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더미 나노 패턴을 구비한 나노 임프린트용 스탬프 및 이를이용한 나노 임프린팅 방법

  • 기술번호 : KST2015132479
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 표면에 나노 패턴과 마이크로 패턴이 혼재된 나노 임프린트용 스탬프에 있어서, 상기 마이크로 패턴에 대응되는 영역의 고분자 레지스트의 이동거리를 줄이도록 상기 마이크로 패턴 내에 더미 나노 패턴이 부가된, 나노 임프린트용 스탬프를 제공한다. 나노 임프린팅, 스탬프
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) G03F 7/20 (2011.01) H01L 21/027 (2011.01)
CPC G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01)
출원번호/일자 1020070115242 (2007.11.13)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0912598-0000 (2009.08.11)
공개번호/일자 10-2009-0049141 (2009.05.18) 문서열기
공고번호/일자 (20090819) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.11.13)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이헌 대한민국 서울 노원구
2 양기연 대한민국 서울 동작구
3 홍성훈 대한민국 대전 유성구
4 변경재 대한민국 서울 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.11.13 수리 (Accepted) 1-1-2007-0811589-14
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.10.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.11.11 수리 (Accepted) 9-1-2008-0072002-45
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0138684-16
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.05.21 수리 (Accepted) 1-1-2009-0305187-52
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.05.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0305186-17
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
9 등록결정서
Decision to grant		 2009.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0318576-50
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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표면에 나노 패턴 형성 영역과 마이크로 패턴 형성 영역을 갖는 나노 임프린트용 스탬프에 있어서, 기판 상의 고분자 레지스트에 상기 스탬프의 패턴을 전사할 때, 상기 나노 패턴 형성 영역과 상기 마이크로 패턴 형성 영역 간의 레지스트의 이동거리 편차를 줄이도록, 상기 마이크로 패턴 형성 영역 내에 삼각, 사각, 또는 육각 형상의 오목 또는 볼록 패턴이 매트릭스 형상으로 반복 배열된 구조의 더미 나노 패턴을 포함한 것을 특징으로 하는 나노 임프린트용 스탬프
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기판 상에 고분자 레지스트를 도포하는 단계; 상기 고분자 레지스트에 외부 에너지를 가한 상태에서 나노 패턴 형성 영역과 마이크로 패턴 형성 영역을 포함하는 스탬프로 상기 고분자 레지스트를 가압함으로써, 상기 스탬프의 패턴을 상기 고분자 레지스트에 전사하는 단계; 및 상기 외부 에너지를 제거한 상태에서 상기 스탬프를 상기 고분자 레지스트로부터 분리하는 단계를 포함하고, 상기 스탬프는 상기 마이크로 패턴 형성 영역 내에 삼각, 사각, 또는 육각 형상의 오목 또는 볼록 패턴이 매트릭스 형상으로 반복 배열된 구조의 더미 나노 패턴을 포함하여, 상기 전사 단계에서 상기 나노 패턴 형성 영역과 상기 마이크로 패턴 형성 영역 간의 상기 고분자 레지스트의 이동거리 편차를 감소시키는 것을 특징으로 하는 나노 임프린팅 방법
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.