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투명 전극 및 투명 전극 형성 방법

기술번호 : KST2015133136
담당센터 : 서울동부기술혁신센터
전화번호 : 02-2155-3662

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 투명 전극 및 투명 전극 형성 방법을 공개한다. 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 투명 전극은, 투명 전극이 형성될 반도체층과 오믹 접촉이 이루어지면서도 전도성이 높은 제 1 전극을 반도체층 위에 패턴으로 형성하고, 패턴으로 형성된 제 1 전극들 사이를 가시광 영역뿐만 아니라 자외선 영역까지의 빛의 투과도가 높은 제 2 전극으로 채움으로써, 반도체층과 오믹 특성이 양호하면서도 자외선 영역을 포함한 빛의 투과도가 우수한 투명 전극을 제공할 수 있다. 또한, 본 발명의 다른 일시예에 따른 투명 전극은 반도체층 위에 전도성과 투과도가 우수한 CNT(Carbon Nano Tube) 또는 그래핀(graphene) 등으로 형성되는 전류 확산층을 박막으로 형성하고, 그 위에 상술한 제 1 전극 및 제 2 전극을 형성함으로써, 양호한 오믹 특성 및 우수한 빛의 투과도 특성 이외에도, 양호한 전류 확산 효과를 더 나타낼 수 있다.
Int. CL	H01L 33/42 (2014.01)
CPC
출원번호/일자	1020120055854 (2012.05.25)
출원인	고려대학교 산학협력단
등록번호/일자	10-1311772-0000 (2013.09.13)
공개번호/일자
공고번호/일자	(20131014) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2012.05.25)
심사청구항수	9

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	고려대학교 산학협력단	대한민국	서울특별시 성북구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	김태근	대한민국	경기 성남시 분당구
2	윤민주	대한민국	충북 청주시 상당구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인주원	대한민국	서울특별시 강남구 언주로 **, 층(논현동, 건설회관)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	고려대학교 산학협력단		서울특별시 성북구

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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2012.05.25	수리 (Accepted)	1-1-2012-0419787-14
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2013.01.10	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2013.02.08	수리 (Accepted)	9-1-2013-0010145-96
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2013.03.21	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0189104-69
5	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)	2013.05.21	수리 (Accepted)	1-1-2013-0446599-05
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2013.06.17	수리 (Accepted)	1-1-2013-0537604-58
7	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2013.06.17	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2013-0537605-04
8	등록결정서 Decision to grant	2013.08.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0600076-54
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.02.11	수리 (Accepted)	4-1-2014-5018243-16
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.04.22	수리 (Accepted)	4-1-2014-5049934-62
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.10.10	수리 (Accepted)	4-1-2019-5210941-09

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 반도체층 위에 CNT(Carbon Nano Tube) 또는 그래핀(graphene)으로 형성된 전류 확산층; 상기 전류 확산층 위에 일정한 패턴으로 형성되는 제 1 전극; 및상기 제 1 전극들 사이를 채우도록 상기 제 1 전극과 동일한 높이로 형성되는 제 2 전극을 포함하고,상기 제 1 전극은 상기 제 2 전극보다 전기 전도도가 높고, 상기 제 2 전극은 상기 제 1 전극보다 빛의 투과도가 높은 것을 특징으로 하는 투명 전극
2	2 반도체층 위에 일정한 패턴으로 형성되는 제 1 전극;상기 반도체층과 상기 제 1 전극의 표면에 CNT(Carbon Nano Tube) 또는 그래핀(graphene)으로 형성된 전류 확산층; 및 상기 전류 확산층과 접촉하면서 상기 제 1 전극들 사이를 채우도록 상기 제 1 전극위에 형성된 전류 확산층과 동일한 높이로 형성되는 제 2 전극을 포함하고,상기 제 1 전극은 상기 제 2 전극보다 전기 전도도가 높고, 상기 제 2 전극은 상기 제 1 전극보다 빛의 투과도가 높은 것을 특징으로 하는 투명 전극
3	3 삭제
4	4 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 제 1 전극은 복수의 전도성 막대가 일정한 간격으로 배치된 패턴으로 형성된 것을 특징으로 하는 투명 전극
5	5 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 제 1 전극은 격자 패턴으로 형성된 것을 특징으로 하는 투명 전극
6	6 삭제
7	7 삭제
8	8 삭제
9	9 삭제
10	10 삭제
11	11 제 1 항 또는 제 2 항의 투명 전극을 포함하는 반도체 장치
12	12 (a) 반도체층 위에 CNT(Carbon Nano Tube) 또는 그래핀(graphene)으로 형성된 전류 확산층을 형성하는 단계;(b) 상기 전류 확산층 위에 일정한 패턴으로 제 1 전극을 형성하는 단계; 및(b) 상기 제 1 전극들 사이를 채우도록 상기 제 1 전극과 동일한 높이로 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제 1 전극은 상기 제 2 전극보다 전기 전도도가 높고, 상기 제 2 전극은 상기 제 1 전극보다 빛의 투과도가 높은 것을 특징으로 하는 투명 전극 형성 방법
13	13 (a) 반도체층 위에 일정한 패턴으로 제 1 전극을 형성하는 단계;(b) 상기 반도체층과 상기 제 1 전극의 표면에 CNT(Carbon Nano Tube) 또는 그래핀(graphene)으로 전류 확산층을 형성하는 단계; 및 (c) 상기 전류 확산층과 접촉하면서 상기 제 1 전극들 사이를 채우도록 상기 제 1 전극위에 형성된 전류 확산층과 동일한 높이로 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제 1 전극은 상기 제 2 전극보다 전기 전도도가 높고, 상기 제 2 전극은 상기 제 1 전극보다 빛의 투과도가 높은 것을 특징으로 하는 투명 전극 형성 방법
14	14 삭제
15	15 제 13 항에 있어서, 상기 제 1 전극은 복수의 전도성 막대가 일정한 간격으로 배치된 패턴으로 형성되는 것을 특징으로 하는 투명 전극 형성 방법
16	16 제 13 항에 있어서, 상기 제 1 전극은 격자 패턴으로 형성되는 것을 특징으로 하는 투명 전극 형성 방법
17	17 삭제
18	18 삭제
19	19 삭제
20	20 삭제
21	21 삭제

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US20150162500	US	미국	FAMILY
2	WO2013176484	WO	세계지적재산권기구(WIPO)	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US2015162500	US	미국	DOCDBFAMILY
2	WO2013176484	WO	세계지적재산권기구(WIPO)	DOCDBFAMILY

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특허 등록번호	10-1311772-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20120525 출원 번호 : 1020120055854 공고 연월일 : 20131014 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20130829 청구범위의 항수 : 9 유별 : H01L 33/42 발명의 명칭 : 투명 전극 및 투명 전극 형성 방법 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

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순위번호	사항
1	(권리자) 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구...

등록료란

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제 1 - 3 년분	금 액	198,000 원	2013년 09월 13일	납입
제 4 년분	금 액	166,600 원	2016년 06월 15일	납입
제 5 년분	금 액	166,600 원	2017년 07월 07일	납입
제 6 년분	금 액	119,000 원	2018년 07월 23일	납입
제 7 년분	금 액	221,000 원	2019년 08월 08일	납입
제 8 년분	금 액	221,000 원	2020년 07월 27일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2012.05.25	수리 (Accepted)	1-1-2012-0419787-14
2	선행기술조사의뢰서	2013.01.10	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2013.02.08	수리 (Accepted)	9-1-2013-0010145-96
4	의견제출통지서	2013.03.21	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0189104-69
5	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서	2013.05.21	수리 (Accepted)	1-1-2013-0446599-05
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2013.06.17	수리 (Accepted)	1-1-2013-0537604-58
7	[명세서등 보정]보정서	2013.06.17	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2013-0537605-04
8	등록결정서	2013.08.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0600076-54
9	출원인정보변경(경정)신고서	2014.02.11	수리 (Accepted)	4-1-2014-5018243-16
10	출원인정보변경(경정)신고서	2014.04.22	수리 (Accepted)	4-1-2014-5049934-62
11	출원인정보변경(경정)신고서	2019.10.10	수리 (Accepted)	4-1-2019-5210941-09


과제고유번호	1711001308
세부과제번호	2011-0028769
연구과제명	나노 광학 기반의 고효율 LED 기술
성과구분	등록
부처명	미래창조과학부
연구관리전문기관명
연구주관기관명
성과제출연도	2013
연구기간	201109~201608
기여율	1
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	IT(정보기술)


과제고유번호	1345173164
세부과제번호	2011-0028769
연구과제명	나노 광학 기반의 고효율 LED 기술
성과구분	출원
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	한국연구재단
연구주관기관명	고려대학교
성과제출연도	2012
연구기간	201109~201608
기여율	1
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	IT(정보기술)

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