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카드뮴셀레나이드/황화아연 양자점 제조 방법 및 이를이용하여 형성한 혈당 센서

  • 기술번호 : KST2015131497
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 산화아연 카드뮴셀레나이드/황화아연 제조 방법 및 이를 이용하여 형성한 혈당 센서에 관한 것으로, 보다 상세하게는 먼저 카드뮴셀레나이드/황화아연 양자점을 합성하고, 클로로폼(chloroform)에 분산되어 있는 카드뮴셀레나이드/황화아연 양자점을 바이오 물질 검출에 응용하기 위해 극성 용매에 분산될 수 있는 리간드로 표면을 치환 시키고, 포도당 산화효소를 고정화 시키고 여기에 포도당을 떨어뜨려 그에 따른 카드뮴셀레나이드/황화아연 양자점의 발광이 증가하는 것으로 혈당치를 측정함으로써, 혈당 수치를 용이하게 측정할 수 있도록 하는 발명에 관한 것이다.
Int. CL G01N 33/50 (2006.01) C12Q 1/26 (2006.01) G01N 33/49 (2006.01)
CPC C12Q 1/26(2013.01) C12Q 1/26(2013.01) C12Q 1/26(2013.01) C12Q 1/26(2013.01) C12Q 1/26(2013.01)
출원번호/일자 1020080019278 (2008.02.29)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0973931-0000 (2010.07.28)
공개번호/일자 10-2009-0093640 (2009.09.02) 문서열기
공고번호/일자 (20100803) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.02.29)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성윤모 대한민국 경기 성남시 분당구
2 김강일 대한민국 서울 강남구
3 곽우철 대한민국 서울 성동구
4 이정철 대한민국 경기 안양시 동안구
5 김기은 대한민국 서울 송파구
6 노경민 대한민국 서울 동대문구
7 이명기 대한민국 서울 도봉구
8 김민석 대한민국 서울시 강동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 대아 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, 한양빌딩*층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.02.29 수리 (Accepted) 1-1-2008-0153276-17
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.10.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.11.27 수리 (Accepted) 9-1-2008-0076718-10
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
6 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2009.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2009-0428696-86
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.11.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0487398-48
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.01.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0052202-17
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.02.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0130008-63
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.02.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0130010-55
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.02.26 무효 (Invalidation) 1-1-2010-0129963-16
12 보정요구서
Request for Amendment		 2010.03.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0021353-69
13 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation		 2010.03.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0024518-10
14 등록결정서
Decision to grant		 2010.07.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0312166-28
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
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번호 청구항
1 1
산화 카드뮴 소스 및 스태릭 에시드 (stearic acid)를 플라스크에 넣고 질소분위기에서 100 ~ 150℃의 온도로 가열한 후, 상기 플라스크에 트라이옥틸포스파인 옥사이드 및 핵사데실아민을 1:1의 비율로 첨가하고 250 ~ 310℃의 온도로 재가열하여 카드뮴을 이온화시킨 제 1 용액을 형성하는 단계; 셀레늄 소스 및 트라이부틸포스파인 용액을 혼합하여 1M로 제조하고, 울트라소닉(ultrasonic)을 이용하여 셀레늄 소스를 용해시켜서 셀레늄을 이온화시킨 제 2 용액을 형성하는 단계; 250 ~ 310℃의 온도 가열된 상기 제 1 용액에 상기 제 2 용액을 주사기를 이용하여 주입하고, 교반 공정을 수행하여 형성되는 카드뮴셀레나이드 양자점을 포함하는 제 3 용액을 형성하는 단계; 상기 제 3 용액을 200 ~ 250℃의 온도까지 냉각시키는 단계; 아연 및 황 소스를 트라이부틸포스파인 용액에 이온화시킨 제 4 용액을 형성하는 단계; 상기 제 3 용액에 상기 제 4 용액을 첨가시켜 표면에 황화아연 껍질이 형성된 카드뮴셀레나이드/황화아연 양자점을 포함하는 제 5 용액을 형성하는 단계; 상기 제 5 용액을 1시간30분 ~ 2시간 동안 교반하면서 100 ~ 130℃ 까지 냉각시키는 단계; 상기 제 5 용액을 제 1 세척한 후 버퍼용액에 카드뮴셀레나이드/황화아연 양자점을 분산시킨 제 6 용액을 형성하는 단계; 상기 제 6 용액에 멀캡토 아세닉 에시드(Mercapto Arsenic Acid; MAA)를 첨가하여 상기 카드뮴셀레나이드/황화아연 양자점의 표면 리간드를 멀캡토 아세닉 에시드(Mercapto Arsenic Acid; MAA)로 치환시키는 단계; 상기 제 6 용액을 제 2 세척한 후 버퍼용액에 카드뮴셀레나이드/황화아연 양자점을 분산시킨 제 7 용액을 형성하는 단계; 상기 제 7 용액에 멀캡토 아세닉 에시드(Mercapto Arsenic Acid; MAA), n-hydroxysulfo-succinimide(Sulfo-NHS), 1-Ethyl-3-(3-dimethylaminopropyl) carbodiimide(EDC) 및 포도당 산화효소를 첨가하여 상기 카드뮴셀레나이드/황화아연 양자점에 포도당 산화효소를 고정화를 시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 카드뮴셀레나이드/황화아연 양자점 제조 방법
2 2
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3 3
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4 4
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6 6
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7 7
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8 8
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9 9
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 세척 공정은 클로로폼 및 메탄올을 1:1의 비율로 혼합한 용액에 상기 제 5 용액을 넣고 원심분리기를 이용하여 카드뮴셀레나이드/황화아연 양자점이 세척되면서 분말로 얻어 질 수 있도록 하는 공정을 2 ~ 5회 수행하는 것을 특징으로 하는 카드뮴셀레나이드/황화아연 양자점 제조 방법
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 제 6 용액에 멀캡토 아세닉 에시드(Mercapto Arsenic Acid; MAA)를 첨가하는 공정은 상기 제 6 용액에 분산된 상기 카드뮴셀레나이드/황화아연 양자점 및 멀캡토 아세닉 에시드(Mercapto Arsenic Acid; MAA)의 비율이 1 : 3이 되도록 하고 2 ~ 5시간 동안 교반시키는 공정을 더 수행하는 것을 특징으로 하는 카드뮴셀레나이드/황화아연 양자점 제조 방법
11 11
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 세척 공정은 클로로폼 및 메탄올을 1:1의 비율로 혼합한 용액에 상기 제 6 용액을 넣고 원심분리기를 이용하여 카드뮴셀레나이드/황화아연 양자점이 세척되면서 분말로 얻어 질 수 있도록 하는 공정을 2 ~ 5회 수행하는 것을 특징으로 하는 카드뮴셀레나이드/황화아연 양자점 제조 방법
12 12
제 1 항에 있어서, 상기 버퍼용액은 클로로폼 또는 톨루엔을 이용하는 것을 특징으로 하는 카드뮴셀레나이드/황화아연 양자점 제조 방법
13 13
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.