼 레벨 몰딩 장치를 이용한 웨이퍼 레벨 몰딩 방법에 있어서,상기 베이스 웨이퍼(100)가 직접 또는 간접적으로 몰딩 챔버(200) 내부에서 회전가능하게 설치되는 상기 스핀지지대(300)에 고정되는 고정 단계(S100);상기 디스펜서(400)에 의해 상기 베이스 웨이퍼(100)에 몰딩 컴파운드(410)가 공급되는 공급 단계(S200); 및상기 스핀지지대(300)가 회전하여 웨이퍼 레벨에서 반도체 칩(110)이 상기 몰딩 컴파운드(410)로 스핀 코팅되는 몰딩 단계(S300); 를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 몰딩 방법
12 12
제 11항에 있어서,상기 고정 단계(S100)에서는상기 베이스 웨이퍼(100)가 캐리어 웨이퍼(120)에 접착된 상태로 상기 스핀지지대(300)에 고정되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 몰딩 방법
13 13
제 11항에 있어서,상기 몰딩 단계(S300)는상기 몰딩 챔버(200)가 진공상태, 가압상태 및 강제 공기 유동상태 중 어느 하나의 상태에서 수행되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 몰딩 방법
14 14
제 13항에 있어서,상기 웨이퍼 레벨 몰딩 방법은상기 몰딩 단계(S300) 이후, 상기 스핀지지대(300) 상측에 일정거리 이격되어 형성되는 공기유동부(500)를 통해 상기 몰딩 챔버(200) 내 공기 유동이 조절되도록 하여 스핀 코팅 표면을 고르게 하는 표면처리 단계(S310)를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 몰딩 방법
15 15
제 11항에 있어서,상기 웨이퍼 레벨 몰딩 방법은상기 몰딩 단계(S300) 이후, 상기 베이스 웨이퍼(100)의 가장자리로 흘러내린 몰딩 컴파운드(410)가 제거되도록 상기 분사모듈(600)을 통해 세정 용매가 분사되는 분사 단계(S500)를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 몰딩 방법
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제 15항에 있어서,상기 웨이퍼 레벨 몰딩 방법은상기 몰딩 단계(S300) 및 상기 분사 단계(S500) 사이에 100℃ 이하로 소프트 베이크 단계(S400)가 수행되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 몰딩 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국기계연구원 산업기술연구회-협동연구사업 차세대 반도체 MCP 핵심기술 개발 (1/2)
2 지식경제부 한국전자기계융합기술원 지경부-국가연구개발사업(II) 300mm 대응 대구경 다층구조의 복합 패키지 공정 및 장비 기술 개발 (1/5)