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태양전지의 실리콘 표면 텍스쳐링 방법

  • 기술번호 : KST2015132452
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실리콘 태양전지의 광 포획량을 증가시키기 위한 실리콘 표면 텍스쳐링 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 실리콘 표면 텍스쳐링 방법은 템플릿 방식 또는 나노스피어 리소그래피 방식을 적용하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 방법은 다결정 실리콘 태양전지의 제조 과정 중에도 적용 가능하며, 실리콘 표면에서의 전반사를 줄여 태양전지의 발열문제를 해결하고 광포획량을 증가시켜 태양전지의 효율 증가를 기대할 수 있다.태양전지, 실리콘, 텍스쳐링, 나노스피어 리소그래피
Int. CL H01L 31/0236 (2014.01) H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/02363(2013.01) H01L 31/02363(2013.01)
출원번호/일자 1020070036925 (2007.04.16)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0855682-0000 (2008.08.26)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080903) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.04.16)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이헌 대한민국 서울 노원구
2 한강수 대한민국 서울 도봉구
3 김종우 대한민국 서울 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김한 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.04.16 수리 (Accepted) 1-1-2007-0287837-39
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.01.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.02.13 수리 (Accepted) 9-1-2008-0006371-96
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0095755-72
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.03.10 수리 (Accepted) 1-1-2008-0173930-27
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.03.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0173933-64
8 등록결정서
Decision to grant		 2008.05.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0278812-79
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
태양전지의 실리콘을 텍스쳐링 하는 방법에 있어서,템플릿을 제작하는 단계; 상기 템플릿을 마스크로 하여 상기 실리콘을 식각하는 단계; 및상기 템플릿을 제거하는 단계를 포함하며,상기 템플릿을 제작하는 단계는,복수개의 볼록부가 형성된 몰드를 준비하는 단계;상기 몰드 상에 템플릿 멜트를 퇴적하여 경화시키는 단계;상기 몰드를 제거하여 상기 복수개의 볼록부에 대응하는 복수개의 홀이 형성된 템플릿을 얻는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 실리콘은 단결정 실리콘, 다결정 실리콘 또는 비정질 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 탬플릿은 PDMS(polydimethylsiloxane)를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서,상기 템플릿을 제작하는 단계는 상기 템플릿 상에 보호층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
6 6
제5항에 있어서,상기 보호층은 크롬, 철과 같은 금속, 금속 산화물, 금속 질화물과 같은 금속 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
7 7
제1항에 있어서,상기 실리콘을 식각하는 방법은 반응성 이온 식각법을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
8 8
제1항 내지 제3항, 제5항 내지 제7항 중 어느 한 항의 방법으로 텍스쳐링된 실리콘을 포함하는 태양전지
9 9
태양전지의 실리콘 기판을 텍스쳐링 하는 방법에 있어서,실리콘 상에 나노스피어(nanosphere)를 배치하는 제1 단계;상기 나노스피어를 식각하는 제2 단계; 상기 나노스피어를 증착 마스크로 하여 상기 실리콘 상에 금속층을 형성하는 제3 단계; 상기 나노스피어를 제거하는 제4 단계; 및상기 금속층을 식각 마스크로 하여 상기 실리콘을 식각하는 제5 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
10 10
제9항에 있어서,상기 제1 단계에서 상기 나노스피어가 분산된 용액을 스핀 코팅하여 상기 나노스피어를 상기 실리콘 상에 배치하는 것을 특징으로 하는 방법
11 11
제9항에 있어서,상기 제2 단계에서 상기 나노스피어를 식각하는 방법은 O2 또는 CF4 가스를 이용하는 반응성 이온 식각법을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
12 12
제11항에 있어서,상기 제2 단계에서 상기 나노스피어의 직경은 200 내지 400nm로 조절되는 것을 특징으로 하는 방법
13 13
제9항에 있어서,상기 제3 단계에서 상기 금속층은 Cr을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
14 14
제9항에 있어서,상기 제4 단계에서 상기 나노스피어를 제거하는 방법은 화학 식각법을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
15 15
제9항에 있어서,상기 제5 단계에서 상기 실리콘을 식각하는 방법은 플루오린 계열의 가스를 이용하는 반응성 이온 식각법을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
16 16
제15항에 있어서,상기 제5 단계에서 상기 플루오린 계열의 가스에 식각 마스크의 역할을 하는 상기 금속층을 식각할 수 있는 가스를 첨가하여 상기 실리콘을 식각하는 것을 특징으로 하는 방법
17 17
제16항에 있어서,상기 실리콘의 식각 패턴은 테이퍼형인 것을 특징으로 하는 방법
18 18
제9항 내지 제17항 중 어느 한 항의 방법으로 텍스쳐링된 실리콘을 포함하는 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.