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기판 상에 희생층을 형성하는 단계;
상기 희생층 상에 다수의 질화물 단결정 씨드를 형성하는 단계;
상기 질화물 단결정 씨드를 성장시켜 질화물 단결정을 형성하는 단계; 및
상기 질화물 단결정으로부터 상기 희생층을 제거하는 단계;를 포함하는 질화물 단결정의 제조방법
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제 1 항에 있어서,
상기 희생층은 선택적 제거가 가능한 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 단결정의 제조방법
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제 1 항에 있어서,
상기 희생층은 습식 식각이 가능한 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 단결정의 제조방법
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4
제 1 항에 있어서,
상기 질화물 단결정 씨드의 직경은 100㎚ 내지 2㎛ 인 것을 특징으로 하는 질화물 단결정의 제조방법
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5
제 1 항에 있어서,
상기 단결정 씨드를 형성하는 단계는
다수의 폴리머 비즈를 상기 희생층 상에 분산시키는 단계;
상기 희생층 상에 상기 폴리머 비즈와 반응하지 않는 마스크 물질을 형성하는 단계;
상기 폴리머 비즈를 제거하여 다수의 개구부가 형성된 마스크 층을 형성하는 단계;
상기 다수의 개구부가 형성된 마스크 층 상에 질화물 단결정 씨드를 형성하는 단계;
상기 다수의 개구부가 형성된 마스크층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 단결정의 제조방법
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6
제 5 항에 있어서,
상기 폴리머 비즈는 폴리스타이렌계 또는 폴리우레탄을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 단결정의 제조방법
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7
제 5 항에 있어서,
상기 폴리머 비즈의 직경은 100㎚ 내지 2㎛ 인 것을 특징으로 질화물 단결정의 제조방법
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8
제 5 항에 있어서,
상기 마스크 물질은 폴리아미드인 것을 특징으로 하는 질화물 단결정의 제조방법
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9
제 5 항에 있어서,
상기 마스크 층의 두께는 폴리머 비드의 직경보다 작은 것을 특징으로 하는 질화물 단결정의 제조방법
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10
제 5 항에 있어서,
상기 마스크 층의 제거는 강산 용액을 이용하는 것을 특징으로 하는 질화물 단결정의 제조방법
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11
성장용 기판 상에 희생층을 형성하는 단계;
상기 희생층 상에 다수의 질화물 단결정 씨드를 형성하는 단계;
상기 질화물 단결정 씨드를 성장시켜 제 1 도전형 질화물 반도체층을 형성하는 단계;
상기 제 1 도전형 질화물 반도체층 상에 활성층 및 제 2 도전형 질화물 반도체층을 형성하여 발광 구조물을 형성하는 단계;
상기 제 2 도전형 반도체층 상에 도전성 기판을 형성하는 단계;
상기 성장용 기판 및 희생층을 상기 발광 구조물로부터 분리하는 단계;
상기 제 1 도전형 반도체층 상에 제 1 전극을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 발광 소자의 제조방법
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12
제 11 항에 있어서,
상기 성장용 기판 및 희생층을 상기 발광 구조물로부터 분리하는 단계는 습식 식각 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법
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