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양자점 전자 장치(QUANTUM DOT ELECTRONIC DEVICE)

  • 기술번호 : KST2016011207
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 양자점 전자 장치가 제공된다. 상기 양자점 전자 장치는, 제1 인캡슐레이션층, 상기 제1 인캡슐레이션층 위에 배치되는 제1 전극, 상기 제1 전극 위에 배치되는 양자점 패턴, 상기 양자점 패턴 위에 배치되는 제2 전극, 및 상기 제2 전극 위에 배치되는 제2 인캡슐레이션층을 포함한다. 상기 양자점 패턴은 음각 전사 인쇄 방법에 형성될 수 있다.
Int. CL B01J 19/24 (2006.01) H01L 33/36 (2010.01) H01L 33/44 (2010.01)
CPC B01J 19/24(2013.01) B01J 19/24(2013.01) B01J 19/24(2013.01)
출원번호/일자 1020140169056 (2014.11.28)
출원인 서울대학교산학협력단, 기초과학연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0064850 (2016.06.08) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.11.28)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
2 기초과학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김대형 대한민국 인천광역시 연수구
2 현택환 대한민국 서울특별시 강남구
3 최문기 대한민국 서울특별시 노원구
4 양지웅 대한민국 서울특별시 관악구
5 강광훈 대한민국 경기도 고양시 덕양구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 강문호 대한민국 서울특별시 서초구 사평대로 ** (반포동) 우주빌딩 *층(다민특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
2 기초과학연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-1161312-26
2 보정요구서
Request for Amendment		 2014.12.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0228069-99
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2014.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2014-1279416-54
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
6 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2015.11.16 수리 (Accepted) 1-1-2015-1116274-79
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.01.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0068464-98
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.02.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0139245-96
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.04.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0393079-57
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.04.25 수리 (Accepted) 1-1-2016-0393063-27
11 등록결정서
Decision to grant		 2016.09.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0685082-57
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.01.24 수리 (Accepted) 4-1-2018-5013866-16
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 인캡슐레이션층;상기 제1 인캡슐레이션층 위에 배치되는 제1 전극;상기 제1 전극 위에 배치되는 양자점 패턴;상기 양자점 패턴 위에 배치되는 제2 전극; 및상기 제2 전극 위에 배치되는 제2 인캡슐레이션층을 포함하고,상기 양자점 패턴은,도우너 기판에 양자점층을 형성하는 단계,상기 양자점층을 스탬프를 이용하여 픽업하는 단계,상기 스탬프를 이용하여 상기 양자점층을 음각 기판에 접촉시키는 단계, 및상기 스탬프를 상기 음각 기판으로부터 분리시키는 단계를 포함하는 음각 전사 인쇄 방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 양자점 전자 장치
2 2
제 1 항에 있어서,상기 제1 전극과 상기 양자점 패턴 사이에 배치되는 제1 전하 전달층과,상기 제2 전극과 상기 양자점 패턴 사이에 배치되는 제2 전하 전달층을 더 포함하는 양자점 전자 장치
3 3
제 2 항에 있어서,상기 제1 인캡슐레이션층, 상기 제1 전극, 상기 제1 전하 전달층, 상기 양자점 패턴, 상기 제2 전하 전달층, 상기 제2 전극, 및 상기 제2 인캡슐레이션층의 두께의 합은 3㎛ 이하이고,상기 제1 전극, 상기 제1 전하 전달층, 상기 양자점 패턴, 상기 제2 전하 전달층, 및 상기 제2 전극의 두께의 합은 300nm 이하인 것을 특징으로 하는 양자점 전자 장치
4 4
삭제
5 5
제 1 항에 있어서,상기 음각 기판의 표면 에너지는 상기 스탬프의 표면 에너지보다 큰 것을 특징으로 하는 양자점 전자 장치
6 6
제 1 항에 있어서,상기 음각 전사 인쇄 방법에 의한 상기 양자점 패턴의 전사율은 5㎛×5㎛ 크기 이상에서 99% 이상인 것을 특징으로 하는 양자점 전자 장치
7 7
제 1 항에 있어서,상기 양자점 패턴의 크기는 20㎛×20㎛ 크기 이하인 것을 특징으로 하는 양자점 전자 장치
8 8
제 1 항에 있어서,상기 양자점 패턴은, 레드 양자점 패턴, 그린 양자점 패턴, 및 블루 양자점 패턴을 포함하고,상기 양자점 전자 장치는 웨어러블 양자점 발광 장치인 것을 특징으로 하는 양자점 전자 장치
9 9
제 1 항에 있어서,상기 양자점 패턴은, CdSe/Zns 양자점 및 CdSe/CdS/ZnS 양자점 중에서 선택된 하나 이상을 포함하는 콜로이드 나노결정 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 양자점 전자 장치
10 10
제 1 항에 있어서,상기 제1 인캡슐레이션층은 제1 보호층과 제1 접착층을 포함하고,상기 제2 인캡슐레이션층은 제2 보호층과 제2 접착층을 포함하며,상기 제1 보호층과 상기 제2 보호층은 폴리(p-자일릴렌)으로 형성되고,상기 제1 접착층과 상기 제2 접착층은 에폭시 수지로 형성되는 것을 특징으로 하는 양자점 전자 장치
11 11
기판; 및상기 기판 위에 배치되는 양자점 패턴을 포함하고, 상기 양자점 패턴은,도우너 기판에 양자점층을 형성하는 단계,상기 양자점층을 스탬프를 이용하여 픽업하는 단계,상기 스탬프를 이용하여 상기 양자점층을 음각 기판에 접촉시키는 단계, 및상기 스탬프를 상기 음각 기판으로부터 분리시키는 단계를 포함하는 음각 전사 인쇄 방법에 의해 형성되고,상기 음각 전사 인쇄 방법에 의한 상기 양자점 패턴의 전사율은 5㎛×5㎛ 크기 이상에서 99% 이상인 것을 특징으로 하는 양자점 전자 장치
12 12
기판; 및상기 기판 위에 배치되는 양자점 패턴을 포함하고, 상기 양자점 패턴은,도우너 기판에 양자점층을 형성하는 단계,상기 양자점층을 스탬프를 이용하여 픽업하는 단계,상기 스탬프를 이용하여 상기 양자점층을 음각 기판에 접촉시키는 단계, 및상기 스탬프를 상기 음각 기판으로부터 분리시키는 단계를 포함하는 음각 전사 인쇄 방법에 의해 형성되고,상기 양자점 패턴의 크기는 20㎛×20㎛ 크기 이하인 것을 특징으로 하는 양자점 전자 장치
13 13
기판; 및상기 기판 위에 배치되는 양자점 패턴을 포함하고, 상기 양자점 패턴은,도우너 기판에 양자점층을 형성하는 단계,상기 양자점층을 스탬프를 이용하여 픽업하는 단계,상기 스탬프를 이용하여 상기 양자점층을 음각 기판에 접촉시키는 단계, 및상기 스탬프를 상기 음각 기판으로부터 분리시키는 단계를 포함하는 음각 전사 인쇄 방법에 의해 형성되고,상기 양자점 패턴은, 레드 양자점 패턴, 그린 양자점 패턴, 및 블루 양자점 패턴을 포함하고,하기 양자점 전자 장치는 양자점 발광 장치인 것을 특징으로 하는 양자점 전자 장치
14 14
기판; 및상기 기판 위에 배치되는 양자점 패턴을 포함하고, 상기 양자점 패턴은,도우너 기판에 양자점층을 형성하는 단계,상기 양자점층을 스탬프를 이용하여 픽업하는 단계,상기 스탬프를 이용하여 상기 양자점층을 음각 기판에 접촉시키는 단계, 및상기 스탬프를 상기 음각 기판으로부터 분리시키는 단계를 포함하는 음각 전사 인쇄 방법에 의해 형성되고,상기 양자점 패턴은, CdSe/Zns 양자점 및 CdSe/CdS/ZnS 양자점 중에서 선택된 하나 이상을 포함하는 콜로이드 나노결정 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 양자점 전자 장치
15 15
기판; 및상기 기판 위에 배치되는 양자점 패턴을 포함하고, 상기 양자점 패턴은,도우너 기판에 양자점층을 형성하는 단계,상기 양자점층을 스탬프를 이용하여 픽업하는 단계,상기 스탬프를 이용하여 상기 양자점층을 음각 기판에 접촉시키는 단계, 및상기 스탬프를 상기 음각 기판으로부터 분리시키는 단계를 포함하는 음각 전사 인쇄 방법에 의해 형성되고,상기 기판은, 웨어러블 기판, 플렉시블 기판, 또는 플라스틱 기판인 것을 특징으로 하는 양자점 전자 장치
16 16
제 11 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 음각 기판의 표면 에너지는 상기 스탬프의 표면 에너지보다 큰 것을 특징으로 하는 양자점 전자 장치
17 17
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6 US10026913 US 미국 FAMILY
7 US20170256730 US 미국 FAMILY
8 US20180277782 US 미국 FAMILY
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1 미래창조과학부 나노입자 연구단 국가비즈니스 벨트 사업 나노입자의 합성과 의료, 에너지 분야 응용