맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

양자점 태양전지의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015129847
  • 담당센터 :
  • 전화번호 :
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 양자점 태양전지의 제조방법에서, 기판 상에 투명 전극층을 형성하고, 상기 투명 전극층 상에 전자 수송층을 형성하고, 상기 전자 수송층 상에 코팅 또는 인쇄 공정으로 양자점 활성층을 형성하고, 상기 양자점 활성층 상에 코팅 또는 인쇄 공정으로 전자 차단층을 형성하며, 상기 전자 차단층 상에 코팅 또는 인쇄 공정으로 외부 전극층을 형성한다. 상기 양자점 활성층을 형성하는 단계에서, 상기 전자 수송층 상에 코팅 또는 인쇄 공정으로 양자점 용액층을 형성하고, 코팅 또는 인쇄 공정으로 상기 양자점 용액층의 표면을 개질한다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/035218(2013.01) H01L 31/035218(2013.01) H01L 31/035218(2013.01) H01L 31/035218(2013.01)
출원번호/일자 1020130139608 (2013.11.18)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1500669-0000 (2015.03.03)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150309) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.11.18)
심사청구항수 10

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 정소희 대한민국 대전광역시 유성구
2 김인영 대한민국 서울특별시 성북구
3 이택민 대한민국 대전광역시 유성구
4 유종수 대한민국 대전광역시 유성구
5 곽선우 대한민국 대전광역시 동구
6 송정훈 대한민국 광주광역시 남구
7 장지훈 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김민태 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***, *층 **세기특허법률사무소 (역삼동, 세일빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.11.18 수리 (Accepted) 1-1-2013-1045134-73
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.10.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.11.12 수리 (Accepted) 9-1-2014-0088427-51
4 등록결정서
Decision to grant		 2014.12.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0889519-67
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 투명 전극층을 형성하는 단계;상기 투명 전극층 상에 전자 수송층을 형성하는 단계; 상기 전자 수송층 상에 코팅 또는 인쇄 공정으로 양자점 활성층을 형성하는 단계;상기 양자점 활성층 상에 코팅 또는 인쇄 공정으로 전자 차단층을 형성하는 단계; 및상기 전자 차단층 상에 코팅 또는 인쇄 공정으로 외부 전극층을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 양자점 활성층을 형성하는 단계는, 상기 전자 수송층 상에 코팅 또는 인쇄 공정으로 양자점 용액층을 형성하는 단계; 및 코팅 또는 인쇄 공정으로 상기 양자점 용액층의 표면을 개질하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 태양전지의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 전자 차단층과 상기 외부 전극층 사이에 코팅 또는 인쇄 공정으로 정공 전달층을 형성하는 단계를 더 포함하는 양자점 태양전지의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 전자 수송층을 형성하는 단계는, 상기 투명 전극층이 형성된 기판을 세정하는 단계;상기 투명 전극층을 친수성 처리하는 단계;상기 투명 전극층 상에 코팅 또는 인쇄 공정으로 전자 수송층을 형성하는 단계; 및상기 전자 수송층을 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 태양전지의 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 전자 수송층을 열처리하는 단계에서, 120℃~450℃의 범위로 상기 전자 수송층을 경화하는 것을 특징으로 하는 양자점 태양전지의 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 양자점 용액층은 양자점에 용매 및 첨가제를 혼합하여 잉크화한 것을 특징으로 하며, 상기 양자점은, II-VI족의 CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe을 포함하는 이원소 화합물, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe을 포함하는 삼원소 화합물, 및 CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe을 포함하는 사원소 화합물 양자점; III-V족의 GaN, GaP, GaAs, aSb, InP, InAs, InSb을 포함하는 이원소 화합물, GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP을 포함하는 삼원소 화합물, 및 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 을 포함하는 사원소 화합물 양자점; IV-VI족의 PbS, PbSe, PbTe을 포함하는 이원소 화합물, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe을 포함하는 삼원소 화합물, 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe을 포함하는 사원소 화합물 양자점; IV족의 Si, Ge을 포함하는 단일 원소 화합물, SiC, SiGe을 포함하는 이원소 화합물 양자점; 및 CdSe/ZnS와 같이 상기 기술한 2종의 양자점 물질이 접합한 형태의 2종 접합 양자점 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 양자점 태양전지의 제조방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 양자점 활성층을 형성하는 단계는, 상기 양자점 용액층을 형성하기 전에, 상기 전자 수송층이 형성된 기판을 세정하고, 상기 전자 수송층을 친수성 처리하는 단계를 더 포함하고, 상기 양자점 용액층의 표면을 개질한 후에, 상기 양자점 활성층을 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 태양전지의 제조방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 양자점 활성층을 열처리하는 단계에서, 100℃ 이하의 범위로 상기 양자점 용액층의 표면에서 교환된 불순물을 제거하는 것을 특징으로 하는 양자점 태양전지의 제조방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 전자 차단층을 형성하는 단계는, 상기 양자점 활성층이 형성된 기판을 세정하는 단계;상기 양자점 활성층을 친수성 처리하는 단계; 및상기 양자점 활성층 상에 코팅 또는 인쇄 공정으로 전자 차단층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 태양전지의 제조방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 전자 차단 용액층은 전자 차단재에 용매 및 첨가제를 혼합하여 잉크화한 것을 특징으로 하며, 상기 전자 차단재는 p-type 홀 전도체 또는 MoO3, V2O5 계열의 산화물인 것을 특징으로 하는 양자점 태양전지의 제조방법
10 10
제1항에 있어서, 상기 코팅 또는 인쇄 공정은, 디핑(dipping), 스프레이(spraying), 드롭캐스팅(drop casting), 자기조립, 스핀코팅(spin coating), 닥터플레이드(doctor blade), 바코팅(bar coating), 슬롯다이코팅(slot die coating), 마이크로 그라비아 코팅(micro gravure coating), 코마코팅(coma coating) 및 프린팅(printing)으로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종인 것을 특징으로 하는 양자점 태양전지의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 기계연구원 미래부-국가연구개발사업(III) 핫캐리어생성 및 수집제어기술 개발 (1/3)
2 지식경제부 기계연구원 주요사업 접착력 제어를 이용한 초미세롤 인쇄공정/장비 기술개발
3 지식경제부 기계연구원 주요사업 나노소재 기반 기능성 소자 적용기술 개발(2/3)