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투명 전극 형성 방법 및 이를 이용하여 제조된 반도체 장치

  • 기술번호 : KST2015133129
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 투명 전극 형성 방법 및 이를 이용하여 투명 전극이 형성된 반도체 장치를 공개한다. 본 발명은 인가되는 전계에 의해서 저항상태가 고저항 상태에서 저저항 상태로 변화되는 투명 재질의 물질로 투명 전극을 형성하고, 투명 전극에 전압을 인가하여 투명 전극의 저항상태를 저저항 상태로 변화시키는 포밍(forming) 공정을 수행하여 투명 전극이 전도성을 갖도록 함으로써, 투명 전극의 하부 또는 상부에 형성되는 반도체층과 양호한 오믹 특성을 나타내면서도, 가시광 영역뿐만 아니라 단파장의 자외선 영역의 빛에 대해서도 높은 투과도를 나타내는 투명 전극을 형성할 수 있다.
Int. CL H01L 33/42 (2014.01) H01L 33/36 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020120050932 (2012.05.14)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1321353-0000 (2013.10.17)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20131023) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.05.14)
심사청구항수 24

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태근 대한민국 경기 성남시 분당구
2 김희동 대한민국 서울 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인주원 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(논현동, 건설회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.05.14 수리 (Accepted) 1-1-2012-0383484-18
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.12.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.01.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0002159-92
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.03.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0173402-41
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.05.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0425425-33
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.05.14 수리 (Accepted) 1-1-2013-0425423-42
7 등록결정서
Decision to grant		 2013.07.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0495062-84
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체층; 및상기 반도체층에 일면이 접촉하고, 인가되는 전계에 의해서 저항상태가 고저항 상태에서 저저항 상태로 변화된 투명 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 투명 전극이 상기 반도체층과 접촉하는 일면의 반대면에 금속으로 형성된 금속 전극 패드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 투명 전극은 포밍 공정이 수행되어 내부에 전도성 필라멘트가 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 장치
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 투명 전극은 고유한 임계 전압 이상의 전압이 인가되어 포밍(forming)되면 전도성을 나타내는, 투명 재질의 절연물질로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 장치
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 투명 전극은 상기 반도체층과 오믹 접촉되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치
6 6
제 1 항에 있어서,상기 반도체층은 n형 또는 p형으로 도핑된 것을 특징으로 하는 반도체 장치
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 투명 전극은 투명한 Oxide 계열의 물질, 투명한 Nitride 계열의 물질, 투명한 폴리며 계열의 물질, 및 투명한 나노 물질들 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 투명 전극의 상기 반도체층과 접촉하는 면의 반대면에 형성된 CNT층 또는 그래핀층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 투명 전극과 상기 반도체층 사이에 형성된 CNT층 또는 그래핀층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치
10 10
(a) 인가되는 전계에 의해서 저항상태가 고저항 상태에서 저저항 상태로 변화되는 투명 재질의 물질로 투명 전극을 형성하는 단계; 및(b) 상기 투명 전극에 전압을 인가하여 상기 투명 전극의 저항상태를 저저항 상태로 변화시키는 포밍(forming) 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 전극 형성 방법
11 11
제 10 항에 있어서, 상기 (a) 단계에서, 상기 투명 전극은 반도체층 위에 형성되는 것을 특징으로 하는 투명 전극 형성 방법
12 12
제 11 항에 있어서, (c) 포밍이 수행된 상기 투명 전극위에 CNT층 또는 그래핀층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 전극 형성 방법
13 13
제 10 항에 있어서,상기 (a) 단계에서, 상기 투명 전극은 반도체층 위에 형성된 CNT층 또는 그래핀층 위에 형성되는 것을 특징으로 하는 투명 전극 형성 방법
14 14
제 10 항에 있어서, (d) 포밍이 수행된 상기 투명 전극 위에 반도체층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 전극 형성 방법
15 15
제 10 항에 있어서,(e) 포밍이 수행된 상기 투명 전극 위에 CNT층 또는 그래핀층을 형성하고, 상기 CNT층 또는 그래핀층 위에 반도체층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 전극 형성 방법
16 16
제 10 항에 있어서,상기 (a) 단계에서, 상기 투명 전극은 CNT층 또는 그래핀층 위에 형성되는 것을 특징으로 하는 투명 전극 형성 방법
17 17
제 10 항에 있어서,(f) 상기 투명 전극 위에 금속 전극 패드를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 전극 형성 방법
18 18
제 10 항에 있어서, 상기 (b) 단계에서상기 투명 전극은 포밍이 수행되는 절연물질 내부에 전도성 필라멘트가 형성되는 것을 특징으로 하는 투명 전극 형성 방법
19 19
제 10 항에 있어서, 상기 투명 전극은 고유한 임계 전압 이상의 전압이 인가되어 포밍(forming)되면 전도성을 나타내는, 투명 재질의 절연물질로 형성된 것을 특징으로 하는 투명 전극 형성 방법
20 20
제 10 항에 있어서, 상기 투명 전극은 반도체층과 오믹 접촉되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 투명 전극 형성 방법
21 21
제 20 항에 있어서,상기 반도체층은 n형 또는 p형으로 도핑된 것을 특징으로 하는 투명 전극 형성 방법
22 22
제 10 항에 있어서, 상기 (b) 단계는상기 투명 전극 위에 금속 전극을 형성하고, 상기 금속 전극에 상기 투명 전극의 고유한 임계 전압 이상의 전압을 인가하여 포밍을 수행하는 것을 특징으로 하는 투명 전극 형성 방법
23 23
제 10 항에 있어서, 상기 (b) 단계는(b1) 상기 투명 전극 위에 포토레지스트를 형성하는 단계(b2) 상기 포토레지스트 위에 한 쌍의 전극에 대응되는 패턴을 형성하는 단계;(b3) 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 한 쌍의 전극을 형성하는 단계; 및(b4) 상기 포토레지스트 패턴을 제거하고, 상기 한 쌍의 전극에 상기 투명 전극의 고유한 임계 전압 이상의 전압을 인가하여 포밍을 수행하는 것을 특징으로 하는 투명 전극 형성 방법
24 24
제 10 항에 있어서, 상기 투명 전극은 투명한 Oxide 계열의 물질, 투명한 Nitride 계열의 물질, 투명한 폴리며 계열의 물질, 및 투명한 나노 물질들 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 투명 전극 형성 방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP02851967 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 EP02851967 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 JP06096285 JP 일본 FAMILY
4 JP27525463 JP 일본 FAMILY
5 US09391240 US 미국 FAMILY
6 US20150137367 US 미국 FAMILY
7 WO2013172511 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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1 EP2851967 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
2 EP2851967 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
3 EP2851967 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 JP2015525463 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 JP6096285 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 US2015137367 US 미국 DOCDBFAMILY
7 US9391240 US 미국 DOCDBFAMILY
8 WO2013172511 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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