맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

유기발광 트랜지스터 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2018009863
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기발광 트랜지스터 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 유기발광 트랜지스터는 기판(10), 기판(10)의 상면에 형성된 절연층(20), 펜타센(pentancene) 화합물을 포함하고, 절연층(20) 상에 형성된 정공수송층(30); 및 4-(다이시안노메틸렌)-2-메틸린-6-(피-다이메틸라미노스트릴1)-4에이치-피란(4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-(p-dimethylaminostyryl)-4H-pyran, DCM)이 도핑된 트리스 (8-하이드로퀴놀린) 알리미늄(tris(8-hydroxyquinoline) aluminum, Alq3)을 포함하고, 정공수송층(30) 상에 형성된 발광층(40)을 포함한다.
Int. CL C09K 11/06 (2006.01.01) H01L 51/52 (2006.01.01) H01L 51/50 (2006.01.01) H01L 51/56 (2006.01.01) H01L 51/00 (2006.01.01)
CPC C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01)
출원번호/일자 1020170001379 (2017.01.04)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0080553 (2018.07.12) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.01.04)
심사청구항수 9

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 최종호 대한민국 서울특별시 성북구
2 김대규 대한민국 서울특별시 마포구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 정은열 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, ***호(정앤김특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.01.04 수리 (Accepted) 1-1-2017-0011554-19
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.06.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.08.09 수리 (Accepted) 9-1-2017-0026468-95
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.04.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0253607-31
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2018.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2018-0574545-47
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2018.07.12 수리 (Accepted) 1-1-2018-0686870-19
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2018.08.13 수리 (Accepted) 1-1-2018-0795655-33
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.09.12 수리 (Accepted) 1-1-2018-0907812-55
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.09.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0907811-10
10 등록결정서
Decision to grant		 2019.01.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0040276-16
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판의 상면에 형성된 절연층;펜타센(pentancene) 화합물을 포함하고, 상기 절연층 상에 형성된 정공수송층; 및4-(다이시안노메틸렌)-2-메틸린-6-(피-다이메틸라미노스트릴1)-4에이치-피란(4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-(p-dimethylaminostyryl)-4H-pyran, DCM)이 도핑된 트리스 (8-하이드로퀴놀린) 알리미늄(tris(8-hydroxyquinoline) aluminum, Alq3)을 포함하고, 상기 정공수송층 상에 형성된 발광층;을 포함하고,상기 발광층 상에 배치되고, 금(Au)으로 이루어진 정공주입전극; 및상기 발광층 상에, 상기 정공주입전극과 소정의 간격을 두고 서로 마주보도록 배치되는 전자주입전극;을 더 포함하며,상기 전자주입전극은 리튬(Li) 및 알루미늄(Al)의 합금이고,상기 DCM의 도핑 농도는 0
2 2
삭제
3 3
청구항 1에 있어서,상기 정공수송층의 두께는 490 ~ 510 Å인 유기발광 트랜지스터
4 4
청구항 1에 있어서,상기 발광층의 두께는 490 ~ 510 Å인 유기발광 트랜지스터
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
청구항 1에 있어서,상기 정공주입전극과 상기 전자주입전극 사이에 형성된 채널의 너비는 10 mm이고, 상기 채널의 길이는 200 ㎛인 유기발광 트랜지스터
9 9
A) 기판을 준비하는 단계;B) 상기 기판의 상면에, 절연층을 형성하는 단계;C) 클러스터 빔 증착 챔버 내부에 상기 기판을 삽입하는 단계;D) 제1 도가니 내부에 펜타센(pentancene) 화합물을 넣고 가열함으로써 증기화하여, 상기 클러스터 빔 증착 챔버 내부에 공급함으로써 상기 절연층 상에 정공수송층을 증착하는 단계;E) 제2 도가니 내부에 트리스 (8-하이드로퀴놀린) 알리미늄(tris(8-hydroxyquinoline) aluminum, Alq3) 화합물을 넣고, 제3 도가니 내부에 4-(다이시안노메틸렌)-2-메틸린-6-(피-다이메틸라미노스트릴1)-4에이치-피란(4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-(p-dimethylaminostyryl)-4H-pyran, DCM) 화합물을 넣은 후에, 각각을 가열함으로써 증기화하여, 상기 클러스터 빔 증착 챔버 내부에 각각을 공급함으로써 상기 정공수송층 상에 발광층을 증착하는 단계; 및F) 상기 발광층 상에, 정공주입전극, 및 전자주입전극을 각각 형성하는 단계;를 포함하고,상기 정공주입전극은 금(Au)을 증착하며,상기 전자주입전극은 리튬(Li) 및 알루미늄(Al)의 합금을 증착하여 형성하고,상기 DCM의 도핑 농도는 0
10 10
삭제
11 11
청구항 9에 있어서,상기 제1 도가니의 온도는 220 ~ 250℃이고, 상기 제2 도가니의 온도는 330 ~ 350℃인 유기발광 트랜지스터의 제조방법
12 12
청구항 9에 있어서,상기 정공수송층의 증착속도는 0
13 13
청구항 9에 있어서,상기 제1 도가니, 제2 도가니, 및 제3 도가니 각각은 증기화된 화합물을 상기 클러스터 빔 증착 챔버 내부로 공급하는 노즐을 구비하고, 상기 노즐의 직경은 0
14 14
청구항 9에 있어서,상기 제1 도가니, 제2 도가니, 및 제3 도가니 각각은 전압인가방식에 의해 가열되고, 상기 제1 도가니에는 6 ~ 8 V의 전압을, 상기 제2 도가니 및 제3 도가니에는 10 ~ 12 V의 전압을 각각 인가하는 유기발광 트랜지스터의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육부 고려대학교 산학협력단 (이공)중점연구소지원 [이지바로]π-전자 제어를 통한 신기능성 분자체연구
2 미래창조과학부 고려대학교 산학협력단 (이공)중견연구자지원_핵심연구 [이지바로][3차년도]방향족 과도화학종의 반응성과 응용성에 관한 연구