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실리콘 기판의 표면에 라인/스페이스 패턴의 이온 주입 영역을 형성하되, 상기 실리콘 기판은 Si(111) 기판을 이용하고, 상기 라인/스페이스 패턴은 실리콘 결정의 [1-10] 방위와 평행한 방향으로 형성하며, 이온 주입 도즈량은 1E17 이온/㎠ 초과 5E18 이온/㎠ 이하로 조절하고, 30 ~ 50keV의 주입에너지로 상기 이온 주입 영역을 형성하는 단계;
상기 실리콘 기판 전면에 InxAlyGa1-x-yN층(0
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제 1 항에 있어서,
상기 이온 주입 영역에 주입되는 이온은 N, C, B, Be, Li, Mg, O, F, S, P, As, Sr, Te 및 이들의 화합물 중 선택된 어느 하나를 이용하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 형성 방법
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제 1 항에 있어서,
상기 이온 주입 영역은 상기 실리콘 기판의 표면에서부터 50nm ~ 1㎛의 깊이까지 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 형성 방법
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제 1 항에 있어서,
상기 이온 주입 영역은 상기 실리콘 기판의 표면에서부터 50nm ~ 200nm의 깊이까지 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 형성 방법
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제 1 항에 있어서,
상기 질화갈륨(GaN) 박막은 MOCVD(metalorganic chemical vapor deposition), MBE(molecular beam epitaxy), HVPE(hydride vapor phase epitaxy) 및 ALD(atomic layer deposition) 중 선택된 한 가지 방법을 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 형성 방법
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제 1 항에 있어서,
상기 질화갈륨(GaN) 박막의 XRD(X-ray Defractometry) 반폭치 값은 820 arcsec 이하가 되도록 성장시키는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 형성 방법
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제 1 항에 있어서,
상기 질화갈륨(GaN) 박막의 상부에는 하부 클래드층, 활성층 및 상부 클래드층을 순차적으로 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 형성 방법
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청구항 제 1 항에서 형성된 질화갈륨(GaN) 박막을 포함하는 질화물 반도체를 개별 소자로 절단하고 각각의 소자를 분리하여 제조한 칩;
상기 칩이 실장되는 리드 프레임;
상기 리드 프레임과 연결되는 캐소드;
상기 캐소드와 이격되어 구비되며, 금 와이어에 의해 상기 칩과 연결되는 애노드; 및
상기 칩, 리프 프레임 및 상기 금 와이어가 연결된 상기 애노드 상부를 보호하며 빛을 발산하는 렌즈 역할을 하는 에폭시를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드
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