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태양전지 및 그 제조 방법
- 기술번호 : KST2015135472
- 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-2155-3662
| 요약 | 본원은 탄소구조체층; 상기 탄소구조체층 상에 형성되어 있는 미세 구조물; 및 상기 미세 구조물을 덮어 형성되며, 전하분리접합부를 포함하는 박막층: 을 포함하는, 태양전지 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 31/04 (2014.01.01) |
| CPC | |
| 출원번호/일자 | 1020100103911 (2010.10.25) |
| 출원인 | 서울대학교산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1100414-0000 (2011.12.22) |
| 공개번호/일자 | |
| 공고번호/일자 | (20111230) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2010.10.25) |
| 심사청구항수 | 22 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 서울대학교산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 이규철 | 대한민국 | 서울특별시 송파구 |
| 2 | 허재혁 | 대한민국 | 제주특별자치도 서귀포시 |
| 3 | 김용진 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 홍장원 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 *, *층(역삼동, 삼흥역삼빌딩)(특허법인 하나) |
| 2 | 안상희 | 대한민국 | 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고) |
| 3 | 남준욱 | 대한민국 | 경기도 성남시 분당구 대왕판교로***, A동 ***호(삼평동, 유스페이스*)(특허법인지담) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 서울대학교산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2010.10.25 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0687573-45 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.09.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5195109-43 |
| 3 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative) |
2011.09.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0768630-17 |
| 4 | [대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative) |
2011.10.05 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0774906-10 |
| 5 | 등록결정서 Decision to grant |
2011.10.27 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0625591-17 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5007213-54 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5265458-48 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 탄소구조체층;상기 탄소구조체층 상에 형성되어 있는 미세 구조물; 및상기 미세 구조물을 덮어 형성되며, 전하분리접합부를 포함하는 박막층: 을 포함하는, 태양전지 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서, 상기 박막층 상에 형성된 제 1 전극층을 추가 포함하는, 태양전지 |
| 3 |
3 제 1 항에 있어서, 상기 탄소구조체층의 표면 상에 형성된 제 2 전극층을 추가 포함하는, 태양전지 |
| 4 |
4 제 1 항에 있어서, 상기 탄소구조체층은 그래핀(graphene) 또는 그래파이트(graphite)를 포함하는 것인, 태양전지 |
| 5 |
5 제 1 항에 있어서, 상기 박막층은 한 개 또는 복수개의 층인 것인, 태양전지 |
| 6 |
6 제 5 항에 있어서, 상기 전하분리접합부는 상기 미세 구조물과 상기 박막층의 계면 또는 상기 복수개의 박막층의 각각의 계면에 형성되어 있는 것인, 태양전지 |
| 7 |
7 제 1 항에 있어서, 상기 미세 구조물은 상기 탄소구조체층에 형성된 데미지(damage)로부터 상측으로 성장된 것인, 태양전지 |
| 8 |
8 제 1 항에 있어서, 상기 미세 구조물은 미세 막대, 미세 바늘, 미세 튜브, 미세 벽 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는, 태양전지 |
| 9 |
9 제 1 항에 있어서, 상기 미세 구조물은 금속 또는 반도체 중 적어도 어느 하나로 이루어진 것인, 태양전지 |
| 10 |
10 제 1 항에 있어서, 상기 박막층은 금속 또는 반도체 중 적어도 어느 하나로 이루어진 것인, 태양전지 |
| 11 |
11 제 1 항에 있어서, 상기 탄소구조체층은 상기 태양전지의 전극인 것인, 태양전지 |
| 12 |
12 제 1 항에 있어서, 상기 탄소구조체층 하부에 기판을 추가 포함하는, 태양전지 |
| 13 |
13 제 12 항에 있어서, 상기 탄소구조체층과 상기 기판은 분리가능한 것인, 태양전지 |
| 14 |
14 탄소구조체층을 준비하는 단계;상기 탄소구조체층 상에 미세 구조물을 성장시키는 단계; 및박막 형성 물질로 상기 미세 구조물을 덮어 박막층을 형성하는 단계: 를 포함하는, 태양전지의 제조 방법 |
| 15 |
15 제 14 항에 있어서, 상기 박막층 상에 제 1 전극층을 형성하는 단계를 추가 포함하는, 태양전지의 제조 방법 |
| 16 |
16 제 14 항에 있어서, 상기 탄소구조체층의 표면 상에 제 2 전극층을 형성하는 단계를 추가 포함하는, 태양전지의 제조 방법 |
| 17 |
17 제 14 항에 있어서, 상기 탄소구조체층을 준비하는 단계는, 기판 상에 상기 탄소구조체층을 형성하는 것인, 태양전지의 제조 방법 |
| 18 |
18 제 17 항에 있어서, 상기 탄소구조체층을 준비하는 단계는, 상기 기판 상에 형성되어 있는 탄소구조체층을 목적 기판 상으로 전사하는 것을 포함하는, 태양전지의 제조 방법 |
| 19 |
19 제 14 항에 있어서, 상기 탄소구조체층 상에 미세 구조물을 성장시키는 단계는, 상기 탄소구조체층 상에 데미지를 형성하고, 상기 데미지 상측에 상기 미세 구조물을 형성하는 것인, 태양전지의 제조 방법 |
| 20 |
20 제 19 항에 있어서, 상기 데미지는, 가스 플라즈마, 이온빔, 전자빔, 양성자빔, 중성자빔 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 방법 중 하나에 의해 형성되는 것인, 태양전지의 제조 방법 |
| 21 |
21 제 19 항에 있어서,상기 데미지를 형성하는 것은,상기 탄소구조체층 상에 마스크층을 형성하는 단계;상기 마스크층을 패터닝하여 복수개의 개구부를 형성하는 단계; 및상기 개구부를 통해 상기 탄소구조체층에 데미지를 생성하는 단계:를 포함하는 것인, 태양전지의 제조 방법 |
| 22 |
22 제 21 항에 있어서,상기 마스크층을 패터닝하여 복수개의 개구부를 형성하는 단계는 전자빔 리소그래피, 포토리소그래피, 레이저 간섭 리소그래피, 나노임프린트, 및 탬플릿 중 하나 이상의 방법을 이용하는 것인, 태양전지의 제조 방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US09324888 | US | 미국 | FAMILY |
| 2 | US20130213463 | US | 미국 | FAMILY |
| 3 | WO2012057506 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
| 4 | WO2012057506 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US2013213463 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 2 | WO2012057506 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
| 3 | WO2012057506 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 교육과학기술부 | 한국연구재단 | 창의적연구진흥사업 | 반도체 나노막대 연구단 |
| 공개전문 정보가 없습니다 |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
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| 특허 등록번호 | 10-1100414-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20101025 출원 번호 : 1020100103911 공고 연월일 : 20111230 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20111027 청구범위의 항수 : 22 유별 : H01L 31/042 발명의 명칭 : 태양전지 및 그 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 451,500 원 | 2011년 12월 23일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 366,800 원 | 2014년 12월 10일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 366,800 원 | 2015년 11월 26일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 366,800 원 | 2016년 02월 22일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 655,200 원 | 2017년 11월 24일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 468,000 원 | 2018년 12월 03일 | 납입 |
| 제 9 년분 | 금 액 | 468,000 원 | 2019년 12월 03일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2010.10.25 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0687573-45 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.09.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5195109-43 |
| 3 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2011.09.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0768630-17 |
| 4 | [대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2011.10.05 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0774906-10 |
| 5 | 등록결정서 | 2011.10.27 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0625591-17 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5007213-54 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5265458-48 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1345145883 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2004-0046410 |
| 연구과제명 | 반도체 나노막대 연구단 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 서울대학교 산학협력단 |
| 성과제출연도 | 2011 |
| 연구기간 | 200406~201305 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1345125448 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2004-0046410 |
| 연구과제명 | 반도체 나노막대 연구단 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 서울대학교 산학협력단 |
| 성과제출연도 | 2010 |
| 연구기간 | 200406~201305 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
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