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부식 측정 장치 및 이를 이용한 부식 측정 방법

  • 기술번호 : KST2015131820
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 부식 측정 장치 및 이를 이용한 부식 측정 방법에 관한 것으로, 화학기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing; 이하 CMP) 또는 전기화학적기계적연마(Electro Chemical Mechanical Polishing; 이하 ECMP)용 용액이 담긴 용기에 Ag/AgCl로 이루어진 기준전극(Reference electrode), 백금 거즈 형태로 이루어진 카운터전극(Counter electrode) 및 시편으로 이루어진 작업전극(Working electrode)을 침지시키고, 상기 카운터전극, 상기 기준전극 및 상기 작업전극에 각각 전압을 인가하면서 개회로 전위와 상기 시편의 부식정도를 측정하는 전기화학 분석기를 포함하는 부식 측정 장치를 이용하여, CMP에 사용되는 구연산 또는 세정 용액에 사용되는 Triton X-100이 구리층, 티타늄층 및 구리-티타늄 패턴에 미치는 영향을 파악하고 이를 실제 공정에 용이하게 적용할 수 있도록 하는 발명에 관한 것이다. 구리, 티타늄, 화학적 부식, 갈바닉 부식, 개회로 전위
Int. CL H01L 21/304 (2006.01) H01L 21/66 (2006.01)
CPC G01N 17/02(2013.01) G01N 17/02(2013.01)
출원번호/일자 1020090007160 (2009.01.29)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1048235-0000 (2011.07.04)
공개번호/일자 10-2010-0088029 (2010.08.06) 문서열기
공고번호/일자 (20110708) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.01.29)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성윤모 대한민국 경기 성남시 분당구
2 노경민 대한민국 서울 동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 대아 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, 한양빌딩*층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2009-0058350-71
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2009.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2009-0428702-73
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.11.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0512869-42
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.01.11 수리 (Accepted) 1-1-2011-0021352-65
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.02.11 수리 (Accepted) 1-1-2011-0100683-48
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.02.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0110759-09
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.02.16 수리 (Accepted) 1-1-2011-0110757-18
10 등록결정서
Decision to grant		 2011.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0349771-21
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
구연산 또는 Triton X-100을 포함하는 용액을 담는 용기; 상기 용액에 각각 침지되며, Ag/AgCl로 이루어진 기준전극(Reference electrode), 백금 거즈 형태로 이루어진 카운터전극(Counter electrode) 및 시편으로 이루어진 작업전극(Working electrode); 및 상기 카운터전극, 상기 기준전극 및 상기 작업전극에 각각 전압을 인가하면서 개회로 전위와 상기 시편의 부식정도를 측정하는 전기화학 분석기를 포함하되, 상기 시편은 부식 반응부 및 전극 연결부로 구획되며, 상기 부식 반응부 및 전극 연결부를 제외한 전면에 액상실리콘이 코팅된 것;을 특징으로 하는 부식 측정 장치
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 용액은 화학기계적연마(Chemical Mechanical Polishing) 또는 전기화학적기계적연마(Electro Chemical Mechanical Polishing)용 용액인 것을 특징으로 하는 부식 측정 장치
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 시편은 구리층이 형성된 실리콘 기판, 티타늄층이 형성된 실리콘 기판 및 구리-티타늄 패턴이 형성된 실리콘 기판 순서로 교차 장착되는 것을 특징으로 하는 부식 측정 장치
5 5
삭제
6 6
(a) 3개의 실리콘 기판 상부에 각각 구리층, 티타늄층 및 구리-티타늄 패턴이 형성된 제 1 시편, 제 2 시편 및 제 3 시편을 마련하는 단계; (b) 제1항에 기재된 부식 측정 장치의 용액에 구연산을 첨가하고, 작업 전극에 상기 (a) 단계의 제 1 시편, 제 2 시편 및 제 3 시편 순서로 교차 장착하면서 상기 구연산의 농도에 따른 상기 각 시편의 개회로 전위 및 부식 정도를 각각 측정하는 제 1 측정 단계; (c) 제1항에 기재된 부식 측정 장치의 용액에 Triton X-100을 첨가하고, 작업 전극에 상기 (a) 단계의 제 1 시편, 제 2 시편 및 제 3 시편을 순서로 교차 장착하면서 상기 Triton X-100의 농도에 따른 상기 각 시편의 개회로 전위 및 부식 정도를 측정하는 제 2 측정 단계; 및 (d) 상기 제 1 측정 단계의 결과 및 상기 제 2 측정 단계의 결과를 비교 분석하여 화학적 부식(Chemical Corrosion) 및 갈바닉 부식(Galvanic Corrosion)을 측정하는 단계를 포함하는 부식 측정 방법
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 제 3 시편의 구리-티타늄 패턴은 라인타입의 구리패턴 양측벽에 티타늄 배리어층이 형성된 형태로 이루어지며, 상기 구리패턴 및 티타늄 배리어층을 포함하는 총 선폭은 10㎛의 크기로 형성하는 것을 특징으로 하는 부식 측정 방법
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 구리-티타늄 패턴의 전극 연결부에는 은(Ag) 전극층을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 부식 측정 방법
9 9
제 6 항에 있어서, 상기 구연산의 농도는 상기 용액 총 중량의 0
10 10
제 6 항에 있어서, 상기 Triton X-100의 농도는 1CMC(Critical Micelle Concentration) 미만 구간, 1 ~ 2 CMC 구간 및 2 CMC 초과 구간을 설정하여 각각 측정하는 것을 특징으로 하는 부식 측정 방법
11 11
제1항의 부식 측정 장치에 사용되는 시편으로서, 실리콘 기판 상부에 형성되는 금속층 또는 금속 패턴을 포함하며, 상기 금속층 또는 상기 금속 패턴을 노출시키되, 노출된 영역이 부식 반응부 및 전극 연결부로 각각 구획되도록 상기 실리콘 기판 전면에 코팅된 액상실리콘을 포함하는 부식 측정 장치용 작업 전극 시편
12 12
제 11 항에 있어서, 상기 금속층 또는 금속 패턴은 구리 또는 티타늄으로 형성되는 것을 특징으로 하는 부식 측정 장치용 작업 전극 시편
13 13
제 11 항에 있어서, 상기 전극 연결부의 금속층 또는 금속 패턴 상부에는 은(Ag) 전극층이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 부식 측정 장치용 작업 전극 시편
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.