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염료감응형 태양전지 및 염료감응형 태양전지의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015135185
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 태양전지는 투명 전극, 반도체막, 형광체 층, 전해질층 및 반대전극을 포함한다. 반도체막은 투명 전극 상에 형성되고 염료가 코팅되어 있다. 형광체 층은 반도체막 상의 제1면에 형성되어 입사된 광의 파장을 변환시키고 산란시켜 반도체 막으로 입사된 광을 재입사시키며 평균 직경은 500nm보다 크고 2000nm이하이다. 전해질층은 제1면을 마주보는 반도체막의 제2면 상에 형성된다. 전해질층 상에 반대전극이 형성된다.
Int. CL H01G 9/20 (2006.01.01)
CPC H01G 9/2059(2013.01) H01G 9/2059(2013.01) H01G 9/2059(2013.01)
출원번호/일자 1020090050780 (2009.06.09)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1088122-0000 (2011.11.23)
공개번호/일자 10-2010-0132127 (2010.12.17) 문서열기
공고번호/일자 (20111202) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.06.09)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임동균 대한민국 서울특별시 관악구
2 이상욱 대한민국 서울특별시 양천구
3 조인선 대한민국 서울특별시 관악구
4 김동회 대한민국 경기도 성남시 수정구
5 안재설 대한민국 서울특별시 관악구
6 김동욱 대한민국 서울특별시 관악구
7 정현석 대한민국 서울특별시 송파구
8 홍국선 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박영우 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***, *층 **세기특허법률사무소 (역삼동, 세일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.06.09 수리 (Accepted) 1-1-2009-0346752-44
2 보정요구서
Request for Amendment
2009.06.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0041348-85
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2009.07.22 수리 (Accepted) 1-1-2009-0445851-11
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2009.08.24 수리 (Accepted) 1-1-2009-0514555-08
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.12.15 수리 (Accepted) 9-1-2010-0075576-03
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.02.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0094443-57
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.03.22 수리 (Accepted) 1-1-2011-0209363-10
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.03.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0209367-03
10 등록결정서
Decision to grant
2011.08.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0477007-92
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
투명 전극; 상기 투명 전극 상에 형성되고 염료가 코팅된 반도체막; 상기 반도체막 상의 제1면에 형성되어 입사된 광의 파장을 변환시키고 산란시켜 상기 반도체막으로 입사된 광을 재입사시키며 평균 직경 500nm보다 크고 2000nm이하의 형광체 층; 상기 제1면을 마주보는 상기 반도체막의 제2면 상에 형성된 전해질층; 및 상기 전해질층 상에 형성된 반대전극을 포함하는 염료감응형 태양전지
2 2
제1항에 있어서, 상기 형광체는 투명 전극을 통해 투과할 수 있는 320nm 이상의 여기 파장을 갖고 400nm 이상 900nm이하의 발광 파장을 가지는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지
3 3
투명 기판에 반도체막을 형성하는 단계; 상기 반도체막 표면에 염료를 흡착하는 단계; 상기 염료가 흡착된 반도체막의 제1면에 입사된 광의 파장을 변환시키고 산란시켜 상기 반도체막으로 입사된 광을 재입사시키는 평균 직경이 500nm보다 크고 2000nm이하의 형광체 층을 형성시키는 단계; 상기 제1면과 마주보는 제2면에 반대 전극을 형성하는 단계; 상기 반대 전극 및 제2면 사이에 전해질을 주입하는 단계를 포함하는 염료감응형 태양전지의 제조 방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 형광체는 투명 전극을 통해 투과할 수 있는 320nm 이상의 여기 파장을 가지며, 400nm 이상 700nm이하의 발광 파장을 가지는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.