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IGZO를 포함하는 역구조 유기 태양전지 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015136530
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 IGZO를 이용한 역구조 유기 태양전지 및 그 제조 방법을 제공한다. 역구조 유기 태양전지는 기판 상에 순차 적층된 제1 전극, 전자 추출층, 광활성층, 정공 추출층 및 제2 전극을 포함하고, 상기 전자 추출층은 인듐(In), 갈륨(Ga)을 도핑한 산화아연 선구체 용액을 졸젤 방법(sol-gel) 에 의해 형성한 금속 산화물 박막(IGZO) 인 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 전력변환효율이 우수한 역구조 유기 태양전지를 제작할 수 있다.
Int. CL H01L 51/42 (2006.01.01)
CPC H01L 51/4293(2013.01) H01L 51/4293(2013.01)
출원번호/일자 1020130075359 (2013.06.28)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0002055 (2015.01.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이창희 대한민국 서울 송파구
2 김준영 대한민국 인천 연수구
3 신현우 대한민국 대구 달서구
4 이동구 대한민국 서울특별시 관악구
5 송형준 대한민국 서울 동작구
6 송지연 대한민국 서울 영등포구

대리인

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최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0582478-35
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 전극이 구비된 기판을 준비하는 단계 및 상기 제1 전극 상에 전자 추출층, 유기 광 활성층, 정공 추출층 및 제2 전극을 순차 적층하는 단계를 포함하고, 상기 전자 추출층은 졸젤(sol-gel) 방법을 이용하여 금속 산화물 박막을 형성하는 역구조 유기 태양전지 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 금속 산화물 박막은 인듐(In), 갈륨(Ga)을 첨가한 산화아연 박막인 역구조 유기 태양전지 제조방법
3 3
제 2항에 있어서 인듐(In), 갈륨(Ga), 아연(Zn) 의 비율이 1:1:2
4 4
제 1항에 있어서, 졸젤(sol-gel) 방법을 이용한 금속 산화물 박막의 형성은 450˚C의 열처리를 포함하고, 30~40nm 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 역구조 유기 태양전지 제조방법
5 5
제 1항에 있어서, 광 활성층은 고분자 도너(doler)물질인 PTB7, 억셉터(accepter) 물질로는 PC70BM 을 사용하는 것을 특징으로 하는 역구조 유기 태양전지 제조방법
6 6
제 5항에 있어서, PTB7 과 PC70BM 을 chlorobenzene에 1:2의 비율로 녹이고, 박막의 두께는 70~80nm를 형성하는 것을 특징으로 하는 역구조 유기 태양전지 제조방법
7 7
제 1항에 있어서, 정공 추출층은 MoO3를 10nm의 두께로 사용하는 것을 특징으로 하는 역구조 유기 태양전지
8 8
제 1항에 있어서, 음극전극을 금속(Al, Au, Ag, Mg:Ag 등)으로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 서울대학교 산학협력단 에너지인력양성사업 유기 및 양자점 태양전지 GET-Future 연구실