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질화물계 발광소자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015131168
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 질화물계 발광소자의 제조방법이 개시된다.본 발명에 따르는 질화물계 발광소자의 제조방법은 n형 반도체층과 p형 반도체층을 포함하는 질화물계 발광체층을 형성하는 단계;상기 질화물계 발광체층의 상부에 광투과율이 85% 이상인 투명도전층을 형성하는 단계;상기 투명도전층의 표면을 산도(pH) 6 내지 6.5인 산성용액으로 습식에칭처리하여 표면에 직경이 250 내지 1000 ㎚인 복수개의 돌출부를 형성하는 단계; 및상기 복수개의 돌출부를 결정화하기 위하여 열처리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 것으로서, 별도의 마스크를 채용하지 아니하고 습식에칭처리를 통하여 나노스케일(nano-scale)로 전극 표면에 다수개의 돌출부를 형성할 수 있도록 하여, 질화물계 발광소자에서 발생되는 광(photo)이 전극 계면 산란(scattering)되어 외부발광효율이 우수한 특징이 있다.
Int. CL H01L 33/00 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020060056373 (2006.06.22)
출원인 고려대학교 산학협력단, 삼성전기주식회사
등록번호/일자 10-0755591-0000 (2007.08.29)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20070906) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.06.22)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
2 삼성전기주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성태연 대한민국 서울 성북구
2 임동석 대한민국 대구 남구
3 이탁희 대한민국 광주 광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인씨엔에스 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)
2 현종철 대한민국 서울특별시 중구 다산로 **, *층 특허법인충현 (신당동, 두지빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
2 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.06.22 수리 (Accepted) 1-1-2006-0441685-20
2 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2007.03.13 수리 (Accepted) 1-1-2007-0202095-43
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.03.22 수리 (Accepted) 4-1-2007-5043540-16
4 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 2007.04.05 수리 (Accepted) 1-1-2007-0264042-76
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2007-5062967-87
6 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2007.07.11 수리 (Accepted) 1-1-2007-0504024-17
7 등록결정서
Decision to grant		 2007.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0404125-54
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5050935-32
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5200786-38
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
n형 반도체층과 p형 반도체층을 포함하는 질화물계 발광체층을 형성하는 단계;상기 질화물계 발광체층의 상부에 광투과율이 85% 이상인 투명도전층을 형성하는 단계;상기 투명도전층의 표면을 산도(pH) 6 내지 6
2 2
제 1 항에 있어서,상기 질화물계 발광체층은 근자외선 파장의 빛을 내는 구조체로서, 기판, n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층이 순차적으로 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
3 3
제 2 항에 있어서,상기 기판과 n형 반도체층의 사이에는 완충층이 더 개재되어 있는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 n형 반도체층은 갈륨나이트라이드(GaN)에 규소(Si), 게루마늄(Ge), 셀륨(Se) 및 텔륨(Te)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나가 도핑(doping)된 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 p형 반도체층은 갈륨나이트라이드(GaN)에 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr) 및 베릴륨(Be)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나가 도핑된 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
6 6
제 2 항에 있어서,상기 기판은 사파이어(Al2O3), 실리콘카바이드(SiC), 실리콘(Si) 및 갈륨비소(GaAs)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
7 7
제 2 항에 있어서,상기 활성층은 단층 또는 다층양자우물(MQW)층인 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 투명도전층은 인듐틴옥사이드(ITO), 진크옥사이드(ZnO) 및 틴옥사이드(SnO2)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
9 9
제 1 항에 있어서,상기 산성용액은 완충산화물에칭액(buffered oxide etch, BOE), 불산(HF), 염산(HCl), 질산(HNO3), 인산(H3PO4), 황산(H2SO4), 옥살산(oxalic acid), 타르탈산(tartaric acid), 포름산(formic acid), 아세트산(acetic acid), 글리콜산(glycolic acid) 및 불화암모늄(NH4F)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
10 10
제 1 항에 있어서,상기 에칭하는 시간은 1 내지 12 초인 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
11 11
제 1 항에 있어서,상기 열처리하는 온도는 400 내지 800℃인 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
12 12
제 1 항에 있어서,상기 투명도전층의 두께는 400 내지 6000Å인 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
13 13
제 1 항에 있어서,상기 돌출부의 직경이 250 내지 700㎚인 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP20004931 JP 일본 FAMILY
2 US08227283 US 미국 FAMILY
3 US20080006842 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN101093870 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN101093870 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 JP2008004931 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 US2008006842 US 미국 DOCDBFAMILY
5 US8227283 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.