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반도체 발광소자

  • 기술번호 : KST2015137288
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 발광소자에 관한 것으로, 제1 도전형 반도체층; 상기 제1 도전형 반도체층 상에 형성된 활성층; 상기 활성층 상에 형성되며, 적어도 하나의 홈부가 형성된 상면을 갖는 제2 도전형 반도체층; 상기 제2 도전형 반도체층 상에 형성된 투명전극층; 및 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층과 각각 전기적으로 연결된 제1 및 제2 전극;을 포함하며, 상기 홈부의 중앙은 상기 제1 전극의 중앙과 상기 제2 전극의 중앙을 잇는 직선과 교차하여 전류분포가 개선되어 내부 광추출 효율이 향상되는 효과가 있다.
Int. CL H01L 33/36 (2010.01.01) H01L 33/38 (2010.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020120142998 (2012.12.10)
출원인 삼성전자주식회사, 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0074722 (2014.06.18) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.11.15)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강동훈 대한민국 서울 송파구
2 박병국 대한민국 서울 서초구
3 손중곤 대한민국 서울 서초구
4 김가람 대한민국 서울 관악구
5 김장현 대한민국 서울 관악구
6 박의환 대한민국 서울 광진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인씨엔에스 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.12.10 수리 (Accepted) 1-1-2012-1025321-12
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2017.11.15 수리 (Accepted) 1-1-2017-1136131-97
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.05.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.07.26 수리 (Accepted) 9-1-2018-0036446-15
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0788043-94
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2019-0073407-27
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.01.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0073408-73
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0383284-82
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
15 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2019.08.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0588613-18
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 도전형 반도체층;상기 제1 도전형 반도체층 상에 형성된 활성층;상기 활성층 상에 형성되며, 적어도 하나의 홈부가 형성된 상면을 갖는 제2 도전형 반도체층;상기 제2 도전형 반도체층 상에 형성된 투명전극층; 및상기 제1 및 제2 도전형 반도체층과 각각 전기적으로 연결된 제1 및 제2 전극;을 포함하며,상기 홈부의 중앙은 제2 도전형 반도체층의 상면에서 보았을 때 상기 제1 전극의 중앙과 상기 제2 전극의 중앙을 잇는 직선과 교차하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
2 2
제1항에 있어서,상기 홈부는 상기 제2 도전형 반도체층의 두께보다 얕은 깊이로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
3 3
제1항에 있어서,상기 홈부는 복수개가 형성되며 상기 복수개의 홈부는 상기 제2 도전형 반도체층의 상면에서 보았을 때 상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 중앙을 잇는 직선과 수직 방향으로 열을 이뤄 배치된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
4 4
제3항에 있어서,상기 복수개의 홈부는 서로 다른 폭을 가진 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
5 5
제1항에 있어서,상기 홈부의 내면은 원형 또는 다각형의 기둥 형상의 음각패턴인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
6 6
제5항에 있어서,상기 홈부의 바닥면에는 절연층이 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
7 7
제1항에 있어서,상기 홈부의 내면은 반구 형상의 음각패턴인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
8 8
제1항에 있어서,상기 투명전극층은 상기 홈부에 충진되어 상기 홈부를 덮는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
9 9
제1항에 있어서,상기 홈부는 상기 제2 도전형 반도체층의 적어도 세 측면에서 동일한 간격을 가지는 영역을 포함하여 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
10 10
제1항에 있어서,상기 투명전극층은 ITO(Indium Tin Oxide), ZITO(Zinc-doped Indium Tin Oxide), ZIO(Zinc Indium Oxide), GIO(Gallium Indium Oxide), ZTO(Zinc TinOxide), FTO(Fluorine-doped Tin Oxide), AZO(Aluminium-doped Zinc Oxide), GZO(Gallium-doped Zinc Oxide), In4Sn3O12 또는 Zn(1-x)MgxO(Zinc Magnesium Oxide, 0≤x≤1)으로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.