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메시 구조의 전극층이 형성된 발광 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015134020
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 메시 구조로 형성된 전극층을 구비하는 발광 소자 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명은 반도체층 위에 메시 구조를 갖는 전극층을 형성함으로써 투과율이 향상되고, 접촉 저항이 감소됨으로써 전기적 특성이 양호한 발광 소자를 얻을 수 있는 효과가 나타난다. 또한, 본 발명은 반도체층(특히, P-GaN층) 위에 일함수가 높은 Ni, Pt, Pd, Rh 및 Ag 등을 사용하여 메시 구조를 갖는 전극층을 형성함으로써, 양호한 오믹콘택 특성을 확보할 수 있는 효과가 있을 뿐만 아니라, 이러한 소재는 종래기술에서 투명 전극층으로 많이 이용되는 ITO보다 가격이 저렴하여 발광소자의 제조 비용을 절감할 수 있는 효과가 있다. 또한, 본 발명은 메시 구조의 전극층 형성에 이용되는 기둥 모양의 패턴의 크기 및 간격을 조절함으로써 용이하게 메시 구조의 간격 및 전극열의 폭을 조절할 수 있으므로, 광 추출 효율과 전기적 특성을 고려하여 고효율의 발광 소자를 제작할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 33/38 (2014.01)
CPC H01L 33/38(2013.01) H01L 33/38(2013.01)
출원번호/일자 1020080050723 (2008.05.30)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0941136-0000 (2010.02.01)
공개번호/일자 10-2009-0124478 (2009.12.03) 문서열기
공고번호/일자 (20100209) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.05.30)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태근 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 김은홍 대한민국 경기도 의정부시 호
3 종위안 중국 서울시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이재광 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(논현동, 건설회관)(특허법인주원)
2 김정식 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(논현동, 건설회관)(특허법인주원)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2008-0388947-89
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.01.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.02.16 수리 (Accepted) 9-1-2009-0008862-83
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0320965-11
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.09.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0596750-05
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.09.29 수리 (Accepted) 1-1-2009-0596749-58
8 등록결정서
Decision to grant
2010.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0041101-93
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
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번호 청구항
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(a) 기판위에 광을 발생시키는 반도체층을 형성하는 단계; 및 (b) 상기 반도체층 위에 메시 구조로 전극층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 (b) 단계는 (b1) 상기 반도체층위에 기둥 모양의 정렬된 패턴을 형성하는 단계; (b2) 상기 기둥 모양의 패턴들의 사이 영역에 전극층 물질을 증착시켜 상기 메시 구조의 전극층을 형성하는 단계; 및 (b3) 상기 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 (b2) 단계는 상기 전극층 형성 물질을 방사하는 소오스에 대해서 상기 기판을 기울여 상기 전극층 형성 물질이 입사되는 각을 감소시킴으로써 상기 기둥 모양의 패턴들 사이 영역에 전극층 물질을 증착시키는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
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제 8 항에 있어서, 상기 (b2) 단계는 상기 소오스에 대해서 상기 기둥 모양 패턴들을 일렬로 정렬시켜 상기 기둥 모양의 패턴들 사이 영역에 전극층 물질을 증착시키는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 (b2) 단계는 상기 기둥 모양의 패턴들 사이 영역에 전극층 물질을 증착시켜 제 1 전극열을 형성하는 단계; 및 상기 제 1 전극열이 형성된 기판을 90도 회전시켜 상기 제 1 전극열과 직교되도록, 상기 기둥 모양의 패턴들 사이 영역에 전극층 물질을 증착시켜 제 1 전극열을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
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제 7 항에 있어서, 상기 기둥 모양의 패턴들 간의 간격을 조절하여 상기 메시 구조를 형성하는 전극열들의 선폭을 조정하고, 상기 기둥 모양 패턴의 크기를 조절하여 상기 메시 구조를 형성하는 전극열들간의 간격을 조절하는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
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제 7 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전극층은 Ni, Pt, Pd, Rh, 및 Ag 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
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국가 R&D 정보가 없습니다.