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결정성 에폭시 수지;페놀계 에폭시 수지 경화제; 및 상기 결정성 에폭시 수지 100 중량부 당 합량으로 30 중량부 내지 50 중량부 포함되는 에폭시화 실리콘 화합물 및 부타디엔 아크릴로니트릴 공중합체를 포함하고,상기 에폭시화 실리콘 화합물 및 부타디엔 아크릴로니트릴 공중합체의 합량 범위 내에서,상기 에폭시화 실리콘 화합물은 상기 결정성 에폭시 수지 100 중량부 당 6 중량부 내지 30 중량부 포함되고,상기 부타디엔 아크릴로니트릴 공중합체는 상기 결정성 에폭시 수지 100 중량부 당 40 중량부 내지 10 중량부 포함되고,무기 충전재가 배제된 다이 어태치 접착제
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제1항에 있어서,상기 결정성 에폭시 수지는바이페닐형 에폭시 수지(biphenyl type epoxy resin) 또는 하이드로퀴논(hydroquinone)의 글리시딜에테르(glycidyl ether)화물 중 어느 하나를 포함하는 다이 어태치 접착제
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제1항에 있어서,상기 페놀계 에폭시 수지 경화제는 상기 결정성 에폭시 수지 100 중량부 당 80 중량부 내지 120 중량부 포함되는 다이 어태치 접착제
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제3항에 있어서,상기 페놀계 에폭시 수지 경화제는 상기 결정성 에폭시 수지 100 중량부 당 92 중량부 내지 110 중량부 포함되는 다이 어태치 접착제
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제1항에 있어서, 상기 경화제에 의한 경화를 촉진하는 경화촉진제가 더 첨가된 다이 어태치 접착제
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제12항에 있어서, 상기 경화촉진제는 상기 결정성 에폭시 수지 100 중량부 당 많아야 3 중량부 첨가된 다이 어태치 접착제
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제1항에 있어서, 상기 결정성 에폭시 수지, 상기 페놀계 에폭시 수지 경화제, 상기 에폭시화 실리콘 화합물 및 상기 부타디엔 아크릴로니트릴 공중합체의 전체 100 중량부 당 0
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제1반도체 칩; 상기 제1반도체 칩 상에 적층된 제2반도체 칩; 및상기 제1반도체 칩 및 상기 제2반도체 칩을 접착하는 다이 어태치 접착제이고, 상기 다이 어태치 접착제는결정성 에폭시 수지,페놀계 에폭시 수지 경화제, 및 상기 결정성 에폭시 수지 100 중량부 당 합량으로 30 중량부 내지 50 중량부 포함되는 에폭시화 실리콘 화합물 및 부타디엔 아크릴로니트릴 공중합체를 포함하고,상기 에폭시화 실리콘 화합물 및 부타디엔 아크릴로니트릴 공중합체의 합량 범위 내에서,상기 에폭시화 실리콘 화합물은 상기 결정성 에폭시 수지 100 중량부 당 6 중량부 내지 30 중량부 포함되고,상기 부타디엔 아크릴로니트릴 공중합체는 상기 결정성 에폭시 수지 100 중량부 당 40 중량부 내지 10 중량부 포함되고,상기 다이 어태치 접착제는 무기 충전재를 배제한 반도체 장치
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반도체 칩; 상기 반도체 칩이 실장된 기판; 및상기 반도체 칩 및 상기 기판을 접착하는 다이 어태치 접착제이고, 상기 다이 어태치 접착제는결정성 에폭시 수지,페놀계 에폭시 수지 경화제, 및 상기 결정성 에폭시 수지 100 중량부 당 합량으로 30 중량부 내지 50 중량부 포함되는 에폭시화 실리콘 화합물 및 부타디엔 아크릴로니트릴 공중합체를 포함하고,상기 에폭시화 실리콘 화합물 및 부타디엔 아크릴로니트릴 공중합체의 합량 범위 내에서,상기 에폭시화 실리콘 화합물은 상기 결정성 에폭시 수지 100 중량부 당 6 중량부 내지 30 중량부 포함되고,상기 부타디엔 아크릴로니트릴 공중합체는 상기 결정성 에폭시 수지 100 중량부 당 40 중량부 내지 10 중량부 포함되고,상기 다이 어태치 접착제는 무기 충전재를 배제한 반도체 장치
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제17항에 있어서,상기 다이 어태치 접착제는상기 반도체 칩 및 상기 기판을 접착하게 도입된 후,상기 다이 어태치 접착제의 유리전이온도(Tg) 보다 0℃ 내지 30℃ 높은 온도에서 전경화(precure)되고,상기 유리전이온도(Tg) 보다 30℃ 내지 50℃ 높은 온도에서 후경화된 반도체 장치
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