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질화물 반도체 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015131175
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화물 반도체 제조 방법 및 질화물 반도체를 개시한다. 본 발명의 질화물 반도체 제조 방법은, 종래의 사파이어 기판 또는 실리콘 기판 상에 직접 질화물을 증착하여 질화물 반도체를 제조하는 경우에, 기판과 질화물간의 격자 상수 차이 및 열팽창 계수 차이로 인하여 발생하는 문제점을 해결하기 위해서, 질화물 반도체 제조용 기판과 질화물간의 격자 상수 차이 및 열팽창 계수 차이를 경감시키도록 기판 상에 격자 정합을 제어할 수 있는 중간층을 희토류계 원소를 이용하여 형성하고, 형성된 중간층상에 질화물을 에피 성장시킴으로써 제조된다. 따라서, 본 발명은 질화물 성장 시 발생하는 격자 결함을 억제하여 품질이 양호한 질화물 반도체를 얻을 수 있을 뿐만 아니라, 사이즈가 큰 실리콘 기판을 질화물 반도체 기판으로서 사용할 수 있으므로 질화물 반도체의 생산성을 현저하게 향상 시킬 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 33/12 (2014.01)
CPC H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01)
출원번호/일자 1020060046466 (2006.05.24)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0779847-0000 (2007.11.20)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20071128) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.05.24)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태근 대한민국 경기 성남시 분당구
2 신영철 대한민국 서울 서초구
3 최원철 대한민국 서울 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김정식 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(논현동, 건설회관)(특허법인주원)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
2 (주)루미온텍 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.05.24 수리 (Accepted) 1-1-2006-0363076-27
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.03.22 수리 (Accepted) 4-1-2007-5043540-16
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.06.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0336606-85
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.08.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0595459-75
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2007-0595423-32
6 등록결정서
Decision to grant		 2007.11.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0608238-33
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
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번호 청구항
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2 2
삭제
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기판상에, 질화물 에피층과 격자 정합되도록 중간층을 형성하는 중간층 형성 단계; 및상기 중간층에 상기 질화물 에피층을 형성하는 질화물 형성 단계를 포함하고,상기 중간층 형성 단계는상기 기판상에 희토류계 원소 산화물을 증착하고 500℃ 내지 2000℃의 온도 범위에서 열처리하여 희토류계 원소 실리케이트층을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 방법
4 4
기판상에, 질화물 에피층과 격자 정합되도록 중간층을 형성하는 중간층 형성 단계; 및상기 중간층에 상기 질화물 에피층을 형성하는 질화물 형성 단계를 포함하고,상기 중간층 형성 단계는상기 기판상에 희토류계 원소 산화물과 실리콘 산화물을 증착하고 500℃ 내지 2000℃의 온도 범위에서 열처리하여 희토류계 원소 실리케이트층을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 방법
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기판상에, 질화물 에피층과 격자 정합되도록 중간층을 형성하는 중간층 형성 단계; 및상기 중간층에 상기 질화물 에피층을 형성하는 질화물 형성 단계를 포함하고,상기 중간층 형성 단계는(a) 상기 기판상에 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물을 증착하는 단계; 및(b) 상기 (a) 단계에서 증착된 층에, 희토류계 원소 산화물을 증착하거나, 희토류계 원소 산화물과 실리콘 산화물을 함께 증착하고, 500℃ 내지 2000℃의 온도 범위에서 열처리하여 희토류계 원소 실리케이트층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 방법
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제 3 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 중간층 형성 단계는스퍼터링 또는 CVD 방식으로 증착을 수행하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 제조 방법
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제 3 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 열처리는 1분 내지 2시간의 시간 범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 제조 방법
8 8
제 3 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 반도체 제조 방법
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제 3 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항의 질화물 반도체 제조 방법에 의해서 제조된 질화물 반도체
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반도체 제조용 기판;상기 기판에 희토류계 원소 또는 희토류계 원소 산화물을 증착하고 열처리를 수행하여 형성된 실리케이트층인 중간층; 및상기 중간층에 형성된 질화물 에피층을 포함하고,상기 중간층은 상기 질화물 에피층과 서로 격자 정합되도록 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체
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반도체 제조용 기판;상기 기판에 희토류계 원소 산화물과 실리콘 산화물을 증착하고 열처리를 수행하여 형성된 실리케이트층인 중간층; 및상기 중간층에 형성된 질화물 에피층을 포함하고,상기 중간층은 상기 질화물 에피층과 서로 격자 정합되도록 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체
13 13
반도체 제조용 기판;상기 기판상에 형성된 중간층; 및상기 중간층에 형성된 질화물 에피층을 포함하고,상기 중간층은상기 기판에 증착된 실리콘 산화물층 또는 실리콘 질화물층, 및 상기 실리콘 산화물층 또는 상기 실리콘 질화물층에 희토류계 원소 산화물을 증착하고 열처리하여 생성된 희토류계 원소 실리케이트층으로 구성되어, 상기 질화물 에피층과 서로 격자 정합되도록 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체
14 14
제 11 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.