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고분자 물질을 포함하는 기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 금속물질을 포함하는 층을 형성하는 단계; 및바이어스 전압을 인가하여 상기 금속물질을 포함하는 층을 유도결합 플라즈마 처리함으로써 상기 금속물질을 포함하는 층으로부터 상기 금속물질의 나노 분말들을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 금속 물질은 상기 고분자 물질에 비하여 높은 융점을 가지고,상기 고분자 물질은 폴리스티렌, 폴리카보네이트 또는 폴리이미드를 포함하고,상기 금속물질은 티타늄, 백금, 코발트, 또는 니켈을 포함하고,상기 유도결합 플라즈마는 300℃ 이하에서 형성되는, 기판 상의 금속 나노 분말들을 형성하는 방법
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제1항에 있어서,상기 금속물질을 포함하는 층은 물리적 기상 증착법, 화학적 기상 증착법 또는 전기분해 증착법에 의하여 형성되는, 기판 상의 금속 나노 분말들을 형성하는 방법
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제1항에 있어서,상기 유도결합 플라즈마는 아르곤, 수소 및 헬륨으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 방전가스를 사용하여 형성되는, 기판 상의 금속 나노 분말들을 형성하는 방법
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제1항에 있어서,상기 금속물질의 나노 분말들을 형성하는 단계는 반경이 각각 10 내지 100 나노미터인 나노 분말을 형성하는 단계를 포함하는, 기판 상의 금속 나노 분말들을 형성하는 방법
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제1항에 있어서,상기 금속물질의 나노 분말들을 형성하는 단계는 상기 기판에 인가하는 유도결합 플라즈마의 처리 조건을 조절함으로써 상기 금속물질의 나노 분말들의 간격 및 크기를 조절하는 단계를 포함하는, 기판 상의 금속 나노 분말들을 형성하는 방법
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제11항에 있어서,상기 유도결합 플라즈마의 처리 조건은 상기 유도결합 플라즈마의 파워(power)와 처리 시간을 포함하는, 기판 상의 금속 나노 분말들을 형성하는 방법
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제11항에 있어서,상기 유도결합 플라즈마의 처리 조건은 바이어스 전압을 포함하는, 기판 상의 금속 나노 분말들을 형성하는 방법
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제1항에 있어서,생성된 상기 금속물질의 나노 분말들을 산화 또는 질화시키는 단계;를 더 포함하는, 기판 상의 금속 나노 분말들을 형성하는 방법
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