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수평형 박막 열전모듈의 제조방법 및 이에 의해 제조된 수평형 박막 열전모듈

  • 기술번호 : KST2015130457
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 수평형 박막 열전모듈 제조방법 및 이를 이용하여 제조한 수평형 박막 열전모듈에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 수평형 박막 열전모듈 제조방법 및 이를 이용하여 제조한 수평형 박막 열전모듈은 실리콘 기판의 상면 및/또는 하면에 열전도율이 낮은 실리콘 나이트라이드 박막층을 형성하고, 상기 실리콘 나이트라이드 박막층의 상면에 열전반도체들을 교대로 증착한다.본 발명에 따른 수평형 박막 열전모듈 제조방법 및 이를 이용하여 제조한 수평형 박막 열전모듈에 의하면, 열전반도체를 박막형으로 수평으로 증착하여 그 크기를 최소화할 수 있으며, 열전도율이 낮은 실리콘 나이트라이드 박막층의 상면에 열전반도체를 증착함으로써 열전반도체 양단간의 온도차를 크게 할 수 있어 열전모듈의 냉각효율을 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 35/02 (2006.01) H01L 35/34 (2006.01)
CPC H01L 35/34(2013.01) H01L 35/34(2013.01) H01L 35/34(2013.01)
출원번호/일자 1020110081459 (2011.08.17)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1119595-0000 (2012.02.16)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20120306) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 발송처리완료
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.08.17)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 현승민 대한민국 대전광역시 유성구
2 이학주 대한민국 대전광역시 유성구
3 우창수 대한민국 대전광역시 유성구
4 송준엽 대한민국 대전광역시 유성구
5 정준호 대한민국 대전광역시 유성구
6 전성재 대한민국 대전광역시 유성구
7 이후정 대한민국 경기도 수원시 영통구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2011-0633831-66
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2011.10.06 수리 (Accepted) 1-1-2011-0779510-05
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.10.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.10.26 수리 (Accepted) 9-1-2011-0085694-06
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.11.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0664518-42
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.01.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0038522-52
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2012-0038523-08
8 등록결정서
Decision to grant		 2012.02.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0074508-03
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
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번호 청구항
1 1
실리콘 기판의 상면 및 하면에 각각 제1 및 제2 박막층을 형성하는 단계;상기 실리콘 기판의 하면에 형성된 제2박막층을 패터닝하여 상기 실리콘 기판이 노출된 복수의 제1홈부를 형성하는 단계;상기 제1홈부에 의해 노출된 상기 실리콘 기판을 식각하여 홀부를 형성하는 단계;상기 홀부의 상측단부 측에 배치하고, 상기 제1박막층의 상면에 복수의 P형 및 N형 반도체를 교대로 증착하는 단계; 및상기 P형 및 N형 반도체가 상호 통전되게 전극을 증착하는 단계;를 포함하는 수평형 박막 열전모듈의 제조방법
2 2
실리콘 기판의 상면 및 하면에 각각 제3 및 제4박막층을 형성하는 단계;상기 실리콘 기판의 상면 및 하면에 형성된 제3 및 제4박막층을 패터닝하여 상기 실리콘 기판이 노출된 복수의 제2홈부와 제3홈부를 상기 실리콘 기판의 상면 및 하면에 각각 교호되게 형성하는 단계;상기 제2홈부 및 제3홈부에 의해 노출된 상기 실리콘 기판을 식각하여 홀부를 형성하는 단계;상기 홀부의 개구된 일측단부의 반대편 타측단부 측에 배치하고, 상기 제3박막층 및 제4박막층의 상면에 복수의 P형 및 N형 반도체를 교대로 증착하는 단계; 및상기 P형 및 N형 반도체가 상호 통전되게 전극을 증착하는 단계;를 포함하는 수평형 박막 열전모듈의 제조방법
3 3
청구항 1에 있어서,상기 제1,2박막층은 저압 화학 기상 증착(Low Pressure CVD: LP CVD)법에 의한 실리콘 나이트라이드(Silicon Nitride) 박막층인 것을 특징으로 하는 수평형 박막 열전모듈의 제조방법
4 4
청구항 2에 있어서,상기 제3,4박막층은 저압 화학 기상 증착(Low Pressure CVD: LP CVD)법에 의한 실리콘 나이트라이드(Silicon Nitride) 박막층인 것을 특징으로 하는 수평형 박막 열전모듈의 제조방법
5 5
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 홀부는 상기 실리콘 기판을 웨트 에칭(wet etching)법에 의해 식각하여 형성한 것을 특징으로 하는 수평형 박막 열전모듈의 제조방법
6 6
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 홀부는 개구된 일측단부에서 타측단부 방향으로 점층적으로 폭이 감소되도록 테이퍼지게 형성한 것을 특징으로 하는 수평형 박막 열전모듈의 제조방법
7 7
청구항 1에 있어서,상기 전극을 증착하는 단계는,상기 제1박막층 중 상기 P형 및 N형 반도체가 증착된 부분을 제외한 나머지 부분을 상기 실리콘 기판의 상면 및 하면에서 제거하는 단계; 및마스크를 실리콘 기판, P형 반도체 및 N형 반도체의 상부에 배치하고, 상기 P형 및 N형 반도체의 길이방향의 양단에 소정간격 이격되어 대향되게 각각 전극을 증착하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 수평형 박막 열전모듈의 제조방법
8 8
청구항 2에 있어서,상기 전극을 증착하는 단계는,상기 제3,4박막층 중 상기 P형 및 N형 반도체가 증착된 부분을 제외한 나머지 부분을 상기 실리콘 기판의 상면 및 하면에서 제거하는 단계; 및마스크를 실리콘 기판, P형 반도체 및 N형 반도체의 상부에 배치하고, 상기 P형 및 N형 반도체의 길이방향의 양단에 소정간격 이격되어 대향되게 각각 전극을 증착하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 수평형 박막 열전모듈의 제조방법
9 9
복수의 홀부를 형성한 실리콘 기판;상기 실리콘 기판의 상면에 형성한 제1박막층;상기 홀부의 일측단부가 외부에 개구되도록 상기 실리콘 기판의 하면에 형성한 제2박막층;상기 홀부의 상측에 배치하고, 상기 제1박막층의 상면에 교대로 증착한 복수의 P형 및 N형 반도체; 및상기 P형 및 N형 반도체가 상호 통전되도록 상기 P형 및 N형 반도체의 길이방향 양단에 소정간격 이격되어 대향되게 증착한 전극;을 포함하는 수평형 박막 열전모듈
10 10
복수의 홀부를 형성한 실리콘 기판;상기 홀부의 일측단부가 외부에 교호되어 개구되도록 상기 실리콘 기판의 상면 및 하면에 각각 형성한 제3 및 제4박막층;상기 홀부의 개구된 일측단부의 반대편 타측단부 측에 배치하고, 상기 제3 및 제4박막층의 상면에 교대로 증착한 복수의 P형 및 N형 반도체; 및상기 P형 및 N형 반도체가 상호 통전되도록 상기 P형 및 N형 반도체의 길이방향 양단에 소정간격 이격되어 대향되게 증착한 전극;을 포함하는 수평형 박막 열전모듈
11 11
청구항 9에 있어서,상기 제1,2박막층은 실리콘 나이트라이드 박막층인 것을 특징으로 하는 수평형 박막 열전모듈
12 12
청구항 10에 있어서,상기 제3,4박막층은 실리콘 나이트라이드 박막층인 것을 특징으로 하는 수평형 박막 열전모듈
13 13
청구항 9 또는 청구항 10에 있어서,상기 홀부는 개구된 일측단부에서 타측단부 방향으로 점층적으로 폭이 감소되도록 테이퍼지게 형성한 것을 특징으로 하는 수평형 박막 열전모듈
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국기계연구원 주요사업-일반 3차원 나노구조체 제조기술 고도화 사업
2 지식경제부 한국기계연구원 산업기술연구회-협동연구사업 차세대 반도체 MCP 핵심기술 개발(3/5)