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나노 임프린트 리소그래피와 리프트 오프 공정을 이용한나노 패턴 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015131420
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 측면은, 기판 상에 폴리비닐알콜(PVA)층을 형성하는 단계; 상기 폴리비닐알콜층 상에 임프린트용 수지층을 형성하는 단계; 표면에 나노 구조를 갖는 몰드를 이용하여 상기 임프린트용 수지층에 임프린팅함으로써, 상기 임프린트용 수지층에 나노 구조를 전사하는 단계; 상기 몰드를 제거한 후 건식 식각을 통해 상기 임프린트용 수지층 및 폴리비닐알콜층을 선택적으로 제거하여 상기 기판 상면을 선택적으로 노출시키는 다층 고분자 패턴을 형성하는 단계; 상기 다층 고분자 패턴 및 상기 노출된 기판 상에 금속 또는 절연 물질을 증착하는 단계; 및 상기 다층 고분자 패턴을 리프트 오프하는 단계;를 포함하는, 나노 패턴 형성 방법을 제공한다. 나노 임프린트, 나노 패턴
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 21/027 (2011.01)
CPC H01L 21/0274(2013.01) H01L 21/0274(2013.01) H01L 21/0274(2013.01) H01L 21/0274(2013.01)
출원번호/일자 1020080008104 (2008.01.25)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0918850-0000 (2009.09.17)
공개번호/일자 10-2009-0081924 (2009.07.29) 문서열기
공고번호/일자 (20090928) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.01.25)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이헌 대한민국 서울 노원구
2 양기연 대한민국 서울 동작구
3 변경재 대한민국 서울 노원구
4 한강수 대한민국 서울 도봉구
5 황선용 대한민국 경기 양평군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2008-0064794-80
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.09.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.10.10 수리 (Accepted) 9-1-2008-0062463-90
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.04.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0169507-69
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.06.10 수리 (Accepted) 1-1-2009-0350157-37
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.06.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0350156-92
9 등록결정서
Decision to grant		 2009.09.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0376139-60
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 폴리비닐알콜(PVA)층을 형성하는 단계; 상기 폴리비닐알콜층 상에 페놀 수지 또는 에폭시 수지를 포함하는 열경화성 수지나 PMMA(폴리메틸메타아크릴레이트) 또는 PVC(폴리염화비닐)를 포함하는 열가소성 수지로 임프린트용 수지층을 형성하는 단계; 표면에 나노 구조를 갖는 몰드를 이용하여 상기 임프린트용 수지층에 임프린팅함으로써, 상기 임프린트용 수지층에 나노 구조를 전사하는 단계; 상기 몰드를 제거한 후 건식 식각을 통해 상기 임프린트용 수지층의 잔여층과 상기 잔여층의 하부의 폴리비닐알콜층을 선택적으로 제거하여 상기 기판 상면을 선택적으로 노출시키는 다층 고분자 패턴을 형성하는 단계; 상기 다층 고분자 패턴 및 상기 노출된 기판 상에 금속 또는 절연 물질을 증착하는 단계; 및 물을 이용하여 상기 다층 고분자 패턴을 리프트 오프하는 단계를 포함하고, 상기 다층 고분자 패턴 형성 단계는, O2 이온 반응 식각을 이용하여 상기 잔여층과 상기 잔여층의 하부의 폴리비닐알콜층을 제거하는 것을 특징으로 하는 나노 패턴 형성 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 리프트 오프 단계는, 물을 이용하여 상기 다층 고분자 패턴 및 상기 다층 고분자 패턴 위에 형성된 상기 금속 또는 절연 물질을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 패턴 형성 방법
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서, 상기 임프린트용 수지층 형성 단계는, 상기 폴리비닐알콜층 상에 용매로 녹인 열가소성 수지를 스핀 코팅하여 열가소성 수지층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 패턴 형성 방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 임프린트용 수지층에의 나노 구조 전사 단계는, 상기 열가소성 수지층에 먼저 열을 가한 후 상기 몰드로 상기 열가소성 수지에 압력을 가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 패턴 형성 방법
6 6
삭제
7 7
제1항에 있어서, 상기 임프린트용 수지층 형성 단계는, 상기 폴리비닐알콜층 상에 열경화성 수지를 분사하여 열경화성 수지층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 패턴 형성 방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 임프린트용 수지층에의 나노 구조 전사 단계는, 상기 몰드로 상기 열경화성 수지층에 먼저 압력을 가하고, 그 후 상기 열경화성 수지층에 열을 가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 패턴 형성 방법
9 9
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10 10
삭제
11 11
삭제
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