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태양전지의 반사방지막 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015134618
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 태양전지의 반사방지막 형성 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 태양전지의 반사방지막 형성 방법은 (a)태양전지의 수광부 표면에 절연체 조성물을 도포하는 단계; (b)모스아이 패턴(Moth-eye pattern)에 대응하는 반대패턴이 형성된 템플릿으로 상기 절연체 조성물을 압착한 상태에서 상기 절연체 조성물을 경화시켜, 상기 태양전지의 수광부 표면에 모스아이 패턴을 형성하는 단계; (c)상기 템플릿을 분리하는 단계; 및 (d)상기 태양전지의 수광부 표면에 형성된 모스아이 패턴을 어닐링(annealing)하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 태양전지의 반사방지막 형성 방법은 간단한 나노 임프린트 리소그래피 방법으로 태양전지의 표면에 모스아이 구조를 갖는 반사방지막을 형성할 수 있으며, 본 발명에 의해 제조된 반사방지막은 모스아이 패턴을 통하여 태양전지 표면에서의 빛의 반사를 감소시켜 광투과 효율을 높일 수 있는 장점이 있다.
Int. CL H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/02168(2013.01)
출원번호/일자 1020090022279 (2009.03.16)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0996751-0000 (2010.11.19)
공개번호/일자 10-2010-0104103 (2010.09.29) 문서열기
공고번호/일자 (20101125) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.03.16)
심사청구항수 25

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이헌 대한민국 서울특별시 서초구
2 한강수 대한민국 서울 도봉구
3 양기연 대한민국 서울 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 대아 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, 한양빌딩*층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.03.16 수리 (Accepted) 1-1-2009-0158136-29
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2009.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2009-0428703-18
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.04.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.05.19 수리 (Accepted) 9-1-2010-0031718-70
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
7 등록결정서
Decision to grant		 2010.11.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0518067-82
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
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번호 청구항
1 1
(a)태양전지의 수광부 표면에 절연체 조성물을 도포하는 단계; (b)모스아이 패턴(Moth-eye pattern)에 대응하는 반대패턴이 형성된 템플릿으로 상기 절연체 조성물을 압착한 상태에서 상기 절연체 조성물을 경화시켜, 상기 태양전지의 수광부 표면에 모스아이 패턴을 형성하는 단계; (c)상기 템플릿을 분리하는 단계; 및 (d)상기 태양전지의 수광부 표면에 형성된 모스아이 패턴을 어닐링(annealing)하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 반사방지막 형성 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 절연체 조성물은 절연체가 0
3 3
제2항에 있어서, 상기 용제는 에탄올, DMF(Dimethylforamide), 톨루엔 및 물 중에서 어느 하나 또는 이들이 혼합된 것을 특징으로 하는 태양전지의 반사방지막 형성 방법
4 4
제2항에 있어서, 상기 절연체는 질화실리콘(SiNx) 또는 TiO2인 것을 특징으로 하는 태양전지의 반사방지막 형성 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 절연체 조성물은 0
6 6
제1항에 있어서, 상기 (b)단계는 1~10atm 및 50~200℃의 분위기에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지의 반사방지막 형성 방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 (d)단계는 100~1000℃에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지의 반사방지막 형성 방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 템플릿은 고분자(Polymer) 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 태양전지의 반사방지막 형성 방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 템플릿은 폴리카보네이트(PC), 폴리디메틸아크릴레이트(PUA), 에틸렌비닐아세테이트(EVA), 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리올레핀, 폴리염화비닐(PVC), 폴리 메틸 메타크릴레이트, 폴리 메틸 아크릴레이트, 폴리스티렌, 니트로셀룰로오스, 아세틸셀룰로오스, 폴레에틸렌 테레프탈레이트, ABS 수지, 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리 에테르 술폰, 폴리비닐 아세탈, 폴리 에테르 케톤, 폴리우레탄, 폴리디메틸실록산(PDMS) 및 h-PDMS 중에서 적어도 하나의 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 태양전지의 반사방지막 형성 방법
10 10
제1항에 있어서, 상기 모스아이(Moth-eye) 패턴은 100~500nm의 패턴 폭으로 형성된 것을 특징으로 하는 태양전지의 반사방지막 형성 방법
11 11
제1항에 있어서, 상기 템플릿의 표면에는 이형층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 태양전지의 반사방지막 형성 방법
12 12
제11항에 있어서, 상기 이형층은 상기 템플릿 표면에 5~20nm의 두께로 형성되는 실리콘 옥사이드 계열 물질층; 및 상기 실리콘 옥사이드 계열 물질층 상에 액상 또는 기상의 SAM(Self Assembled Monolayer) 코팅으로 형성되는 이형물질층을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 반사방지막 형성 방법
13 13
제12항에 있어서, 상기 이형물질층은 (heptadecafluoro-1,1,2,2-tetra-hydrodecyl)trichlorosilane 또는 Cl3Si(C2H4)C8F17 으로 이루어진 것을 특징으로 하는 태양전지의 반사방지막 형성 방법
14 14
제1항에 있어서, 상기 태양전지의 수광부는 단결정 실리콘, 다결정 실리콘, 또는 비정질 실리콘으로 이루어진 것을 특징으로 하는 태양전지의 반사방지막 형성 방법
15 15
제14항에 있어서, 상기 태양전지의 수광부 표면은 평탄하게 형성되어 있거나 또는 역 피라미드 패턴으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 태양전지의 반사방지막 형성 방법
16 16
제1항에 있어서, 상기 템플릿은 모스아이 패턴이 형성된 마스터 템플릿으로 고분자 시트를 핫 엠보싱(hot embossing)하여 제조된 것을 특징으로 하는 태양전지의 반사방지막 형성 방법
17 17
제16항에 있어서, 상기 핫 엠보싱은 상기 고분자 시트의 유리전이온도(Tg)보다 높은 온도에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지의 반사방지막 형성 방법
18 18
제16항에 있어서, 상기 고분자 시트는 폴리카보네이트(PC), 폴리디메틸아크릴레이트(PUA), 에틸렌비닐아세테이트(EVA), 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리올레핀, 폴리염화비닐(PVC), 폴리 메틸 메타크릴레이트, 폴리 메틸 아크릴레이트, 폴리스티렌, 니트로셀룰로오스, 아세틸셀룰로오스, 폴레에틸렌 테레프탈레이트, ABS 수지, 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리 에테르 술폰, 폴리비닐 아세탈, 폴리 에테르 케톤 및 폴리우레탄 중에서 적어도 하나의 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 태양전지의 반사방지막 형성 방법
19 19
제1항에 있어서, 상기 템플릿은 모스아이 패턴이 형성된 마스터 템플릿 상에 실록산 계열 물질이 포함된 조성물을 도포하고, 열을 가하여 상기 실록산 계열 물질을 포함하는 조성물을 경화시켜 제조된 것을 특징으로 하는 태양전지의 반사방지막 형성 방법
20 20
제19항에 있어서, 상기 실록산 계열 물질이 포함된 조성물은 실록산 계열 물질이 0
21 21
제20항에 있어서, 상기 용제는 에탄올, DMF(Dimethylforamide), 톨루엔 및 물 중에서 어느 하나 또는 이들이 혼합된 것을 특징으로 하는 태양전지의 반사방지막 형성 방법
22 22
제20항에 있어서, 상기 실록산 계열 물질은 폴리디메틸실록산(PDMS) 또는 h-PDMS인 것을 특징으로 하는 태양전지의 반사방지막 형성 방법
23 23
제16항 내지 제22항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 마스터 템플릿은 SiC, SiO2, Si3N4, Al2O3, MgO, Si 및 Ni 중에서 어느 하나의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 태양전지의 반사방지막 형성 방법
24 24
제16항 내지 제22항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 마스터 템플릿의 표면에는 이형물질로서 그라파이트(Graphite)가 코팅되어 있는 것을 특징으로 하는 태양전지의 반사방지막 형성 방법
25 25
제1항 내지 제22항 중 어느 하나의 항에 기재된 방법으로 형성된 반사방지막을 포함하는 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 에너지관리공단 고려대학교 산학협력단 신재생에너지기술개발사업 유연 폴리머 기판을 사용한 유-무기 복합 태양전지의 제작