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n형 산화물 반도체 나노선 위에 불연속적인 p형 산화물 반도체 나노섬(nano islands)을 형성한 가스 감응 물질을 포함하는 가스 센서
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제1항에 있어서, 상기 n형 산화물 반도체 나노선은 ZnO, SnO2, In2O3, WO3, Fe2O3, TiO2 및 이들의 혼합물 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 가스 센서
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제1항에 있어서, 상기 p형 산화물 반도체 나노섬은 Co3O4, CoO, NiO, Ni2O3, MnO2, Mn3O4, CuO, Cr2O3, Bi2O3 및 이들의 혼합물 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 가스 센서
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n형 산화물 반도체 나노선 위에 불연속적인 p형 산화물 반도체 나노섬을 형성한 가스 감응 물질을 전극이 형성된 기판 위에 형성하는 단계를 포함하는 가스 센서 제조 방법
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제4항에 있어서, 상기 가스 감응 물질을 전극이 형성된 기판 위에 형성하는 단계는,n형 산화물 반도체 나노선을 합성하는 단계;상기 n형 산화물 반도체 나노선 위에 불연속적인 p형 산화물 반도체 나노섬을 증착하는 단계; 및상기 p형 산화물 반도체 나노섬이 증착된 n형 산화물 반도체 나노선을 용액 중에 분산한 다음 상기 전극이 형성된 기판 위에 도포하는 단계를 포함하는 가스 센서 제조 방법
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제5항에 있어서, 상기 n형 산화물 반도체 나노선 위에 불연속적인 p형 산화물 반도체 나노섬을 증착하는 단계는,상기 n형 산화물 반도체 나노선과 p형 산화물 반도체 전구체를 가열하여 열 증착반응에 의해 불연속적인 형태의 p형 산화물 반도체를 상기 n형 산화물 반도체 나노선 위에 증착하는 것을 특징으로 하는 가스 센서 제조 방법
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제4항에 있어서, 상기 가스 감응 물질을 전극이 형성된 기판 위에 형성하는 단계는,전극이 형성된 기판 위에 n형 산화물 반도체 나노선을 직접 형성하는 단계; 및상기 n형 산화물 반도체 나노선 위에 불연속적인 p형 산화물 반도체 나노섬을 증착하는 단계를 포함하는 가스 센서 제조 방법
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