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Ba-Sn-O 반도체막을 포함하는 염료감응 태양전지 광전극

  • 기술번호 : KST2015136036
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 종래의 염료감응 태양전지 광전극으로 사용되는 TiO2 막을 대체할 수 있는 신규한 삼성분계 산화물 반도체막이 개시된다. 본 발명은 도전성 투명 기판; 및 상기 기판 상에 형성되는 BaSnO3 으로 표시되는 다성분계 산화물 반도체막을 포함하는 염료감응 태양전지용 광전극을 제공한다. 본 발명의 산화물 반도체막은 높은 염료 흡착 특성 및 광전 에너지 효율을 나타낸다.
Int. CL H01G 9/20 (2006.01.01)
CPC H01G 9/2027(2013.01) H01G 9/2027(2013.01)
출원번호/일자 1020120075414 (2012.07.11)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1475702-0000 (2014.12.17)
공개번호/일자 10-2014-0018447 (2014.02.13) 문서열기
공고번호/일자 (20141224) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.07.11)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍국선 대한민국 서울 서초구
2 신성식 대한민국 서울 은평구
3 석재호 대한민국 서울 서초구
4 김동회 대한민국 서울 서초구
5 김주성 대한민국 서울 강서구
6 조인선 대한민국 경기 남양주시
7 김동욱 대한민국 경기 성남시 수정구
8 이상욱 대한민국 서울 영등포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.07.11 수리 (Accepted) 1-1-2012-0553303-51
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.08.01 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.08.26 수리 (Accepted) 9-1-2013-0070636-97
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0756873-95
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-1201890-87
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.02.03 수리 (Accepted) 1-1-2014-0101207-11
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0201858-36
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.03.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0307188-17
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2014-0307187-61
11 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2014.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0597526-61
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-1032547-56
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.10.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-1032548-02
14 등록결정서
Decision to grant
2014.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0816056-30
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
도전성 투명 기판; 및상기 기판 상에 형성되는, 하기 화학식으로 표시되며 입자 크기가 100 나노미터 미만인 나노 분말로 된 다성분계 산화물 반도체막을 포함하고,상기 산화물 반도체막은, 두께 12 미크론의 상기 산화물 반도체막을 20분간 염료에 딥핑 후 암모니아, 증류수 및 에탄올을 부피비 1 : 5 : 5로 혼합한 용액에서 20분간 탈착한 염료량이 1*10-7 mol/cm2 이상인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지용 광전극
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 산화물 반도체막은 입자 크기가 50 나노미터 미만인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지용 광전극
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서,상기 탈착한 염료량은 2*10-7 mol/cm2 이상인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지용 광전극
6 6
Sn과 Ba을 포함하는 무기염 소스를 과산화수소수를 용매로 용해하여 용액을 제조하는 단계, 상기 용액을 침전 반응하는 단계; 반응 생성물을 건조 및 열처리하는 단계를 포함하는 BaSnO3 분말 합성 단계; 상기 합성된 BaSnO3 분말의 페이스트를 도전성 투명 기판 상에 도포하는 단계; 및상기 도포 된 BaSnO3 분말을 열처리하는 단계를 포함하는 염료감응 태양전지용 광전극의 제조 방법
7 7
제6항에 있어서,상기 BaSnO3 분말 합성 단계 중, BaSn(O2)O2-3H2O 중간상이 생성되는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지용 광전극의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 서울대학교산학협력단 기초연구사업 고효율 수소생산용 광할성 소재의 조성 디자인을 위한 기초 이론연구 및 구축/플래폼