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전계 효과 트랜지스터를 위한 개구 패턴이 형성된 세라믹 쉐도우 마스크를 제작하는 단계와, 상기 세라믹 쉐도우 마스크를 기판에 배치시키는 단계와, 증착 공정을 수행하여 이황화 몰리브덴이 상기 개구 패턴을 통과하여 상기 기판에 증착되어 단일층 박막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 단일층 박막 패턴 상에 전극 마스크를 이용하여 전극을 형성하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 패턴화된 이황화 몰리브덴 박막층을 이용한 전계효과트랜지스터 제작 방법
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제 1항에 있어서, 상기 형성하는 단계는상기 세라믹 쉐도우 마스크가 배치된 기판을 석영 튜브에 삽입시키는 단계와, 삼산화 몰리브덴() 및 황()을 각각 상이한 온도로 가열하는 단계와, 상기 황()이 배치된 위치에서 상기 삼산화 몰리브덴()이 배치된 위치로 흐르도록 아르곤을 주입하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 패턴화된 이황화 몰리브덴 박막층을 이용한 전계 효과 트랜지스터 제작 방법
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제 3항에 있어서, 상기 형성하는 단계는상기 삼산화 몰리브덴()의 양을 10mg 이하로 조절하여 이황화몰리브덴 단일층 박막을 형성함을 특징으로 하는 패턴화된 이황화 몰리브덴 박막층을 이용한 전계 효과 트랜지스터 제작 방법
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제 3항에 있어서,상기 삼산화 몰리브덴()은 섭씨 700도까지 가열되고, 상기 황()은 섭씨 200도까지 가열됨을 특징으로 하는 패턴화된 이황화 몰리브덴 박막층을 이용한 전계 효과 트랜지스터 제작 방법
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내부에 진공관을 형성하는 석영 튜브와, 상기 석영 튜브의 상부에 삽입되는 전계 효과 트랜지스터를 위한 개구 패턴이 형성된 세라믹 쉐도우 마스크가 부착된 기판과, 상기 기판의 하부 중앙에 배치되어 삼산화 몰리브덴()을 수용하는 도가니와,상기 도가니의 삼산화 몰리브덴()을 가열하는 용광로와, 황()을 상기 용광로에서의 온도와는 상이한 온도로 가열하는 전기 히터와, 상기 황()의 위치에서 상기 삼산화 몰리브덴()의 위치의 방향으로 아르곤이 흐르도록 주입하는 주입부를 포함하되,상기 황()과 상기 삼산화 몰리브덴()이 결합되어, 이황화 몰리브덴 가스가 합성되고, 상기 아황화 몰리브덴 가스가 상기 세라믹 쉐도우 마스크를 통과하여 상기 기판에 증착되어 단일층 박막 패턴을 형성함을 특징으로 하는 패턴화된 이황화 몰리브덴 박막층 형성 장치
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제 6항에 있어서, 상기 삼산화 몰리브덴()은그 양이 10mg 이하임을 특징으로 하는 패턴화된 이황화 몰리브덴 박막층 형성장치
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제 6항에 있어서,상기 삼산화 몰리브덴()은 섭씨 700도까지 가열되고, 상기 황()은 섭씨 200도까지 가열됨을 특징으로 하는 패턴화된 이황화 몰리브덴 박막층 형성장치
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