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카드뮴 소스와 마그네슘 소스를 용매인 파라핀오일과 계면활성제인 올레익산에 용해시켜 제1용액을 형성하고, 셀레늄(Se) 금속을 용매인 파라핀오일에 용해시켜 제2용액을 형성하는 단계; 상기 제2용액에 상기 제1용액을 첨가하거나, 상기 제1용액에 상기 제2 용액을 첨가해주어 마그네슘이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점을 생성시키는 단계; 상기 마그네슘이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점을 소정의 발광영역 파장과 띠간격을 가지도록 성장시키는 단계; 및 상기 성장된 마그네슘이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점을 세척해주는 단계를 포함하는 마그네슘이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 카드뮴 소스는 카드뮴옥사이드(CdO), 카드뮴아세테이트(Cd acetate), 이들의 혼합물 중 선택되는 것을 특징으로 하는 마그네슘이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 마그네슘 소스는 마그네슘아세테이트(Mn acetate)인 것을 특징으로 하는 마그네슘이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 제1용액의 제조에 사용되는 파라핀 오일과 올레익산의 부피비는 1:10 ~ 100:1인 것을 특징으로 하는 마그네슘이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 제1용액의 제조에 사용되는 파라핀 오일과 올레익산의 부피비는 10:1 인 것을 특징으로 하는 마그네슘이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 제1용액 내의 카드뮴 이온 : 마그네슘 이온의 몰비는 100:1 ~ 100:40 인 것을 특징으로 하는 마그네슘이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 제1용액의 카드뮴 이온 : 마그네슘 이온의 몰비는 100:20 인 것을 특징으로 하는 마그네슘이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 제1용액 내의 카드뮴 이온의 몰농도는 60~90 mM인 것을 특징으로 하는 마그네슘이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 제1용액 내의 마그네슘 이온의 몰농도는 10~30 mM인 것을 특징으로 하는 마그네슘이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 제2용액 내의 셀레늄 이온의 몰농도는 20~60 mM인 것을 특징으로 하는 마그네슘이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 제2용액 내의 셀레늄 이온의 농도는 40mM인 것을 특징으로 하는 마그네슘이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 제1용액은 160~180℃의 온도에서, 상기 제1용액 내부에 파라핀오일과 올레익산을 제외한 유기용매가 충분히 탈리될 때까지 수행되는 것을 특징으로 하는 마그네슘이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 제2용액의 제조는 200~240℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 마그네슘이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 제2용액의 제조는 220℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 마그네슘이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 마그네슘이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점의 성장 단계에 있어서, 상기 마그네슘이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점의 성장시간에 따른 마그네슘이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점의 성장률를 미리 실험적으로 데이터화 해놓고 이에 따라 필요한 시간만큼 성장시키는 방식으로 진행되는 것을 특징으로 하는 마그네슘이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 마그네슘이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점을 세척하는 단계에 있어서, 세척용액으로 메탄올과 톨루엔을 첨가해준 후 원심분리기를 이용하여 상기 마그네슘이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점의 세척을 수행되는 것을 특징으로 하는 마그네슘이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 마그네슘이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점에 있어서 마그네슘의 도핑율은 1~10 atomic% 인 것을 특징으로 하는 마그네슘이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 마그네슘이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점은 면심입방정(FCC) 섬아연광(Zinc Blende) 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 마그네슘이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 제조방법에 의해 제조된 마그네슘이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점은 동일크기의 카드뮴셀레나이드 양자점 보다 에너지 띠간격이 크고 발광 및 흡광 파장대가 그 도핑농도에 따라 단파장영역으로 10~100nm 이동되는 것을 특징으로 하는 마그네슘이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 마그네슘이 도핑된 카드뮴셀레나이드 분말은 6nm 내지 10nm의 구형파우더로 형성되는 것을 특징으로 하는 마그네슘이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점의 제조방법
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제 1항 내지 20항으로 제조되는 마그네슘이 도핑된 카드뮴셀레나이드 분말을 포함하는 것을 특징으로 하는 조영제
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제 1항 내지 20항으로 제조되는 마그네슘이 도핑된 카드뮴셀레나이드 분말을 포함하는 것을 특징으로 하는 광학반도체
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제 1항 내지 20항으로 제조되는 마그네슘이 도핑된 카드뮴셀레나이드 분말을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토 다이오드
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