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평판형 저온 플라즈마 반응기

  • 기술번호 : KST2015130482
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유해가스 등을 처리하는 평판형 저온 플라즈마 반응기에 관한 것으로서, 유전체 장벽 방전방식 평판형 저온 플라즈마 반응기의 열응력에 의한 내구성을 크게 향상시킬 수 있으며, 차량 등 처리해야할 가스의 온도변화 범위가 넓고 시간에 대한 변화량 또한 큰 환경에서도 안정적으로 저온 플라즈마를 발생시킬 수 있음은 물론, 고전압 적층부의 전극 리드 부분을 각각의 고전압전극판에 개별적으로 구성함으로써, 아크 등 이상방전으로 인한 과전류를 각각의 전극단자에 개별 부착된 퓨즈 등으로 차단하여, 전체 성능에 문제가 없는 한 소수의 문제가 발생한 플라즈마 층에 전력을 공급하지 않도록 하여 전체 반응기의 수명을 연장시킬 수 있는 효과가 있다.플라즈마, 반응기, 평판형, 열응력, 분리형
Int. CL H01L 21/3065 (2006.01) H01L 21/02 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020060040275 (2006.05.04)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-0776616-0000 (2007.11.08)
공개번호/일자 10-2007-0107825 (2007.11.08) 문서열기
공고번호/일자 (20071115) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.05.04)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 차민석 대한민국 대전 유성구
2 송영훈 대한민국 대전광역시 유성구
3 이재옥 대한민국 대전광역시 유성구
4 김관태 대한민국 대전광역시 서구
5 이대훈 대한민국 대전 유성구
6 김석준 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 진용석 대한민국 대전광역시 서구 청사로 ***, 청사오피스텔 ***호 세빈 국제특허법률사무소 (둔산동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엠씨아이 경기 수원시 영통구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.05.04 수리 (Accepted) 1-1-2006-0315835-16
2 우선심사신청서
Request for Accelerated Examination		 2006.06.15 수리 (Accepted) 1-1-2006-0420251-93
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.04.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.05.10 수리 (Accepted) 9-1-2007-0026703-85
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.05.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0270571-49
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.07.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0485830-10
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.07.03 수리 (Accepted) 1-1-2007-0485837-28
8 등록결정서
Decision to grant		 2007.11.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0598854-68
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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다층 평판 전극을 구비한 유전체 장벽 방전방식 평판형 저온 플라즈마 반응장치에 있어서,고전압의 전원이 인가되며, 스페이서(20)를 사이에 두고 적층되어 상호 일정 이격되는 다수의 고전압전극판(30)을 포함하며, 상기 고전압전극판(30)과 스페이서(20)들이 융착 접합되어 이루어지는 고전압 적층부(10)와;접지 단자와 연결되며 상기 고전압전극판(30)들 사이에 각각 위치하도록 상호 이격되는 다수의 접지전극판(60)과, 상기 접지전극판(60)과 고전압전극판(30) 사이에 반응공간이 형성되도록 상기 접지전극판(60)과 고전압전극판(30) 간에 각각 개재되는 다수의 스페이서(70)를 포함하는 접지전극 적층부(50)와;상기 고전압전극판(30)과 상기 접지전극 적층부(50)의 접지전극판(60) 및 스페이서(70)에 각각 형성되는 관통홀(39,63,73)을 통해 관통되어 돌출된 일측단에 너트가 체결되어 상기 고전압전극판(30), 접지전극판(60) 및 스페이서(70)가 결합되도록 하되, 결합된 부위에 열에 의한 변형량을 흡수하기 위한 유격이 형성되도록 그 외경이 상기 관통홀(39,63,73)의 직경보다 상대적으로 작게 형성된 체결볼트(80);를 포함하여 구성되며,상기 고전압전극판(30)은 상호 융착 접합되는 복수의 유전체(33)와, 상기 유전체(33)들 사이에 도포되는 금속전극(35)으로 구성된 것을 특징으로 하는 평판형 저온 플라즈마 반응기
2 2
다층 평판 전극을 구비한 유전체 장벽 방전방식 평판형 저온 플라즈마 반응장치에 있어서,고전압의 전원이 인가되고, 양측의 스페이서(120)를 사이에 두고 적층되어 상호 일정간격 이격되는 다수의 고전압전극판(130)을 포함하며, 상기 고전압전극판(130)의 전원이 인가되는 일측은 상기 스페이서(120)와 함께 융착 접합되도록 하고, 타측은 상기 고전압전극판(130)과 스페이서(120)에 형성되는 관통홀(133,123)을 통해 관통되는 체결볼트(135)의 돌출된 일측단에 너트(137)가 체결되도록 하여 상기 스페이서(120)와 결합되도록 하되, 상기 체결볼트(135)의 외경은 상기 관통홀(133,123)의 직경보다 상대적으로 작도록 형성되어 결합된 부위에서, 열에 의한 변형량을 흡수하기 위한 유격이 형성되도록 구성된 고전압 적층부(110)와;접지 단자와 연결되며 상기 고전압전극판(130)들 사이에 각각 위치하도록 상호 이격되는 다수의 접지전극판(160)과, 상기 접지전극판(160)들 사이에 개재되는 다수의 스페이서(170)가 상기 접지전극판(160)과 스페이서(170)에 형성된 관통홀(163,173)을 통해 일측단이 돌출되도록 관통되는 체결볼트(180)와 상기 체결볼트(180)의 돌출된 부위에 체결되는 너트(185)로 결합되되, 상기 체결볼트(185)의 외경이 상기 관통홀(163,173)의 직경보다 상대적으로 작도록 형성되어 결합된 부위에서, 열에 의한 변형량을 흡수하기 위한 유격이 형성되도록 구성된 접지전극 적층부(150);를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 평판형 저온 플라즈마 반응기
3 3
제 2 항에 있어서,상기 고전압전극판(130)은 상호 융착 접합되는 복수의 유전체(33)와, 상기 유전체(33)들 사이에 도포되는 금속전극(35)으로 구성된 것을 특징으로 하는 평판형 저온 플라즈마 반응기
4 4
제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 유전체(33)는 세라믹 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 평판형 저온 플라즈마 반응기
5 5
제 1 항 또는 3 항에 있어서,상기 각 고전압전극판(30,130)들은 평면상 서로 다른 지점에 위치하도록 유전체(33)에 형성된 홈(34)을 통해 금속전극(35)의 리드(37) 부분이 노출되고, 상기 고전압 적층부(10,110)의 표면으로부터 각 고전압전극판(30,130)들의 홈(34)에 이르는 통공이 개별적으로 형성되며,상기 각 통공에는 외부전원과 전기적으로 연결되는 전도성 물질이 채워지고 브레이징에 의해 융착되도록 구성되어 상기 각 고전압전극판(30,130)에 독립적으로 전원을 인가하도록 한 것을 특징으로 하는 평판형 저온 플라즈마 반응기
6 6
제 5 항에 있어서,상기 전도성 물질과 외부전원의 전기적 연결 선상에 퓨즈가 연결되어 이상방전 발생시 해당 고전압전극판(30,130)으로의 전원 공급이 차단되도록 한 것을 특징으로 하는 평판형 저온 플라즈마 반응기
7 7
유전체(33) 내부로 금속전극(35)이 도포되며 상호 일정간격 이격되도록 적층되는 다수의 고전압전극판(30,130)들을 포함한 고전압 적층부(10,110)를 갖는 저온 플라즈마 반응기에 있어서,상기 각 고전압전극판(30,130)들은 평면상 서로 다른 지점에 위치하도록 유전체에 (33)형성된 홈(34)을 통해 금속전극(35)의 리드(37) 부분이 노출되고, 상기 고전압 적층부(10,110)의 표면으로부터 각 고전압전극판(30,130)들의 홈(34)에 이르는 통공이 개별적으로 형성되며,상기 각 통공에는 외부전원과 전기적으로 연결되는 전도성 물질이 채워지고 브레이징에 의해 융착되도록 구성되어 상기 각 고전압전극판(30,130)에 독립적으로 전원을 인가하도록 한 것을 특징으로 하는 평판형 저온 플라즈마 반응기
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제 7 항에 있어서,상기 전도성 물질과 외부전원의 전기적 연결 선상에 퓨즈가 연결되어 이상방전 발생시 해당 고전압전극판(30,130)으로의 전원 공급이 차단되도록 한 것을 특징으로 하는 평판형 저온 플라즈마 반응기
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3 JP2009535208 JP 일본 DOCDBFAMILY
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5 JP2009535208 JP 일본 DOCDBFAMILY
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7 US2010068104 US 미국 DOCDBFAMILY
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