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반도체 나노입자를 포함하는 평면 페로브스카이트 태양전지 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015136747
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 나노입자를 포함하는 평면 페로브스카이트 태양전지(Planar perovskite solar cells) 및 그의 제조 방법을 제공한다. 평면 페로브스카이트 태양전지는 기판 상에 순차 적층 된 투명 전극, 전자 추출 층, 광 활성 층, 정공 이동 층 및 금속 전극 층을 포함하고, 상기 전자 추출 층은 금속 산화물 박막 위에 반도체 나노입자를 갖는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 전력 변환 효율이 우수한 평면 페로브스카이트 태양전지를 제작할 수 있다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/0224 (2006.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01)
출원번호/일자 1020140067043 (2014.06.02)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1544317-0000 (2015.08.06)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150813) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.06.02)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이창희 대한민국 서울특별시 송파구
2 차국헌 대한민국 서울특별시 서초구
3 이성훈 대한민국 서울특별시 관악구
4 이현호 대한민국 경기도 고양시 일산서구
5 송지연 대한민국 서울특별시 영등포구
6 임재훈 대한민국 서울특별시 도봉구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김동진 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** (역삼동, 신명빌딩 *층)(청우특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.06.02 수리 (Accepted) 1-1-2014-0521536-67
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.12.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.01.09 수리 (Accepted) 9-1-2015-0001351-53
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.01.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0054245-35
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.03.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-0281046-78
7 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2015.03.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-0281033-85
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.04.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0346953-11
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.04.09 수리 (Accepted) 1-1-2015-0346952-76
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
11 등록결정서
Decision to grant		 2015.08.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0520310-69
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
평면 페로브스카이트 태양전지를 제조하는 방법에 있어서, 기판 위에 투명 전극을 패터닝하는 단계; 상기 투명 전극 위에 전자 추출층을 적층하는 단계;상기 전자 추출층 위에 반도체 나노입자를 도포하여 반도체 나노입자 층을 형성하는 단계; 및 상기 반도체 나노입자 층 위에 광 활성층, 정공 추출층, 및 금속전극을 차례로 적층하는 단계;를 포함하고, 상기 반도체 나노입자는 사지상형 또는 다지형(多指形) 형상을 갖는 CdSe 나노입자이고, 상기 반도체 나노입자 층을 형성하는 단계가, 반도체 나노입자 층의 전기적 특성을 향상시키기 위해, 1-헥실아민(hexylamine)과 아세톤이 혼합된 용액을 상기 반도체 나노입자 층 위에 스핀코팅하고 건조함으로써 상기 반도체 나노입자를 표면개질하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 평면 페로브스카이트 태양전지 제조 방법
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 반도체 나노입자 층을 형성하는 단계가,반도체 나노입자를 상기 전자 추출층 위에 도포한 후 150℃ 열처리를 통해 상기 반도체 나노입자를 상기 전자 추출층 위에 고정시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 평면 페로브스카이트 태양전지 제조 방법
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 반도체 나노입자를 전자 추출층 위에 고정시키는 단계 이후에, 상기 반도체 나노입자 층을 에탄올로 2회 세척하여 반도체 나노입자 박막에서 유기물을 제거하고, 120℃ 열처리를 통해 남아있는 용매를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 평면 페로브스카이트 태양전지 제조 방법
5 5
삭제
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 광 활성층이 CH3NH3IxPbCl3-x를 이용한 페로브스카이트 박막인 것을 특징으로 하는, 평면 페로브스카이트 태양전지 제조 방법
7 7
제 6 항에 있어서,상기 광 활성층이 스핀코팅에 의해 상기 반도체 나노입자 층 위에 적층되고, 상기 스핀코팅에 사용되는 용액이,메틸 요오드화 암모늄(Methyl ammonium iodide)과 염화납(PbCl2)을 3:1 비율로 유기 용매인 다이메틸폼아마이드(Dimethylformamide, DMF)에 섞은 후 하루 동안 70℃에서 교반시켜서 제조되는 것을 특징으로 하는, 평면 페로브스카이트 태양전지 제조 방법
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 정공 추출 층은 Spiro-MeoTAD(2,2'7,7'-tetrakis
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 금속 전극을 Al, Au, Ag, 및 Mg-Ag 합금 중 적어도 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는, 평면 페로브스카이트 태양전지 제조 방법
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 서울대학교 산학협력단 에너지인력양성사업 유기 및 양자점 태양전지 GET-Future 연구실