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패턴화된 금속 상대전극을 포함하는 염료감응 태양전지의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015136032
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 패턴화된 금속 상대전극을 포함하는 염료감응 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 30 나노미터의 패턴이 형성된 실리콘 웨이퍼 상에 금속을 스퍼터링하여 간단하게 표면적이 증가되는 것을 특징으로 하여 제조되는 패턴화된 금속 상대전극을 포함하는 염료감응 태양전지 및 이의 제조하는 방법을 제공하였다.본 발명에 따르면, 염료감응 태양전지용 상대전극은 금속 촉매층의 표면적이 증가됨에 따라 전극과 전해질간의 충분한 접촉 면적을 제공해 주어 이온 교환이 원활해짐에 따라 종래의 염료감응형 태양전지의 광전변환 효율보다 높은 광전변환 효율을 나타낼 수 있다는 장점이 있다. 더욱이, 패턴이 형성되어 있는 실리콘 웨이퍼 상에 간단히 금속을 스퍼터링하면 30 나노미터의 미세한 금속 패턴을 형성할 수 있다.
Int. CL H01G 9/20 (2006.01.01)
CPC H01G 9/2022(2013.01) H01G 9/2022(2013.01)
출원번호/일자 1020120073761 (2012.07.06)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0007112 (2014.01.17) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.07.06)
심사청구항수 3

출원인

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1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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1 장정식 대한민국 서울 관악구
2 손수임 대한민국 서울 관악구
3 이은우 대한민국 서울 관악구

대리인

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.07.06 수리 (Accepted) 1-1-2012-0541448-36
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.08.22 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.10.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0087340-75
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.10.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0726193-19
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.12.16 수리 (Accepted) 1-1-2013-1147063-99
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.01.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0074043-07
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.01.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0074039-13
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0447260-93
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.07.11 수리 (Accepted) 1-1-2014-0652027-78
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2014.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0673348-02
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(A) 패턴이 형성된 실리콘 웨이퍼 상에 금속을 스퍼터링 방법으로 증착하는 단계; 및 (B) 상기 금속이 증착된 패턴이 형성된 실리콘 웨이퍼를 상대전극으로 적용하여 염료감응 태양전지를 제조하는 단계
2 2
제 1항에 있어서 증착된 금속의 두께가 10 나노미터에서 20 나노미터인 것을 특징으로 하는 패턴화된 금속 상대전극을 포함하는 염료감응 태양전지의 제조 방법
3 3
제 1항에 있어서, 실리콘 웨이퍼 상에 증착시키는 금속 물질이 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 및 팔라듐(Pd) 인 것을 특징으로 하는 패턴화된 금속 상대전극을 포함하는 염료감응 태양전지의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 서울대학교 산학협력단 글로벌프론티어사업 광산란 및 밴드갭 제어 소재 개발