| 1 |
1
(ⅰ) 백금층, 은 및 실리콘 산화막으로 적층된 기준전극 윈도우; 백금층 작업전극 윈도우; 및 백금층 및 실리콘 산화막으로 적층된 대향전극 윈도우;를 유리 기판 위에 형성하는 단계;(ⅱ) 전사용 탄소나노튜브 필름을 상기 3개의 윈도우가 형성된 유리 기판에 코팅하는 단계;(ⅲ) 백금층 및 은/염화은 박막으로 적층된 기준 전극; 백금층 및 활성화된 탄소나노튜브로 적층된 작업전극; 및 백금층의 대향전극;을 유리기판에 형성하는 단계;를 포함하고,상기 (ⅰ) 단계는,(a) 유리 기판 위에 기준전극, 대향전극, 작업전극을 형성하고자 하는 부분에 리프트-오프 공정을 통하여 3 개의 백금층을 증착한 후 패터닝하는 단계;(b) 상기 기준전극 형성 백금층을 제외한 기판 전체에 감광막을 코팅한 후, 그 위에 리프트-오프 공정을 통하여 은을 증착하여 패터닝하고 감광막을 제거하는 단계;(c) 기판 전체에 실리콘옥사이드 산화막과 상기 산화막 위에 실리콘 질화막을 연속적으로 증착시키고, 상기 3 개의 백금층을 제외한 기판 전체에 감광막을 코팅하고 반응성 이온 식각으로 실리콘 질화막을 식각하는 단계; 및(d) 작업전극 부분을 제외한 2개의 백금층에 감광막을 추가 코팅하고, 산화물 식각제(BOE)에 침전시켜 실리콘 산화막을 식각한 후, 감광막을 제거하는 단계;를 포함하여 기준적극 윈도우, 백금층 작업전극 윈도우 및 대향전극 윈도우를 유리 기판 위에 형성하는 것을 특징으로 하고,상기 (ⅲ) 단계는,(e) 상기 작업전극 윈도우 위의 탄소나노튜브에는 감광제를 사용하여 보호층을 형성하고, 나머지 부분의 탄소나노튜브는 산소 플라즈마 처리에 의해서 식각한 후 감광제를 제거하는 단계;(f) 작업전극 윈도우의 탄소나노튜브를 플라즈마 처리에 의해서 활성화시켜서 백금층 및 활성화된 탄소나노튜브로 적층된 작업전극을 형성하는 단계;(g) 기준전극 윈도우 및 대향전극 윈도우 위의 실리콘 산화막을 산화물식각제로 식각하여 백금층의 대향전극을 형성하는 단계; 및(h) 기판 전체를 염산 용액에 침지시켜 상기 기준전극 윈도우의 은 표면에 염화은을 형성하여 백금층 및 은/염화은(Ag/AgCl)박막으로 적층된 기준전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유리기판에 집적화된 탄소나노튜브 기반 3전극 제조방법
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 (ⅱ) 단계의 전사용 탄소나노튜브 필름은 탄소나노튜브를 디클로로벤젠에 분산시키고 원심분리한 후, 상청액을 여과지로 분리시켜 건조하여 제조하는 것을 특징으로 하는 유리기판에 집적화된 탄소나노튜브 기반 3전극 제조방법
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서,상기 (f) 단계는 작업전극 윈도우 위의 탄소나노튜브를 20-30 W에서 20-30 초간 산소 플라즈마 처리하여 탄소나노튜브를 활성화시키는 것을 특징으로 하는 유리기판에 집적화된 탄소나노튜브 기반 3전극 제조방법
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서,상기 (h) 단계는 기판 전체를 염산 용액에 10-90 초간 침지시켜 상기 기준전극 윈도우의 은 표면에 염화은을 형성하는 것을 특징으로 하는 유리기판에 집적화된 탄소나노튜브 기반 3전극 제조방법
|
| 5 |
5
제 1 항 내지 제 4 항에 따른 제조방법에 의해서 제조된 유리기판에 집적화된 탄소나노튜브 기반 3전극
|
| 6 |
6
유리 기판;상기 유리 기판상에 백금층 및 은/염화은 박막으로 적층된 기준 전극;상기 유리 기판상에 백금층 및 활성화된 탄소나노튜브로 적층된 작업전극; 및상기 유리 기판상에 백금층의 대향전극;을 포함하고,상기 대향전극의 크기는 3
|
| 7 |
7
제 6 항에 있어서,상기 유리기판에 집적화된 탄소나노튜브 기반 3전극은 상기 대향전극, 기준전극 및 작업전극 각각과 외부측정회로를 접속하는 단자 패드를 더 포함하고, 상기 각 패드의 크기는 5
|
| 8 |
8
제 6 항에 있어서,상기 유리기판에 집적화된 탄소나노튜브 기반 3전극은 작업전극, 기준전극, 대향전극 및 패드를 제외한 기판 영역은 실리콘 질화막으로 코팅되어 있는 것을 특징으로 하는 유리기판에 집적화된 탄소나노튜브 기반 3전극
|
| 9 |
9
제 6 항에 따른 유리기판에 집적화된 탄소나노튜브 기반 3전극을 포함하는 전기화학 바이오센서
|
| 10 |
10
제 9 항에 있어서,상기 센서의 검출 표적 물질이 레지오넬라 균인 것을 특징으로 하는 전기화학 바이오 센서
|
