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고분자 전해질막 연료전지의 막전극 접합체 산처리에 의한 활성 증대 방법

  • 기술번호 : KST2015160501
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고분자 전해질막 연료전지의 막전극 접합체의 활성을 증대하는 방법에 관한 것이며, 특히 촉매층이 형성된 막전극 접합체를 끓는점 이상의 온도의 산 용액에 침지하는 공정을 추가함으로써, 높은 전력밀도를 얻을 수 있는 발명을 개시한다. 막전극 접합체에 대해 끓는 산 처리를 함으로써 막전극 접합체 표면의 접촉각의 변화가 발견되었으며, 촉매 표면의 기공분포의 변화도 분석되었다. 결과적으로 본 발명에 따른 MEA의 활성이 증대되고 단위전지의 성능이 개선되었다. 고분자 전해질막 연료전지, 막전극 접합체, 산 처리, 활성, 접촉각, 끓는점
Int. CL H01M 4/88 (2006.01) H01M 8/10 (2006.01)
CPC H01M 4/8828(2013.01) H01M 4/8828(2013.01) H01M 4/8828(2013.01) H01M 4/8828(2013.01) H01M 4/8828(2013.01)
출원번호/일자 1020080097126 (2008.10.02)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0037824 (2010.04.12) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.10.02)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성영은 대한민국 경기도 안양시 동안구
2 김진호 대한민국 경기도 용인시 수지구
3 조용훈 대한민국 경기도 군포시
4 조윤환 대한민국 경기 용인시 수지구
5 정남기 대한민국 서울특별시 성북구
6 안민제 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정우성 대한민국 서울특별시 종로구 율곡로*길 *(수송동, 로얄팰리스스위트) ***호(특허법인임앤정)
2 서종완 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (서초동, 성운빌딩) *층 세일국제특허법률사무소(세일국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.10.02 수리 (Accepted) 1-1-2008-0693430-63
2 보정요구서
Request for Amendment
2008.10.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0119256-00
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2008.10.22 수리 (Accepted) 1-1-2008-0733343-16
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.09.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.10.12 수리 (Accepted) 9-1-2009-0055370-12
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.11.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0538402-43
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.01.26 수리 (Accepted) 1-1-2011-0062494-34
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0141985-26
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2011.04.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0196271-60
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
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번호 청구항
1 1
고분자 전해질막 연료전지의 막전극 접합체 제조 방법에 있어서, 촉매층이 형성된 막전극 접합체를 끓는 점 이상의 온도의 산 용액에 침지하는 산처리 단계를 더 포함함으로써, 상기 막전극 접합체의 활성을 증대시키는 것을 특징으으로 하는, 고분자 전해질막 연료전지의 막전극 접합체 산처리에 의한 활성 증대 방법
2 2
고분자 전해질막 연료전지의 막전극 접합체 제조 방법에 있어서, 촉매잉크를 제조하는 단계(S1); 상기 촉매잉크를 수소이온 교환막에 도포하는 단계(S2); 상기 촉매잉크가 도포된 상기 수소이온 교환막에 기체확산층을 부착시키는 단계(S3); 및 상기 S1 단계 내지 상기 S3 단계를 통해 제조된 막전극 접합체를 끓는 점 이상의 온도의 산 용액에 침지하는 산처리 단계(S4);를 포함하는 것을 특징으로 하는, 고분자 전해질막 연료전지의 막전극 접합체 산처리에 의한 활성 증대 방법
3 3
고분자 전해질막 연료전지의 막전극 접합체 제조 방법에 있어서, 촉매잉크를 제조하는 단계(S10); 상기 촉매잉크를 기체확산층에 도포하는 단계(S20); 상기 촉매잉크가 도포된 기체확산층을 수소이온 교환막에 부착시키는 단계(S30); 및 상기 S10 단계 내지 상기 S30 단계를 통해 제조된 막전극 접합체를 끓는 점 이상의 온도의 산 용액에 침지하는 산처리 단계(S40);를 포함하는 것을 특징으로 하는, 고분자 전해질막 연료전지의 막전극 접합체 산처리에 의한 활성 증대 방법
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 산처리 단계에서 사용되는 산은, 황산, 인산, 질산, 염산을 포함하는 무기산 또는 초산을 포함하는 유기산인, 고분자 전해질막 연료전지의 막전극 접합체 산처리에 의한 활성 증대 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.