요약 | 하기 화학식 1로 표시되는 고분자, 그 제조방법, 이를 포함한 복합막, 전극 및 이를 포함한 연료전지가 제시된다.[화학식 1]상기 화학식 1 중, R1-R13 및 Ar1은 상세한 설명에서 기술된 바와 같다. |
---|---|
Int. CL | C08G 79/04 (2006.01.01) C08G 61/12 (2006.01.01) H01M 4/02 (2006.01.01) H01M 8/10 (2016.01.01) |
CPC | |
출원번호/일자 | 1020130003140 (2013.01.10) |
출원인 | 삼성전자주식회사, 서울대학교산학협력단 |
등록번호/일자 | 10-1882863-0000 (2018.07.23) |
공개번호/일자 | 10-2014-0090910 (2014.07.18) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20180824) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 등록 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2017.03.27) |
심사청구항수 | 21 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 삼성전자주식회사 | 대한민국 | 경기도 수원시 영통구 |
2 | 서울대학교산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 김기현 | 대한민국 | 경기 용인시 기흥구 |
2 | 허필원 | 대한민국 | 경기 용인시 수지구 |
3 | 박찬호 | 대한민국 | 서울 강남구 |
4 | 이종찬 | 대한민국 | 서울 관악구 |
5 | 김기현 | 대한민국 | 서울 용산구 |
6 | 김성곤 | 대한민국 | 서울 관악구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 리앤목특허법인 | 대한민국 | 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 삼성전자주식회사 | 경기도 수원시 영통구 | |
2 | 서울대학교 산학협력단 | 서울특별시 관악구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2013.01.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0028191-98 |
2 | 보정요구서 Request for Amendment |
2013.01.18 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2013-0006444-22 |
3 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2013.01.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0067513-55 |
4 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
5 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
6 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2017.03.27 | 수리 (Accepted) | 1-1-2017-0297110-91 |
7 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2017.08.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
8 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2017.10.13 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-6-2017-0153734-42 |
9 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2017.10.23 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2017-0732721-51 |
10 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2017.12.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2017-1293355-00 |
11 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2017.12.26 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2017-1293356-45 |
12 | 등록결정서 Decision to grant |
2018.05.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2018-0369120-40 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 하기 화학식 1로 표시되는 제1반복단위를 포함하는 고분자:[화학식 1]상기 화학식 1 중, R1-R13 중에서 선택된 3개 이상은 프로톤 전도성기이고, R5-R9 중 적어도 하나는 프로톤 전도성기이고, 상기 R1 내지 R13중에서 선택되지 않은 나머지 그룹은 수소, 치환 또는 비치환된 C1-C40 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C40 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C2-C40 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C40 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C40 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7-C40 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C40 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C2-C40 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C3-C40 헤테로아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C40 헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C4-C40 탄소고리기, 치환 또는 비치환된 C5-C40 탄소고리알킬기, 치환 또는 비치환된 C4-C40 탄소고리옥시기, 치환 또는 비치환된 C5-C40 탄소고리알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 C2-C40 헤테로고리기, 할로겐 원자, 하이드록시기 또는 시아노기 중에서 선택되며, Ar1은 치환 또는 비치환된 C6-C40 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C7-C40 아릴알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6-C40 아릴렌옥시기, 치환 또는 비치환된 C7-C40 아릴알킬렌옥시기, 치환 또는 비치환된 C2-C40 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C40 헤테로아릴알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C40 헤테로아릴렌옥시기, 치환 또는 비치환된 C2-C40 헤테로아릴알킬렌옥시기, 치환 또는 비치환된 C4-C40 탄소고리기, 치환 또는 비치환된 C5-C40 탄소고리알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C4-C40 탄소고리옥시기 또는 치환 또는 비치환된 C4-C40 탄소고리알킬렌옥시기이다 |
2 |
2 제1항에 있어서, 상기 프로톤 전도성기가 SO3H, CO2H, 또는 PO3H인 고분자 |
3 |
3 제1항에 있어서, 상기 Ar1은 아릴렌기 또는 헤테로원자를 함유하는 아릴렌기인 고분자 |
4 |
4 제1항에 있어서, 상기 Ar1은 하기 구조식 1로 표시되는 유닛인 아릴렌기인 고분자 |
5 |
5 제1항에 있어서, 상기 고분자가 하기 화학식 2로 표시되는 제2반복단위를 더 포함하며, 제1반복단위 및 제2반복단위의 몰분율은 각각 0 |
6 |
6 제5항에 있어서, 상기 A 및 Ar2은 서로 독립적으로 아릴렌기 또는 헤테로원자를 함유하는 아릴렌기인 고분자 |
7 |
7 제5항에 있어서, 상기 A 및 Ar2은 서로 독립적으로 하기 구조식 2로 표시되는 유닛인 고분자 |
8 |
8 제1항에 있어서, 상기 고분자의 중량평균분자량이 5,000 내지 950,000인 고분자 |
9 |
9 제1항에 있어서, 상기 고분자가 하기 화학식 3a, 화학식 4a 또는 화학식 5a로 표시되는 고분자인 [화학식 3a]상기 화학식 3 a중, X는 단순히 화학결합을 나타내거나 또는 -CH2-, -C(CF3)2-, -C(=O)-, -C(CCl3)2-, -CH(CF3)-, -S(=O)-, -P(=O)C6H5- 또는 -CH(CCl3)-이고,0 |
10 |
10 제1항에 있어서, 상기 고분자가 하기 화학식 6, 화학식 7, 화학식 7a, 화학식 8로 표시되는 고분자 중에서 선택된 하나인 고분자 |
11 |
11 제1항 내지 제10항중 어느 한 항의 고분자를 포함하는 복합막 |
12 |
12 제1항 내지 제10항중 어느 한 항의 고분자를 포함하는 전극 |
13 |
13 캐소드, 애노드 및 이들 사이에 개재된 전해질막을 포함하며, 상기 캐소드, 애노드 및 전해질막 중에서 선택된 하나 이상이, 제1항 내지 제10항중 어느 한 항의 고분자를 포함하는 연료전지 |
14 |
14 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항의 고분자와 하기 화학식 14 내지 19 중에서 선택된 하나 이상을 포함하는 조성물의 중합 생성물인 복합체 |
15 |
15 제14항의 복합체를 포함하는 전극 |
16 |
16 제14항의 복합체를 포함하는 복합막 |
17 |
17 캐소드, 애노드 및 이들 사이에 개재된 전해질막을 포함하며, 상기 캐소드, 애노드 및 전해질막 중에서 선택된 하나 이상이 제14항의 복합체를 포함하는 연료전지 |
18 |
18 하기 화학식 9로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 10으로 표시되는 화합물을 반응하여 화학식 1로 표시되는 제1반복단위를 포함하는 고분자를 얻는 단계를 포함하는 고분자의 제조방법: [화학식 1]상기 화학식 1 중, R1-R13 중에서 선택된 3개 이상은 프로톤 전도성기이고, R5-R9 중 적어도 하나는 프로톤 전도성기이고, 상기 R1 내지 R13중에서 선택되지 않은 나머지 그룹은 수소, 치환 또는 비치환된 C1-C40 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C40 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C2-C40 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C40 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C40 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7-C40 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C40 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C2-C40 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C3-C40 헤테로아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C40 헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C4-C40 탄소고리기, 치환 또는 비치환된 C5-C40 탄소고리알킬기, 치환 또는 비치환된 C4-C40 탄소고리옥시기, 치환 또는 비치환된 C5-C40 탄소고리알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 C2-C40 헤테로고리기, 할로겐 원자, 하이드록시기 또는 시아노기 중에서 선택되며, Ar1은 치환 또는 비치환된 C6-C40 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C7-C40 아릴알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6-C40 아릴렌옥시기, 치환 또는 비치환된 C7-C40 아릴알킬렌옥시기, 치환 또는 비치환된 C2-C40 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C40 헤테로아릴알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C40 헤테로아릴렌옥시기, 치환 또는 비치환된 C2-C40 헤테로아릴알킬렌옥시기, 치환 또는 비치환된 C4-C40 탄소고리기, 치환 또는 비치환된 C5-C40 탄소고리알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C4-C40 탄소고리옥시기 또는 치환 또는 비치환된 C4-C40 탄소고리알킬렌옥시기이고,[화학식 9]상기 화학식 9중, R1-R13 중에서 선택된 하나 이상은 프로톤 전도성기이고, 그 나머지의 R1-R13은 수소, 치환 또는 비치환된 C1-C40 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C40 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C2-C40 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C40 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C40 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7-C40 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C40 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C2-C40 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C3-C40 헤테로아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C40 헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C4-C40 탄소고리기, 치환 또는 비치환된 C5-C40 탄소고리알킬기, 치환 또는 비치환된 C4-C40 탄소고리옥시기, 치환 또는 비치환된 C5-C40 탄소고리알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 C2-C40 헤테로고리기, 할로겐 원자, 하이드록시기 또는 시아노기 중에서 선택되며, Y는 할로겐 원자이고,[화학식 10]상기 화학식 10 중, Ar1은 치환 또는 비치환된 C6-C40 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C7-C40 아릴알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6-C40 아릴렌옥시기, 치환 또는 비치환된 C7-C40 아릴알킬렌옥시기, 치환 또는 비치환된 C2-C40 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C40 헤테로아릴알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C40 헤테로아릴렌옥시기, 치환 또는 비치환된 C2-C40 헤테로아릴알킬렌옥시기, 치환 또는 비치환된 C4-C40 탄소고리기, 치환 또는 비치환된 C5-C40 탄소고리알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C4-C40 탄소고리옥시기 또는 치환 또는 비치환된 C4-C40 탄소고리알킬렌옥시기이다 |
19 |
19 제18항에 있어서, 상기 화학식 9의 화합물과 화학식 10의 화합물 반응시 하기 화학식 11로 표시되는 화합물을 더 부가하는 고분자의 제조방법 |
20 |
20 제18항에 있어서, 상기 반응은 화학식 9로 표시되는 화합물 및 화학식 10으로 표시되는 화합물에 염기를 부가하여 110 내지 165 ℃에서 1차 열처리하는 단계;상기 1차 열처리된 반응 결과물을 120 내지 190℃에서 2차 열처리하는 단계를 포함하는 고분자의 제조방법 |
21 |
21 제1항에 있어서, 상기 고분자는 하기 화학식 6a-6c, 7a-7e 또는 8a로 표시되는 화합물인 고분자 |
지정국 정보가 없습니다 |
---|
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | US09112203 | US | 미국 | FAMILY |
2 | US09306234 | US | 미국 | FAMILY |
3 | US20140194581 | US | 미국 | FAMILY |
4 | US20150311557 | US | 미국 | FAMILY |
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | US2014194581 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
2 | US2015311557 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
3 | US9112203 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
4 | US9306234 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
국가 R&D 정보가 없습니다. |
---|
특허 등록번호 | 10-1882863-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20130110 출원 번호 : 1020130003140 공고 연월일 : 20180824 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20180531 청구범위의 항수 : 21 유별 : C08G 79/04 발명의 명칭 : 고분자, 그 제조방법, 이로부터 형성된 복합체, 이를 포함한 전극과 복합막 및 이를 채용한 연료전지 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구... |
1 |
(권리자) 서울대학교 산학협력단 서울특별시 관악구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 864,000 원 | 2018년 07월 24일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2013.01.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0028191-98 |
2 | 보정요구서 | 2013.01.18 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2013-0006444-22 |
3 | [출원서등 보정]보정서 | 2013.01.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0067513-55 |
4 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
5 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
6 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 | 2017.03.27 | 수리 (Accepted) | 1-1-2017-0297110-91 |
7 | 선행기술조사의뢰서 | 2017.08.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
8 | 선행기술조사보고서 | 2017.10.13 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-6-2017-0153734-42 |
9 | 의견제출통지서 | 2017.10.23 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2017-0732721-51 |
10 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2017.12.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2017-1293355-00 |
11 | [명세서등 보정]보정서 | 2017.12.26 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2017-1293356-45 |
12 | 등록결정서 | 2018.05.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2018-0369120-40 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
기술정보가 없습니다 |
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과제정보가 없습니다 |
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