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실리콘 기판;상기 기판 상에 형성된 연결배선 및 복수의 전극을 덮는 층간 절연층;상기 층간 절연층 상에서 상기 복수의 전극을 덮는 제1절연층; 및상기 제1절연층 상에 형성되며 적어도 두개의 상기 전극에 그 양단이 연결되는 그라핀;을 포함하는 그라핀 전자소자
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제 1 항에 있어서,상기 그라핀의 양단은 각각 해당되는 상기 전극과 상기 제1절연층에 형성된 비아홀 내의 콘택 메탈을 통해서 연결되는 그라핀 전자소자
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제 2 항에 있어서,상기 콘택메탈은 Au 층인 그라핀 전자소자
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제 1 항에 있어서,상기 그라핀의 양단에 연결된 두개의 전극은 소스 전극 및 드레인 전극이며, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이에서 상기 기판 및 상기 그라핀 사이에는 적어도 하나의 게이트 전극이 형성되며, 상기 그라핀은 채널로 작용하며, 상기 그라핀 전자소자는 전계효과 트랜지스터인 그라핀 전자소자
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제 4 항에 있어서,상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 각각 연결된 소스 전극패드 및 드레인 전극패드를 더 구비하며, 상기 소스 전극패드 및 상기 드레인 전극패드는 각각 상기 그라핀의 양단을 덮는 그라핀 전자소자
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제 1 항에 있어서,상기 그라핀의 양단에 연결된 두개의 전극은 상기 그라핀의 개스 흡착에 따라 상기 채널을 흐르는 전류를 측정하기 위한 제1전극 및 제2전극이며, 상기 그라핀 전자소자는 가스 센서인 그라핀 전자소자
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상기 제1전극 및 상기 제2전극과 각각 연결된 제1 전극패드 및 제2 전극패드를 더 구비하며, 상기 제1 전극패드 및 상기 제2 전극패드는 각각 상기 그라핀의 양단을 덮는 그라핀 전자소자
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제 1 항에 있어서,상기 기판 상에는 상기 그라핀을 덮는 패시베이션층이 더 형성된 그라핀 전자소자
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제 8 항에 있어서,상기 패시베이션층은 PDMS (Polydimethylsiloxane) 폴리머로 이루어진 그라핀 전자소자
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제 1 항에 있어서,상기 그라핀은 단층 또는 이층(bi-layer) 구조인 그라핀 전자소자
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실리콘 기판 상에 연결배선 복수의 전극을 덮되 상기 복수의 전극을 노출시키도록 층간절연층을 형성하는 단계;상기 층간절연층 상에 상기 복수의 전극을 덮는 제1절연층을 형성하는 단계; 및상기 제1절연층 상에 상기 적어도 두개의 전극과 그 양단이 연결되는 그라핀을 형성하는 단계;를 포함하는 그라핀 전자소자의 제조방법
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제 11 항에 있어서, 상기 그라핀 형성 단계는, 상기 적어도 두개의 전극 상의 상기 절연층에 비아홀을 형성하는 단계; 상기 비아홀에 콘택 메탈을 채우는 단계; 및상기 콘택 메탈과 접촉되게 상기 그라핀을 형성하는 단계:를 포함하는 그라핀 전자소자의 제조방법
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제 11 항에 있어서, 상기 그라핀 형성 단계는, 상기 적어도 두개의 전극 상의 상기 절연층에 비아홀을 형성하는 단계; 상기 절연층 상에서 상기 비아홀 사이에 그라핀을 형성하는 단계; 및상기 비아홀에 상기 그라핀의 양단을 덮도록 메탈을 형성하여 그라핀의 양단과 접촉되는 두개의 전극패드를 형성하는 단계;를 포함하는 그라핀 전자소자의 제조방법
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제 12 항에 있어서,상기 콘택 메탈은 Au 인 그라핀 전자소자의 제조방법
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제 12 항 또는 제 13 항에 있어서, 상기 그라핀 형성단계는 상기 그라핀을 전사하는 단계인 그라핀 전자소자의 제조방법
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제 15 항에 있어서,상기 그라핀은 단층 또는 이층(bi-layer)인 그라핀 전자소자의 제조방법
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제 11 항에 있어서,상기 복수의 전극을 형성하는 단계는, 상기 두개의 전극 사이에 게이트 전극을 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 그라핀은 채널로 작용하며, 상기 그라핀 전자소자는 전계효과 트랜지스터인 그라핀 소자의 제조방법
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제 11 항에 있어서,상기 그라핀의 양단에 연결된 두개의 전극은 상기 그라핀의 개스 흡착에 따라 상기 채널을 흐르는 전류를 측정하기 위한 전극이며, 상기 그라핀 전자소자는 개스 센서인 그라핀 전자소자의 제조방법
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제 18 항에 있어서,상기 기판 상에는 상기 그라핀을 덮는 패시베이션층을 형성하는 단계; 및 상기 패시베이션층을 패터닝하여 상기 그라핀을 노출시키는 단계;를 더 포함하는 그라핀 전자소자의 제조방법
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제 19 항에 있어서,상기 패시베이션층은 PDMS (Polydimethylsiloxane) 폴리머로 이루어진 그라핀 전자소자의 제조방법
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제 11 항에 있어서,상기 그라핀은 단층 또는 이층(bi-layer) 구조인 그라핀 전자소자의 제조방법
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