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유기발광소자 및 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015131862
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 유기발광소자 제작 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 유기발광소자는, 투명기판, 투명기판 상에 형성되며 양(+)전원이 전달되는 제1전극, 제1전극 상에 형성되며 일정한 빛을 발광하는 유기발광층, 유기발광층 상에 형성되며 음(-)전원이 전달되는 제2전극, 제2전극 상에 형성된 캡핑층 및 캡핑층 상에 형성된 보호층을 포함하되, 캡핑층 및 보호층은 일면 또는 양면에 나노 패턴을 형성하고 있는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의한 유기발광소자는 빛이 방출될 때, 각 계면에서의 빛의 반사를 억제할 수 있다는 이점이 있다. 유기발광소자, 나노 패턴, 보호층
Int. CL H01L 51/52 (2006.01) H05B 33/02 (2006.01)
CPC H01L 51/5281(2013.01) H01L 51/5281(2013.01) H01L 51/5281(2013.01)
출원번호/일자 1020090071010 (2009.07.31)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0013049 (2011.02.09) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.07.31)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이헌 대한민국 서울 서초구
2 한강수 대한민국 서울 도봉구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이지 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***(가산동, KCC웰츠밸리) ***-***

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.07.31 수리 (Accepted) 1-1-2009-0472982-16
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.01.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0058267-84
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.03.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0229492-60
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.03.29 무효 (Invalidation) 1-1-2011-0229511-40
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2011-0236671-01
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.03.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0236719-04
8 보정요구서
Request for Amendment
2011.04.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0029382-04
9 [지정기간단축]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Reduction of Designated Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2011.04.07 수리 (Accepted) 1-1-2011-0254646-81
10 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation
2011.04.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0032892-48
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2011.04.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0227654-60
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
투명기판; 상기 투명기판 상에 형성되며 양(+)전원이 전달되는 제1전극; 상기 제1전극 상에 형성되며 일정한 빛을 발광하는 유기발광층; 상기 유기발광층 상에 형성되며 음(-)전원이 전달되는 제2전극; 상기 제2전극 상에 형성된 캡핑층; 및 상기 캡핑층 상에 형성된 보호층을 포함하되, 상기 캡핑층 및 보호층은 일면 또는 양면에 나노 패턴을 형성하고 있는 것을 특징으로 하는 유기발광소자
2 2
제 1항에 있어서, 상기 캡핑층의 일면에 형성된 나노 패턴은 나노 패턴 몰드에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자
3 3
제 1항에 있어서, 상기 캡핑층의 일면에 형성된 나노 패턴 상에 보호층이 일정한 높이로 적층되어 상기 보호층의 일면 또는 양면에 나노 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자
4 4
제 1항에 있어서, 상기 나노 패턴은 나노급 크기인 복수개의 오목 또는 볼록 패턴이 반복적으로 배열된 패턴인 것을 특징으로 하는 유기발광소자
5 5
투명기판; 상기 투명기판 상에 형성되며 양(+)전원이 전달되는 제1전극; 상기 제1전극 상에 형성되며 일정한 빛을 발광하는 유기발광층; 상기 유기발광층 상에 형성되며 음(-)전원이 전달되는 제2전극; 상기 제2전극 상에 형성된 캡핑층; 상기 캡핑층 상에 형성된 임프린트 수지; 상기 임프린트 수지 상에 형성된 보호층을 포함하되, 상기 임프린트 수지 및 보호층은 일면 또는 양면에 나노 패턴을 형성하고 있는 것을 특징으로 하는 유기발광소자
6 6
제5항에 있어서, 상기 임프린트 수지의 일면에 형성된 나노 패턴은 나노 패턴 몰드에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자
7 7
제 5항에 있어서, 상기 임프린트 수지는 상기 캡핑층과 유사한 굴절률을 갖는 것을 특징으로 하는 유기발광소자
8 8
제 5항에 있어서, 상기 임프린트 수지의 일면에 형성된 나노 패턴 상에 보호층이 일정한 높이로 적층되어 상기 보호층의 일면 또는 양면에 나노 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자
9 9
제 5항에 있어서, 상기 나노 패턴은 나노급 크기인 복수개의 오목 또는 볼록 패턴이 반복적으로 배열된 패턴인 것을 특징으로 하는 유기발광소자
10 10
유기발광소자 소자 제작을 위한 공정에 있어서, (a) 제2전극 상에 캡핑층을 도포하는 단계; (b) 상기 캡핑층이 경화되기 전에 나노 패턴 몰드를 적층하는 단계; (c) 상기 캡핑층 상에 적층된 상기 나노 패턴 몰드에 압력을 가하는 단계; (d) 상기 캡핑층을 경화시키는 단계; (e) 상기 경화된 캡핑층으로부터 상기 나노 패턴 몰드를 제거하는 단계; 및 (f) 보호층을 형성하는 단계 를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자 제작 방법
11 11
제 10항에 있어서, 상기 나노 패턴은 나노급 크기인 복수개의 오목 또는 볼록 패턴이 반복적으로 배열된 패턴인 것을 특징으로 하는 나노 패턴이 형성된 유기발광소자 제작 방법
12 12
제 10항에 있어서, 상기 (f) 단계는 CVD(Chemical Vapor Deposition, 화학기상증착) 방법에 의하여 상기 보호층이 형성되는 것을 특징으로 하는 보호층 형성 방법
13 13
유기발광소자 소자 제작을 위한 공정에 있어서, (a) 제2전극 상에 캡핑층을 도포하는 단계; (b) 상기 캡핑층 상에 임프린트 수지를 도포하는 단계; (c) 상기 도포된 임프린트 수지 상에 나노 패턴 몰드를 적층하는 단계; (d) 상기 임프린트 수지 상에 적층된 나노 패턴 몰드에 압력을 가하는 단계; (e) 상기 임프린트 수지를 경화시키는 단계; (f) 상기 나노 패턴 몰드를 제거하는 단계; 및 (g) 상기 보호층을 형성하는 단계 를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자 제작 방법
14 14
제 12항에 있어서, 상기 임프린트 수지는 상기 캡핑층과 유사한 굴절률을 갖는 것을 특징으로 하는 유기발광소자
15 15
제 13항에 있어서, 상기 나노 패턴은 나노급 크기인 복수개의 오목 또는 볼록 패턴이 반복적으로 배열된 패턴인 것을 특징으로 하는 나노 패턴이 형성된 유기발광소자 제작 방법
16 16
제 13항에 있어서, 상기 (e) 단계는 열 또는 자외선을 가하여 임프린트 수지를 경화하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자 제작 방법
17 17
제 13항에 있어서, 상기 (g) 단계는 CVD 방법으로 상기 보호층이 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자 제작 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국산업기술재단 고려대학교 산학협력단 전략기술인력양성사업 고효율 초박형 저가 태양광 소자기술 인력양성 사업