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반도체 제조 공정을 수행하는 공정챔버에 연결되어 상기 공정챔버에서 배출되는 사불화탄소(CF4), 삼불화질소(NF3) 또는 과불화 화합물(PFC)을 포함하는 공정가스를 처리하는 번-웨트(burn-wet) 스크러버;상기 번-웨트 스크러버에서 배출되는 입자상 물질을 제거하는 입자상 물질 제거부; 및상기 입자상 물질이 제거된 공정가스에 포함된 질소산화물을 제거하는 질소산화물 제거부를 포함하며,상기 질소산화물 제거부는,상기 입자상 물질 제거부를 경유한 공정가스에 환원제를 공급하는 환원제 공급부, 및상기 환원제로 상기 공정가스와 포함된 질소산화물을 제거하는 선택적 촉매 환원(SCR) 촉매를 포함하고,상기 환원제 공급부는상기 번-웨트 스크러버로 공급되는 연료를 이용하여 환원제를 생성하여 공급하는 반도체 제조공정용 질소산화물 제거장치
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제1항에 있어서,상기 입자상 물질 제거부는,상기 번-웨트 스크러버에 연결되어 상기 공정가스에 포합된 입자상 물질을 1차로 제거하는 사이클론, 및상기 사이클론에 연결되어 상기 공정가스에 포함된 입자상 물질을 2차로 제거하는 필터를 포함하는 반도체 제조공정용 질소산화물 제거장치
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제1항에 있어서,상기 환원제 공급부는,요소, 암모니아(NH3), H2 및 HC 중 어느 하나를 환원제로 공급하는 반도체 제조공정용 질소산화물 제거장치
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제4항에 있어서,상기 질소산화물 제거부는,상기 선택적 촉매 환원(SCR) 촉매에 연결되어 상기 선택적 촉매 환원(SCR) 촉매를 경유한 공정가스에서 암모니아의 슬립을 방지시키는 산화 촉매를 더 포함하는 반도체 제조공정용 질소산화물 제거장치
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제1항에 있어서,상기 환원제 공급부는,상기 연료인 액화천연가스(LNG)를 개질하여 수소(H2)와 일산화탄소(CO)를 환원제로 공급하는 액화천연가스 개질기, 및플라즈마 공정 또는 촉매 공정으로 액화천연가스(LNG)를 개질하여 수소(H2)와 일산화탄소(CO)를 환원제로 공급하는 플라즈마 반응기 또는 촉매 반응기중 어느 하나로 형성되는 반도체 제조공정용 질소산화물 제거장치
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제1항에 있어서,상기 질소산화물 제거부는,상기 입자상 물질 제거부와 상기 선택적 촉매 환원(SCR) 촉매 사이에 설치되어 공정가스를 부분 산화시키는 플라즈마 반응기 또는 촉매 반응기를 더 포함하는 반도체 제조공정용 질소산화물 제거장치
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제1항에 있어서,상기 질소산화물 제거부는,상기 입자상 물질 제거부를 경유한 공정가스에 환원제를 공급하는 환원제 공급부, 및상기 환원제로 상기 공정가스에 포함된 질소산화물을 제거하는 질소산화물 흡장 촉매를 포함하는 반도체 제조공정용 질소산화물 제거장치
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제8항에 있어서,상기 입자상 물질 제거부에 연결되는 제1관로는 제11관로와 제12관로로 분지되고,상기 환원제 공급부에 연결되는 제2관로는 제21관로와 제22관로로 분지되어 상기 제11관로와 상기 제12관로에 각각 연결되며,상기 질소산화물 흡장 촉매는,일측으로 상기 제11관로와 상기 제12관로에 각각 연결되고 다른 측으로 제3관로에서 분지된 제31관로와 제32관로에 각각 연결되는 제1흡장 촉매와 제2흡장 촉매를 포함하는 반도체 제조공정용 질소산화물 제거장치
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제9항에 있어서,상기 제1관로는, 제1삼방향 밸브를 개재하여 상기 제11관로와 상기 제12관로에 연결되고,상기 제2관로는, 제2삼방향 밸브를 개재하여 제21관로와 제22관로에 연결되며,상기 제31관로와 상기 제32관로는, 제3삼방향 밸브를 개재하여 제3관로에 연결되는반도체 제조공정용 질소산화물 제거장치
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