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제1 층;상기 제1 층 위에 형성된 제2 층; 그리고 상기 제2 층 위에, 상기 제2 층과 적어도 일부가 접하는 형태로 형성되어 있는 쌍극자를 포함하며, 상기 쌍극자는 상변이 물질로 이루어지고, 상기 쌍극자는 설정 간극을 두고 형성된 제1 부재 및 제2 부재를 포함하며, 수신되는 광신호에 따른 근접장이 상기 설정 간극에 형성되며, 상기 상변이 물질의 상태에 따라서 수신되는 광신호의 이득 또는 응답 파장이 가변되는, 플라즈몬 광 안테나
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제1 층;상기 제1 층 위에 형성된 제2 층; 그리고 상기 제2 층 위에, 상기 제2 층과 적어도 일부가 접하는 형태로 형성되어 있는 쌍극자를 포함하며, 상기 쌍극자는 상변이 물질로 이루어지고,상기 상변이 물질은 음의 유전 상수를 가지는 제1 상태 및 양의 유전 상수를 가지는 제2 상태 중 하나의 상태로 되며, 유전율의 실수부가 양수 및 음수의 두 가지 값을 혼재한 물질로 형성되는, 플라즈몬 광 안테나
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제1 층;상기 제1 층 위에 형성된 제2 층; 그리고 상기 제2 층 위에, 상기 제2 층과 적어도 일부가 접하는 형태로 형성되어 있는 쌍극자를 포함하며, 상기 쌍극자는 상변이 물질로 이루어지고,상기 제1 층은 유전율의 실수부가 음수인 적어도 하나의 물질로 형성되고, 상기 제2 층은 유전율의 실수부가 양수인 적어도 하나의 물질로 형성되는, 플라즈몬 광 안테나
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제2항에 있어서상기 제1 부재와 상기 제2 부재 사이의 설정 간극, 그리고 상기 쌍극자의 제1 및 제2 부재 각각에 대한, 길이, 너비, 높이 중 적어도 하나의 변이에 따라, 상기 플라즈몬 광 안테나로 수신되는 광신호의 이득 제어 정도 또는 응답 파장이 변동하는, 플라즈몬 광 안테나
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제5항에 있어서상기 제1 부재와 상기 제2 부재는 직육면체 형상으로 이루어지는, 플라즈몬 광 안테나
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제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서상기 쌍극자 위에 형성되며, 유전율의 실수부가 양수인 적어도 하나의 물질로 형성되는 제3 층을 더 포함하는, 플라즈몬 광 안테나
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