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수평형 열전소자의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015129692
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 수평형 열전소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판 상면에, 원주 방향으로 소정 간격 이격되며, 방사상 방향으로 내측이 서로 분리되도록 복수 개의 제 1 전극을 증착하는 제 1 전극 공정(S200), 상기 제 1 전극 공정(S200)에 의해서, 증착된 상기 제 1 전극의 상면 및 상기 제 1 전극의 방사상으로 외측까지 연장되고, 방사상 방향으로 내측이 서로 분리되도록 복수 개의 열전반도체를 증착하는 열전반도체 공정(S400) 및 상기 제 1 전극의 외측에 상기 열전반도체 공정(S400)에 의해서, 증착된 하나의 상기 열전반도체의 일측과, 상기 제 1 전극 공정(S200)에 의해서, 상기 제 1 전극이 외측까지 연장되어 증착된 일측, 또는, 상기 열전반도체 공정(S400)에 의해서, 상기 제 1 전극의 외측에 증착된 또다른 상기 열전반도체의 일측을 연결하도록 복수 개의 제 2 전극을 증착하는 제 2 전극 공정(S600)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 수평형 열전소자의 제조 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 35/02 (2006.01) H01L 35/34 (2006.01)
CPC H01L 35/34(2013.01) H01L 35/34(2013.01) H01L 35/34(2013.01)
출원번호/일자 1020130025970 (2013.03.12)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1332284-0000 (2013.11.18)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20131122) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.03.12)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전성재 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구
2 현승민 대한민국 대전광역시 유성구
3 이후정 대한민국 경기도 수원시 영통구
4 이학주 대한민국 대전광역시 서구
5 송준엽 대한민국 대전광역시 서구
6 우창수 대한민국 대전광역시 유성구
7 정준호 대한민국 대전광역시 서구
8 김상민 대한민국 대구광역시 수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김종관 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
3 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 삼흥정밀 경기도 화성시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.03.12 수리 (Accepted) 1-1-2013-0212580-62
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2013.04.11 수리 (Accepted) 1-1-2013-0317518-25
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.04.25 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.05.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0036586-15
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.06.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0425921-14
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.08.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0742191-46
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2013-0742202-61
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0595401-82
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2013-0878116-32
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2013.09.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0878098-08
11 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2013.10.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0704700-53
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
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번호 청구항
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수평형 열전소자를 제조하는 방법에 있어서,기판 상면에, 원주 방향으로 소정 간격 이격되며, 방사상 방향으로 내측이 서로 분리되도록 복수 개의 제 1 전극을 증착하는 제 1 전극 공정(S200);상기 제 1 전극 공정(S200)에 의해서, 증착된 상기 제 1 전극의 상면 및 상기 제 1 전극의 방사상으로 외측까지 연장되고, 방사상 방향으로 내측이 서로 분리되며, P 타입 열전반도체 및 N 타입 열전반도체 중 선택되는 어느 하나로 이루어지는 복수 개의 열전반도체를 증착하는 열전반도체 공정(S400); 및상기 제 1 전극의 외측에 상기 열전반도체 공정(S400)에 의해서, 증착된 하나의 상기 열전반도체의 일측과, 상기 제 1 전극 공정(S200)에 의해서, 상기 제 1 전극이 외측까지 연장되어 증착된 일측을 연결하도록 복수 개의 제 2 전극을 증착하는 제 2 전극 공정(S600);으로 이루어지며,상기 제 1 전극 공정(S200)을 수행하기 전에,상기 기판 상면에, 발생하는 열을 흡수하는 원형의 제 1 열 콜렉터를 증착하는 제 1 열 콜렉터 공정(S100)을 더 포함하여 이루어지고,상기 제 1 전극 공정(S200)에서 상기 제 1 전극이 상기 제 1 열 콜렉터 상면에 증착되는 것을 특징으로 하는 수평형 열전소자의 제조 방법
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제 7항에 있어서,상기 수평형 열전소자의 제조 방법은상기 제 2 전극 공정(S600)을 수행한 후,상기 제2 전극의 상면에, 상기 제 1 전극의 외측으로 발생하는 열을 흡수하는 제 2 열 콜렉터를 방사상으로 증착하는 제 2 열 콜렉터 공정(S800)을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 수평형 열전소자의 제조 방법
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1 지식경제부 한국기계연구원 산업기술연구회-협동연구사업 차세대 반도체 MCP 핵심기술 개발 (1/2)