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1
투명기판;
상기 투명기판 상에 형성되며 양(+)전원이 전달되는 제1전극;
상기 제1전극 상에 형성되며 일정한 빛을 발광하는 유기발광층;
상기 유기발광층 상에 형성되며 음(-)전원이 전달되는 제2전극;
상기 제2전극 상에 형성된 캡핑층; 및
상기 캡핑층 상에 형성된 보호층을 포함하되,
상기 캡핑층 및 보호층은 일면 또는 양면에 나노 패턴을 형성하고 있는 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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2
제 1항에 있어서,
상기 캡핑층의 일면에 형성된 나노 패턴은 나노 패턴 몰드에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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3
제 1항에 있어서,
상기 캡핑층의 일면에 형성된 나노 패턴 상에 보호층이 일정한 높이로 적층되어 상기 보호층의 일면 또는 양면에 나노 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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4 |
4
제 1항에 있어서,
상기 나노 패턴은 나노급 크기인 복수개의 오목 또는 볼록 패턴이 반복적으로 배열된 패턴인 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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5
투명기판;
상기 투명기판 상에 형성되며 양(+)전원이 전달되는 제1전극;
상기 제1전극 상에 형성되며 일정한 빛을 발광하는 유기발광층;
상기 유기발광층 상에 형성되며 음(-)전원이 전달되는 제2전극;
상기 제2전극 상에 형성된 캡핑층;
상기 캡핑층 상에 형성된 임프린트 수지;
상기 임프린트 수지 상에 형성된 보호층을 포함하되,
상기 임프린트 수지 및 보호층은 일면 또는 양면에 나노 패턴을 형성하고 있는 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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6
제5항에 있어서,
상기 임프린트 수지의 일면에 형성된 나노 패턴은 나노 패턴 몰드에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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7
제 5항에 있어서,
상기 임프린트 수지는 상기 캡핑층과 유사한 굴절률을 갖는 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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8
제 5항에 있어서,
상기 임프린트 수지의 일면에 형성된 나노 패턴 상에 보호층이 일정한 높이로 적층되어 상기 보호층의 일면 또는 양면에 나노 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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9
제 5항에 있어서,
상기 나노 패턴은 나노급 크기인 복수개의 오목 또는 볼록 패턴이 반복적으로 배열된 패턴인 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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10
유기발광소자 소자 제작을 위한 공정에 있어서,
(a) 제2전극 상에 캡핑층을 도포하는 단계;
(b) 상기 캡핑층이 경화되기 전에 나노 패턴 몰드를 적층하는 단계;
(c) 상기 캡핑층 상에 적층된 상기 나노 패턴 몰드에 압력을 가하는 단계;
(d) 상기 캡핑층을 경화시키는 단계;
(e) 상기 경화된 캡핑층으로부터 상기 나노 패턴 몰드를 제거하는 단계; 및
(f) 보호층을 형성하는 단계
를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자 제작 방법
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11
제 10항에 있어서,
상기 나노 패턴은 나노급 크기인 복수개의 오목 또는 볼록 패턴이 반복적으로 배열된 패턴인 것을 특징으로 하는 나노 패턴이 형성된 유기발광소자 제작 방법
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12 |
12
제 10항에 있어서,
상기 (f) 단계는 CVD(Chemical Vapor Deposition, 화학기상증착) 방법에 의하여 상기 보호층이 형성되는 것을 특징으로 하는 보호층 형성 방법
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13
유기발광소자 소자 제작을 위한 공정에 있어서,
(a) 제2전극 상에 캡핑층을 도포하는 단계;
(b) 상기 캡핑층 상에 임프린트 수지를 도포하는 단계;
(c) 상기 도포된 임프린트 수지 상에 나노 패턴 몰드를 적층하는 단계;
(d) 상기 임프린트 수지 상에 적층된 나노 패턴 몰드에 압력을 가하는 단계;
(e) 상기 임프린트 수지를 경화시키는 단계;
(f) 상기 나노 패턴 몰드를 제거하는 단계; 및
(g) 상기 보호층을 형성하는 단계
를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자 제작 방법
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14
제 12항에 있어서,
상기 임프린트 수지는 상기 캡핑층과 유사한 굴절률을 갖는 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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15
제 13항에 있어서,
상기 나노 패턴은 나노급 크기인 복수개의 오목 또는 볼록 패턴이 반복적으로 배열된 패턴인 것을 특징으로 하는 나노 패턴이 형성된 유기발광소자 제작 방법
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제 13항에 있어서,
상기 (e) 단계는 열 또는 자외선을 가하여 임프린트 수지를 경화하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자 제작 방법
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17
제 13항에 있어서,
상기 (g) 단계는 CVD 방법으로 상기 보호층이 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자 제작 방법
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