맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

나노박막의 전사 및 접착방법

  • 기술번호 : KST2015133419
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 2차원 형태의 나노박막을 원하는 기판에 단단하게 부착하는 방법에 관한 것이다. 특히 나노크기의 두께를 갖는 그래핀, MoS2, WS, h-BN, 탄소나노튜브 박막, 나노와이어 박막 등과 같은 매우 얇은 박막을 기판 위에서 기계적 압력 하에서 전기장을 통해 결합력을 향상시키는 것과 Cu에 성장한 그래핀을 다른 중간 매개체 없이 PET와 같은 고분자 기판위에 직접적으로 전사시켜 부착하는 방법으로서 적어도 한쪽은 부도체를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020130063821 (2013.06.04)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1505471-0000 (2015.03.18)
공개번호/일자 10-2014-0142455 (2014.12.12) 문서열기
공고번호/일자 (20150325) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.06.04)
심사청구항수 13

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한창수 대한민국 서울 노원구
2 정원석 대한민국 서울 금천구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.06.04 수리 (Accepted) 1-1-2013-0495320-12
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.12.24 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.02.11 수리 (Accepted) 9-1-2014-0012239-60
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0143585-74
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.04.01 수리 (Accepted) 1-1-2014-0312697-52
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.04.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0312705-30
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2014.08.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0555633-75
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.08.19 수리 (Accepted) 1-1-2014-0781785-49
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.08.19 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0781793-15
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.10.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0711086-15
13 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2014-1245775-99
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-1257492-09
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.12.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1257529-00
16 등록결정서
Decision to grant		 2015.02.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0128718-98
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 접착 기판의 일면과 박막의 일면을 접촉시키는 단계, (b) 상기 접착 기판과 상기 박막이 압착되도록 상기 접착 기판의 타면과 상기 박막의 타면에 압력을 가하는 단계, (c) 상기 접착 기판의 타면과 상기 박막의 타면에 전기장을 가하는 단계를 포함하는 기판과 박막의 접착방법으로서;① 상기 (b) 단계와 상기 (c) 단계는 동시에 수행될 수도 있고, ② 상기 (b) 단계에 따라 압력이 가해진 상태에서 상기 (c) 단계가 수행될 수도 있으며, 또는 ③ 상기 (c) 단계에 따라 전기장이 가해진 상태에서 상기 (b) 단계가 수행될 수도 있으며;상기 박막은 두께가 0
2 2
(a') 박막 성장 기판 위에 성장해 있는 박막을 접착 기판 위로 전사함으로써, 상기 접착 기판의 일면과 상기 박막의 일면을 접촉시키는 단계, (b) 상기 접착 기판과 상기 박막이 압착되도록 상기 접착 기판의 타면과 상기 박막의 타면에 압력을 가하는 단계, (c) 상기 접착 기판의 타면과 상기 박막의 타면에 전기장을 가하는 단계를 포함하는 기판과 박막의 접착방법으로서;① 상기 (b) 단계와 상기 (c) 단계는 동시에 수행될 수도 있고, ② 상기 (b) 단계에 따라 압력이 가해진 상태에서 상기 (c) 단계가 수행될 수도 있으며, 또는 ③ 상기 (c) 단계에 따라 전기장이 가해진 상태에서 상기 (b) 단계가 수행될 수도 있으며;상기 박막은 두께가 0
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 (c) 단계는 제1 평면 도전성 판과 제2 평면 도전성 판을 ① 상기 접착 기판과 상기 박막에 각각 접촉시키거나, 또는 ② 상기 접착 기판과 상기 박막 성장 기판에 각각 접촉시키고, 상기 제1 평면 도전성 판과 상기 제2 평면 도전성 판에 전압을 가함으로써 수행되며;상기 제1 평면 도전성 판과 상기 제2 평면 도전성 판은 서로 동일한 재질로 이루어지거나 또는 상이한 재질로 이루어질 수 있는 것을 특징으로 하는 기판과 박막의 접착방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 기판은 도체이며;상기 (c) 단계는 상기 제1 평면 도전성 판과 상기 제2 평면 도전성 판 사이에 부도체를 위치시키고, 상기 제1 평면 도전성 판과 상기 제2 평면 도전성 판에 상기 부도체의 절연 파괴 전압 이하의 전압을 가함으로써 수행되며;상기 부도체는 유리 계열 물질, 금속 옥사이드, 반도체 절연체, 고분자 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 기판과 박막의 접착방법
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 접촉시키는 단계, 상기 압력을 가하는 단계, 상기 전기장을 가하는 단계 중에서 선택된 1개 이상의 단계는 전기장과 압력 외 추가적인 조건 하에서 수행되고;상기 추가적인 조건은 특정 기체 분위기, 진공 상태, 온도 변화 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 기판과 박막의 접착방법
9 9
제3항에 있어서, 상기 도전성 판은 부착 방지를 위해 표면 처리된 것을 특징으로 하는 기판과 박막의 접착방법
10 10
제2항에 있어서, 상기 전사는 습식 전사 방식에 의해서 수행되고;상기 (c) 단계는 제1 평면 도전성 판과 제2 평면 도전성 판을 ① 상기 접착 기판과 상기 박막에 각각 접촉시키거나, 또는 ② 상기 접착 기판과 상기 박막 성장 기판에 각각 접촉시키고, 상기 제1 평면 도전성 판과 상기 제2 평면 도전성 판에 전압을 가함으로써 수행되며;상기 접착 기판은 (i) Si 기판의 표면에 SiO2 층이 형성된 SiO2/Si 기판, (ii) 고분자 기판, (iii) 유기 기판 중에서 선택되고;상기 박막은 그래핀이고; 상기 박막 성장 기판은 Cu 기판이며;상기 제1 도전성 판은 Cu 전극이고; 상기 제2 도전성 판은 Cu 전극과 평판의 이중층 판이고; 상기 Cu 전극과 상기 평판 중 상기 평판이 상기 박막과 접하는 쪽에 위치하며;상기 전압은 SiO2의 절연 파괴 전압 이하이고; 상기 접착 기판이 상기 고분자 기판인 경우에는 상기 (b) 단계 및 상기 (c) 단계 중 적어도 하나의 단계가 상기 고분자 기판의 유리 전이 온도 이상 및 상기 고분자 기판의 녹는점 이하의 온도에서 수행되고; 상기 접착 기판이 유기 기판인 경우에는 상기 (b) 단계 및 상기 (c) 단계 중 적어도 하나의 단계는 상기 접착 기판이 250-350 ℃의 온도로 유지된 상태에서 수행되는 것을 특징으로 하는 기판과 박막의 접착방법
11 11
(a'') 접착 기판의 일면과 박막 성장 기판의 양면 중 적어도 일면에 성장해 있는 박막을 접촉시키는 단계, (b'') 상기 접착 기판과 상기 박막이 압착되도록, 상기 접착 기판의 타면과 상기 박막 성장 기판의 양면 중 상기 접착 기판과 압착되는 상기 박막이 성장해 있는 면의 반대편인 타면에 압력을 가하는 단계, (c'') 상기 접착 기판의 타면과 상기 박막 성장 기판의 타면에 전기장을 가하는 단계를 포함하는 기판과 박막의 접착방법으로서;① 상기 (b'') 단계와 상기 (c'') 단계는 동시에 수행될 수도 있고, ② 상기 (b'') 단계에 따라 압력이 가해진 상태에서 상기 (c'') 단계가 수행될 수도 있으며, 또는 ③ 상기 (c'') 단계에 따라 전기장이 가해진 상태에서 상기 (b'') 단계가 수행될 수도 있으며;상기 박막은 두께가 0
12 12
제11항에 있어서, 상기 (c'') 단계는 제1 평면 도전성 판과 제2 평면 도전성 판을 ① 상기 접착 기판과 상기 박막에 각각 접촉시키거나, 또는 ② 상기 접착 기판과 상기 박막 성장 기판에 각각 접촉시키고, 상기 제1 평면 도전성 판과 상기 제2 평면 도전성 판에 전압을 가함으로써 수행되며;상기 제1 평면 도전성 판과 상기 제2 평면 도전성 판은 서로 동일한 재질로 이루어지거나 또는 상이한 재질로 이루어질 수 있는 것을 특징으로 하는 기판과 박막의 접착방법
13 13
제12항에 있어서, 상기 기판은 도체이며;상기 (c'') 단계는 상기 제1 평면 도전성 판과 상기 제2 평면 도전성 판 사이에 부도체를 위치시키고, 상기 제1 평면 도전성 판과 상기 제2 평면 도전성 판에 상기 부도체의 절연 파괴 전압 이하의 전압을 가함으로써 수행되며;상기 부도체는 유리 계열 물질, 금속 옥사이드, 반도체 절연체, 고분자 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 기판과 박막의 접착방법
14 14
제11항에 있어서, 상기 접착 기판은 유리 계열 물질, 고분자, 금속, 금속 옥사이드, 반도체, 반도체 절연체 중에서 선택된 1종 이상의 물질로 구성된 기판인 것을 특징으로 하는 기판과 박막의 접착방법
15 15
삭제
16 16
삭제
17 17
삭제
18 18
제12항에 있어서, 상기 제1 평면 도전성 판과 상기 제2 평면 도전성 판은 부착 방지를 위해 표면 처리된 것을 특징으로 하는 기판과 박막의 접착방법
19 19
제11항에 있어서, 상기 (c'') 단계는 제1 평면 도전성 판과 제2 평면 도전성 판을 ① 상기 접착 기판과 상기 박막에 각각 접촉시키거나, 또는 ② 상기 접착 기판과 상기 박막 성장 기판에 각각 접촉시키고, 상기 제1 평면 도전성 판과 상기 제2 평면 도전성 판에 전압을 가함으로써 수행되며;상기 접착 기판은 (i) Si 기판의 표면에 SiO2 층이 형성된 SiO2/Si 기판, (ii) 고분자 기판, (iii) 유리 기판 중에서 선택되고;상기 박막은 그래핀이고; 상기 박막 성장 기판은 Cu 기판이며;상기 제1 도전성 판은 Cu 전극이고; 상기 제2 도전성 판은 Cu 전극과 평판의 이중층 판이고; 상기 Cu 전극과 상기 평판 중 상기 평판이 상기 박막과 접하는 쪽에 위치하며;상기 접착 기판이 상기 SiO2/Si 기판인 경우에는 상기 전압은 SiO2의 절연 파괴 전압 이하이고; 상기 접착 기판이 상기 고분자 기판인 경우에는 상기 (b'') 단계 및 상기 (c'') 단계 중 적어도 하나의 단계가 상기 고분자 기판의 유리 전이 온도 이상 및 상기 고분자 기판의 녹는점 이하의 온도에서 수행되고; 상기 접착 기판이 유기 기판인 경우에는 상기 (b'') 단계 및 상기 (c'') 단계 중 적어도 하나의 단계는 상기 접착 기판이 250-350 ℃의 온도로 유지된 상태에서 수행되는 것을 특징으로 하는 기판과 박막의 접착방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2014196776 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2014196776 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국연구재단 고려대학교 산학협력단 (원천)글로벌프론티어 분자 조작 및 조립기반 공정기술