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고분자, 그 제조방법, 이로부터 형성된 복합체, 이를 포함한 전극과 복합막 및 이를 채용한 연료전지

  • 기술번호 : KST2015136278
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 하기 화학식 1로 표시되는 고분자, 그 제조방법, 이를 포함한 복합막, 전극 및 이를 포함한 연료전지가 제시된다.[화학식 1]상기 화학식 1 중, R1-R13 및 Ar1은 상세한 설명에서 기술된 바와 같다.
Int. CL C08G 79/04 (2006.01.01) C08G 61/12 (2006.01.01) H01M 4/02 (2006.01.01) H01M 8/10 (2016.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020130003140 (2013.01.10)
출원인 삼성전자주식회사, 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1882863-0000 (2018.07.23)
공개번호/일자 10-2014-0090910 (2014.07.18) 문서열기
공고번호/일자 (20180824) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.03.27)
심사청구항수 21

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김기현 대한민국 경기 용인시 기흥구
2 허필원 대한민국 경기 용인시 수지구
3 박찬호 대한민국 서울 강남구
4 이종찬 대한민국 서울 관악구
5 김기현 대한민국 서울 용산구
6 김성곤 대한민국 서울 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구
2 서울대학교 산학협력단 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.01.10 수리 (Accepted) 1-1-2013-0028191-98
2 보정요구서
Request for Amendment
2013.01.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0006444-22
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2013.01.23 수리 (Accepted) 1-1-2013-0067513-55
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2017.03.27 수리 (Accepted) 1-1-2017-0297110-91
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.08.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.10.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0153734-42
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.10.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0732721-51
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2017-1293355-00
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.12.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1293356-45
12 등록결정서
Decision to grant
2018.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0369120-40
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식 1로 표시되는 제1반복단위를 포함하는 고분자:[화학식 1]상기 화학식 1 중, R1-R13 중에서 선택된 3개 이상은 프로톤 전도성기이고, R5-R9 중 적어도 하나는 프로톤 전도성기이고, 상기 R1 내지 R13중에서 선택되지 않은 나머지 그룹은 수소, 치환 또는 비치환된 C1-C40 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C40 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C2-C40 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C40 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C40 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7-C40 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C40 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C2-C40 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C3-C40 헤테로아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C40 헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C4-C40 탄소고리기, 치환 또는 비치환된 C5-C40 탄소고리알킬기, 치환 또는 비치환된 C4-C40 탄소고리옥시기, 치환 또는 비치환된 C5-C40 탄소고리알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 C2-C40 헤테로고리기, 할로겐 원자, 하이드록시기 또는 시아노기 중에서 선택되며, Ar1은 치환 또는 비치환된 C6-C40 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C7-C40 아릴알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6-C40 아릴렌옥시기, 치환 또는 비치환된 C7-C40 아릴알킬렌옥시기, 치환 또는 비치환된 C2-C40 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C40 헤테로아릴알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C40 헤테로아릴렌옥시기, 치환 또는 비치환된 C2-C40 헤테로아릴알킬렌옥시기, 치환 또는 비치환된 C4-C40 탄소고리기, 치환 또는 비치환된 C5-C40 탄소고리알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C4-C40 탄소고리옥시기 또는 치환 또는 비치환된 C4-C40 탄소고리알킬렌옥시기이다
2 2
제1항에 있어서, 상기 프로톤 전도성기가 SO3H, CO2H, 또는 PO3H인 고분자
3 3
제1항에 있어서, 상기 Ar1은 아릴렌기 또는 헤테로원자를 함유하는 아릴렌기인 고분자
4 4
제1항에 있어서, 상기 Ar1은 하기 구조식 1로 표시되는 유닛인 아릴렌기인 고분자
5 5
제1항에 있어서, 상기 고분자가 하기 화학식 2로 표시되는 제2반복단위를 더 포함하며, 제1반복단위 및 제2반복단위의 몰분율은 각각 0
6 6
제5항에 있어서, 상기 A 및 Ar2은 서로 독립적으로 아릴렌기 또는 헤테로원자를 함유하는 아릴렌기인 고분자
7 7
제5항에 있어서, 상기 A 및 Ar2은 서로 독립적으로 하기 구조식 2로 표시되는 유닛인 고분자
8 8
제1항에 있어서, 상기 고분자의 중량평균분자량이 5,000 내지 950,000인 고분자
9 9
제1항에 있어서, 상기 고분자가 하기 화학식 3a, 화학식 4a 또는 화학식 5a로 표시되는 고분자인 [화학식 3a]상기 화학식 3 a중, X는 단순히 화학결합을 나타내거나 또는 -CH2-, -C(CF3)2-, -C(=O)-, -C(CCl3)2-, -CH(CF3)-, -S(=O)-, -P(=O)C6H5- 또는 -CH(CCl3)-이고,0
10 10
제1항에 있어서, 상기 고분자가 하기 화학식 6, 화학식 7, 화학식 7a, 화학식 8로 표시되는 고분자 중에서 선택된 하나인 고분자
11 11
제1항 내지 제10항중 어느 한 항의 고분자를 포함하는 복합막
12 12
제1항 내지 제10항중 어느 한 항의 고분자를 포함하는 전극
13 13
캐소드, 애노드 및 이들 사이에 개재된 전해질막을 포함하며, 상기 캐소드, 애노드 및 전해질막 중에서 선택된 하나 이상이, 제1항 내지 제10항중 어느 한 항의 고분자를 포함하는 연료전지
14 14
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항의 고분자와 하기 화학식 14 내지 19 중에서 선택된 하나 이상을 포함하는 조성물의 중합 생성물인 복합체
15 15
제14항의 복합체를 포함하는 전극
16 16
제14항의 복합체를 포함하는 복합막
17 17
캐소드, 애노드 및 이들 사이에 개재된 전해질막을 포함하며, 상기 캐소드, 애노드 및 전해질막 중에서 선택된 하나 이상이 제14항의 복합체를 포함하는 연료전지
18 18
하기 화학식 9로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 10으로 표시되는 화합물을 반응하여 화학식 1로 표시되는 제1반복단위를 포함하는 고분자를 얻는 단계를 포함하는 고분자의 제조방법: [화학식 1]상기 화학식 1 중, R1-R13 중에서 선택된 3개 이상은 프로톤 전도성기이고, R5-R9 중 적어도 하나는 프로톤 전도성기이고, 상기 R1 내지 R13중에서 선택되지 않은 나머지 그룹은 수소, 치환 또는 비치환된 C1-C40 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C40 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C2-C40 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C40 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C40 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7-C40 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C40 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C2-C40 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C3-C40 헤테로아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C40 헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C4-C40 탄소고리기, 치환 또는 비치환된 C5-C40 탄소고리알킬기, 치환 또는 비치환된 C4-C40 탄소고리옥시기, 치환 또는 비치환된 C5-C40 탄소고리알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 C2-C40 헤테로고리기, 할로겐 원자, 하이드록시기 또는 시아노기 중에서 선택되며, Ar1은 치환 또는 비치환된 C6-C40 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C7-C40 아릴알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6-C40 아릴렌옥시기, 치환 또는 비치환된 C7-C40 아릴알킬렌옥시기, 치환 또는 비치환된 C2-C40 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C40 헤테로아릴알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C40 헤테로아릴렌옥시기, 치환 또는 비치환된 C2-C40 헤테로아릴알킬렌옥시기, 치환 또는 비치환된 C4-C40 탄소고리기, 치환 또는 비치환된 C5-C40 탄소고리알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C4-C40 탄소고리옥시기 또는 치환 또는 비치환된 C4-C40 탄소고리알킬렌옥시기이고,[화학식 9]상기 화학식 9중, R1-R13 중에서 선택된 하나 이상은 프로톤 전도성기이고, 그 나머지의 R1-R13은 수소, 치환 또는 비치환된 C1-C40 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C40 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C2-C40 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C40 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C40 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7-C40 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C40 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C2-C40 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C3-C40 헤테로아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C40 헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C4-C40 탄소고리기, 치환 또는 비치환된 C5-C40 탄소고리알킬기, 치환 또는 비치환된 C4-C40 탄소고리옥시기, 치환 또는 비치환된 C5-C40 탄소고리알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 C2-C40 헤테로고리기, 할로겐 원자, 하이드록시기 또는 시아노기 중에서 선택되며, Y는 할로겐 원자이고,[화학식 10]상기 화학식 10 중, Ar1은 치환 또는 비치환된 C6-C40 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C7-C40 아릴알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6-C40 아릴렌옥시기, 치환 또는 비치환된 C7-C40 아릴알킬렌옥시기, 치환 또는 비치환된 C2-C40 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C40 헤테로아릴알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C40 헤테로아릴렌옥시기, 치환 또는 비치환된 C2-C40 헤테로아릴알킬렌옥시기, 치환 또는 비치환된 C4-C40 탄소고리기, 치환 또는 비치환된 C5-C40 탄소고리알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C4-C40 탄소고리옥시기 또는 치환 또는 비치환된 C4-C40 탄소고리알킬렌옥시기이다
19 19
제18항에 있어서, 상기 화학식 9의 화합물과 화학식 10의 화합물 반응시 하기 화학식 11로 표시되는 화합물을 더 부가하는 고분자의 제조방법
20 20
제18항에 있어서, 상기 반응은 화학식 9로 표시되는 화합물 및 화학식 10으로 표시되는 화합물에 염기를 부가하여 110 내지 165 ℃에서 1차 열처리하는 단계;상기 1차 열처리된 반응 결과물을 120 내지 190℃에서 2차 열처리하는 단계를 포함하는 고분자의 제조방법
21 21
제1항에 있어서, 상기 고분자는 하기 화학식 6a-6c, 7a-7e 또는 8a로 표시되는 화합물인 고분자
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US09112203 US 미국 FAMILY
2 US09306234 US 미국 FAMILY
3 US20140194581 US 미국 FAMILY
4 US20150311557 US 미국 FAMILY

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1 US2014194581 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US2015311557 US 미국 DOCDBFAMILY
3 US9112203 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US9306234 US 미국 DOCDBFAMILY
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