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웨이퍼 레벨 반도체 패키지 제조 공정 중, 웨이퍼 레벨 몰딩 공정을 수행하기 위한 웨이퍼 레벨 몰딩 장치(1)에 있어서,소형 모바일 제품에 사용되는 Logic, AP(Applicaion processor), Memory 소자인 다수개의 반도체 칩(110)이 상측에 배치되어 본딩된 베이스 웨이퍼;상기 베이스 웨이퍼(100)의 외주면과 수평 또는 수직방향으로 일정 거리 이격되어 설치되며, 스핀 코팅 후 상기 베이스 웨이퍼(100)의 가장자리로 흘러내린 몰딩 컴파운드(410)를 제거할 수 있도록 세정 용매를 분사시키는 분사모듈(600);을 포함하여 형성되되,상기 베이스 웨이퍼(100)에 몰딩 컴파운드(410)를 공급하여, 몰딩 챔버(200) 내부에서 스핀 코팅되도록 형성되고,상기 몰딩 챔버(200)가 내부가 진공상태, 가압상태 및 강제 공기 유동상태 중 어느 하나의 상태인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 몰딩 장치
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제 1항에 있어서,상기 웨이퍼 레벨 몰딩 장치(1)는상기 베이스 웨이퍼(100)가 상측에 고정되어, 상기 베이스 웨이퍼(100)를 지지 및 이송하는 캐리어 웨이퍼(120);상기 몰딩 챔버(200) 내부에서 회전가능하게 설치되며, 상기 캐리어 웨이퍼(120)가 고정되는 스핀지지대(300); 및상기 스핀지지대(300)의 상측에 일정거리 이격되어 설치되며, 상기 베이스 웨이퍼(100)로 액상의 몰딩 컴파운드(410)를 공급하는 디스펜서(400); 를 포함하여 형성되는 웨이퍼 레벨 몰딩 장치
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제 2항에 있어서,상기 베이스 웨이퍼(100)는10~100㎛의 두께로 웨이퍼 레벨 반도체 패키지 공정이 수행되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 몰딩 장치
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제 2항에 있어서,상기 몰딩 챔버(200)에는강제 공기 유동상태가 될 수 있도록상기 스핀지지대(300) 상측에 일정거리 이격되어 공기유동부(500)가 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 몰딩 장치
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제 1항에 있어서,상기 웨이퍼 레벨 몰딩 장치(1)는몰딩 챔버(200) 내부에서 회전가능하게 설치되며, 상기 베이스 웨이퍼(100)가 고정되는 스핀지지대(300); 및상기 스핀지지대(300)의 상측에 일정거리 이격되어 설치되며, 상기 베이스 웨이퍼(100)로 액상의 몰딩 컴파운드(410)를 공급하는 디스펜서(400); 를 포함하여 형성되며,상기 베이스 웨이퍼(100)가 인터포저 웨이퍼(Interposer wafer)인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 몰딩 장치
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제 7항에 있어서,상기 몰딩 챔버(200)에는강제 공기 유동상태가 될 수 있도록상기 스핀지지대(300) 상측에 일정거리 이격되어 공기유동부(500)가 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 몰딩 장치
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제 2 내지 3항, 5항, 7항 및 9항 중 어느 한 항에 의한 웨이퍼 레벨 몰딩 장치를 이용한 웨이퍼 레벨 몰딩 방법에 있어서,상기 베이스 웨이퍼(100)가 직접 또는 간접적으로 몰딩 챔버(200) 내부에서 회전가능하게 설치되는 상기 스핀지지대(300)에 고정되는 고정 단계(S100);상기 디스펜서(400)에 의해 상기 베이스 웨이퍼(100)에 몰딩 컴파운드(410)가 공급되는 공급 단계(S200); 및상기 스핀지지대(300)가 회전하여 웨이퍼 레벨에서 반도체 칩(110)이 상기 몰딩 컴파운드(410)로 스핀 코팅되는 몰딩 단계(S300); 를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 몰딩 방법
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제 11항에 있어서,상기 고정 단계(S100)에서는상기 베이스 웨이퍼(100)가 캐리어 웨이퍼(120)에 접착된 상태로 상기 스핀지지대(300)에 고정되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 몰딩 방법
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제 11항에 있어서,상기 몰딩 단계(S300)는상기 몰딩 챔버(200)가 진공상태, 가압상태 및 강제 공기 유동상태 중 어느 하나의 상태에서 수행되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 몰딩 방법
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제 13항에 있어서,상기 웨이퍼 레벨 몰딩 방법은상기 몰딩 단계(S300) 이후, 상기 스핀지지대(300) 상측에 일정거리 이격되어 형성되는 공기유동부(500)를 통해 상기 몰딩 챔버(200) 내 공기 유동이 조절되도록 하여 스핀 코팅 표면을 고르게 하는 표면처리 단계(S310)를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 몰딩 방법
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제 11항에 있어서,상기 웨이퍼 레벨 몰딩 방법은상기 몰딩 단계(S300) 이후, 상기 베이스 웨이퍼(100)의 가장자리로 흘러내린 몰딩 컴파운드(410)가 제거되도록 상기 분사모듈(600)을 통해 세정 용매가 분사되는 분사 단계(S500)를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 몰딩 방법
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제 15항에 있어서,상기 웨이퍼 레벨 몰딩 방법은상기 몰딩 단계(S300) 및 상기 분사 단계(S500) 사이에 100℃ 이하로 소프트 베이크 단계(S400)가 수행되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 몰딩 방법
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