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마이크로 반응기 제조방법

기술번호 : KST2015134622
담당센터 : 서울동부기술혁신센터
전화번호 : 02-2155-3662

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 복수개의 미세유로가 형성된 실리콘 기판과 상기 미세유로를 덮는 상부기판의 이중층으로 구성된 제 1 마이크로 반응기 위에 실리콘 박막을 증착하는 제 1단계, 상기 증착된 실리콘 박막 위에 실리콘 에칭물질을 도포하는 제 2단계, 및 상기 제 1 마이크로반응기 위에 복수개의 미세유로가 형성된 실리콘 기판과 상기 미세유로를 덮는 상부기판의 이중층으로 구성된 제 2 마이크로 반응기를 적층하는 제 3단계를 포함하는 적층된 마이크로 반응기 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 본 발명에서 제조된 마이크로 반응기는 상온에서 적층을 실시할 수 있으므로 반응기 내에 담지된 촉매의 활성에 영향을 주지 않으면서 그 반응 용량을 효과적으로 늘릴 수 있다. 따라서 본 발명을 점차 소형화 되어 가는 마이크로 반응기의 제조기법에 효과적으로 적용시킬 수 있다. 마이크로 반응기, 미세유로, 실리콘, 실리콘 박막, 파이렉스, 수산화칼륨
Int. CL	B81C 1/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자	1020070099923 (2007.10.04)
출원인	고려대학교 산학협력단
등록번호/일자	10-0909895-0000 (2009.07.22)
공개번호/일자	10-2009-0034601 (2009.04.08) 문서열기
공고번호/일자	(20090730) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2007.10.04)
심사청구항수	8

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	고려대학교 산학협력단	대한민국	서울특별시 성북구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	이관영	대한민국	서울시 영등포구
2	김재정	대한민국	서울 관악구
3	권오중	대한민국	충남 천안시
4	안상현	대한민국	서울 서대문구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	윤여강	대한민국	경기도 수원시 영통구 광교산로 *- (이의동) 경기대학교 창업보육센터 ***호(여강특허기술사업화전문회사)
2	이문섭	대한민국	서울특별시 관악구 남부순환로 **, *호 제니스국제특허법률사무소 (봉천동, 청동빌딩)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	에스케이이노베이션 주식회사		서울특별시 종로구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2007.10.04	수리 (Accepted)	1-1-2007-0713973-67
2	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2008.03.05	수리 (Accepted)	4-1-2008-5034712-96
3	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2008.07.07	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
4	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2008.08.12	수리 (Accepted)	9-1-2008-0052844-03
5	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2009.01.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2009-0026447-53
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2009.03.20	수리 (Accepted)	1-1-2009-0168557-16
7	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2009.06.09	수리 (Accepted)	4-1-2009-5111177-32
8	등록결정서 Decision to grant	2009.07.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2009-0302171-54
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2010.08.12	수리 (Accepted)	4-1-2010-5149278-93
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.02.11	수리 (Accepted)	4-1-2014-5018243-16
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.04.22	수리 (Accepted)	4-1-2014-5049934-62
12	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.10.10	수리 (Accepted)	4-1-2019-5210941-09

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 복수개의 미세유로가 형성된 하부기판과 상기 미세유로를 덮는 상부기판의 이중층으로 구성된 제 1 마이크로 반응기 위에 실리콘 박막을 증착하는 제 1단계, 상기 증착된 실리콘 박막 위에 실리콘 에칭물질을 도포하는 제 2단계, 및 상기 제 1 마이크로반응기 위에 복수개의 미세유로가 형성된 실리콘 기판과 상기 미세유로를 덮는 상부기판의 이중층으로 구성된 제 2 마이크로 반응기를 적층하는 제 3단계를 포함하는 적층된 마이크로 반응기 제조방법
2	2 제 1항에 있어서, 상기 제 1단계에서 마이크로 반응기의 미세유로 내에 촉매를 담지하는 것을 특징으로 하는 마이크로 반응기 제조방법
3	3 제 2항에 있어서, 상기 촉매는 채우기-건조(fill and dry coating)법, 물리적 기상 증착법, 화학적 기상 증착법, 양극 산화법, 충전법, 졸겔법, 딥코팅법 또는 워시코팅법을 사용하여 담지시키는 것을 특징으로 하는 마이크로 반응기 제조방법
4	4 제 1항에 있어서, 상기 하부기판과 상부기판은 파이렉스 유리, 알루미늄, 세라믹, 스테인리스 스틸 및 고분자(polymer)로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 마이크로 반응기의 제조방법
5	5 제 1항에 있어서, 상기 실리콘 박막은 10-300 nm인 것을 특징으로 하는 마이크로 반응기의 제조방법
6	6 제 1항에 있어서, 상기 실리콘 박막 에칭물질은 수산화칼륨 (KOH), 수산화세슘 (CsOH), 수산화암모늄 (NH4OH), 히드라진 (Hydrazine), EDP (Ethylendiamine pyrocatechol) 및 TMAH (tetramethyl ammonium hydroxide)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 마이크로 반응기의 제조방법
7	7 제 1항에 있어서, 상기 1단계에서 물리 기상 증착법 또는 화학 기상 증착법을 사용하여 실리콘 박막을 증착하는 것을 특징으로 하는 마이크로 반응기의 제조방법
8	8 제 1항에 있어서, 상기 3단계에서 마이크로 반응기의 적층 조건은 KOH의 농도 10 중량% 내지 50 중량%, 온도 10-40℃, 압력 0

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	서울특별시	고려대학교 산학협력단	전략산업 혁신 클러스터 육성 지원산업	고밀도 지역의 주거 및 상업용 신재생에너지 기술개발

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데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-0909895-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20071004 출원 번호 : 1020070099923 공고 연월일 : 20090730 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20090720 청구범위의 항수 : 8 유별 : B81C 1/00 발명의 명칭 : 마이크로 반응기 제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20150723

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 고려대학교 산학협력단 서울 성북구...
2	(권리자) 에스케이이노베이션 주식회사 서울특별시 종로구...
2	(의무자) 고려대학교 산학협력단 서울 성북구...

등록료란

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제 1 - 3 년분	금 액	178,500 원	2009년 07월 23일	납입
제 4 년분	금 액	216,000 원	2012년 06월 12일	납입
제 5 년분	금 액	216,000 원	2013년 05월 20일	납입
제 6 년분	금 액	216,000 원	2014년 06월 03일	납입

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2007.10.04	수리 (Accepted)	1-1-2007-0713973-67
2	출원인정보변경(경정)신고서	2008.03.05	수리 (Accepted)	4-1-2008-5034712-96
3	선행기술조사의뢰서	2008.07.07	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
4	선행기술조사보고서	2008.08.12	수리 (Accepted)	9-1-2008-0052844-03
5	의견제출통지서	2009.01.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2009-0026447-53
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2009.03.20	수리 (Accepted)	1-1-2009-0168557-16
7	출원인정보변경(경정)신고서	2009.06.09	수리 (Accepted)	4-1-2009-5111177-32
8	등록결정서	2009.07.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2009-0302171-54
9	출원인정보변경(경정)신고서	2010.08.12	수리 (Accepted)	4-1-2010-5149278-93
10	출원인정보변경(경정)신고서	2014.02.11	수리 (Accepted)	4-1-2014-5018243-16
11	출원인정보변경(경정)신고서	2014.04.22	수리 (Accepted)	4-1-2014-5049934-62
12	출원인정보변경(경정)신고서	2019.10.10	수리 (Accepted)	4-1-2019-5210941-09


과제고유번호	1350000630
세부과제번호	mostR11-2002-102-00000-0
연구과제명	에너지변환/저장연구센터
성과구분	출원
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	한국과학재단
연구주관기관명	서울대학교
성과제출연도	2004
연구기간	200207~201102
기여율	1
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	NT(나노기술)


과제고유번호	1345101779
세부과제번호	2002-0037326
연구과제명	고분자연료전지핵심원천기술개발
성과구분	등록
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	한국연구재단
연구주관기관명	고려대학교
성과제출연도	2009
연구기간	200207~201102
기여율	1
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	ET(환경기술)

특허성과

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