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표면 플라즈몬 공명을 이용한 타겟 검지기판 및 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015134899
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 개시에는 SPR(surface plasmon resonance)을 사용하여 하나 이상의 분자를 감지하는 기판 및 그 관련 감지 방법이 개시된다. 표면 플라즈몬 공명(SPR), 타겟 분자 검지, 나노도트
Int. CL G01N 33/543 (2006.01.01) G01N 21/552 (2014.01.01)
CPC G01N 33/54373(2013.01) G01N 33/54373(2013.01)
출원번호/일자 1020080114716 (2008.11.18)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0025452 (2010.03.09) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 미국  |   12/199,615   |   2008.08.27
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.11.18)
심사청구항수 25

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 권승훈 대한민국 서울특별시 관악구
2 이승아 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.11.18 수리 (Accepted) 1-1-2008-0795155-71
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2008-0823402-56
3 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2009.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2009-0803446-20
4 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2009.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2009-0803371-05
5 우선권주장증명서류제출서(USPTO)
Submission of Priority Certificate(USPTO)		 2010.02.09 수리 (Accepted) 9-1-2010-9000944-27
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.03.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.04.15 수리 (Accepted) 9-1-2010-0023271-20
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0547126-57
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2011.02.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0097622-48
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
표면 플라즈몬 공명을 사용하여 하나 이상의 타겟 분자들을 검지하기 위한 기판으로서, 상기 기판은 상기 기판의 표면 상에 있는 하나 이상의 검지 존(detection zone); 및 상기 하나 이상의 검지 존 중 하나 이상의 검지 존의 내부에 배치된 복수의 나노도트(a collection of nanodots)를 포함하며, , 상기 나노도트는 상기 타겟 분자들에 대해 친화력(affinity)을 가지는 하나 이상의 프로브로 기능화되는, 타겟 분자 검지 기판
2 2
제1항에 있어서, 상기 하나 이상의 검지 존 중 하나 이상의 검지 존의 영역은 약 1 μm2 내지 10,000 μm2인 타겟 분자 검지 기판
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 복수의 나노도트는 격자 패턴, 나선형 패턴, 동심원 패턴, 또는 방사 패턴을 형성하는 타겟 분자 검지 기판
4 4
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 나도도트의 직경은 약 1nm 내지 100 nm 인 타겟 분자 검지 기판
5 5
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 나노도트는 금속을 포함하는 타겟 분자 검지 기판
6 6
제5항에 있어서, 상기 금속은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 및 알루미늄(Al)으로 구성되는 그룹에서 선택되는 타겟 분자 검지 기판
7 7
제1항 또는 제2항에 있어서, 하나의 검지 존 내에 배치된 복수의 나노도트 상의 프로브 분자는 다른 검지 존 내에 배치된 복수의 나노도트 상의 프로브 분자와 상이한 타겟 분자 검지 기판
8 8
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 프로브 분자들은 생체 분자를 포함하는 타겟 분자 검지 기판
9 9
제8항에 있어서, 상기 생체 분자들은 DNA, RNA, 펩타이드, 및 효소로 구성된 그룹에서 선택되는 타겟 분자 검지 기판
10 10
표면 플라즈몬 공명(SPR)을 사용하여 하나 이상의 타겟 분자들을 검지하기 위한 시스템으로서, 상기 시스템은 제1항에 따른 기판; 상기 기판으로부터 SPR(Surface Plasmon Resonance) 신호를 생성하도록 구성된 광원; 및 상기 SPR 신호를 검출하도록 구성된 검출기 를 포함하는 타겟 분자 검지 시스템
11 11
제10항에 있어서, 상기 기판의 하나의 검지 존으로부터 발생되는 신호들의 전력은 상기 하나의 검지 존 상의 하나의 나노도트로부터의 신호 전력을 상기 하나의 검지 존 내에 배치된 나노도트들의 수로 곱하여 얻은 값에 대응하는 타겟 분자 검지 시스템
12 12
제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 하나 이상의 검지 존 중 하나 이상의 영역은 약 1 μm2 내지 10,000 μm2인 타겟 분자 검지 시스템
13 13
제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 복수의 나노도트는 격자 패턴, 나선형 패턴, 동심원 패턴, 또는 방사 패턴을 형성하는 타겟 분자 검지 시스템
14 14
제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 나도도트의 직경은 약 1nm 내지 100 nm 인 타겟 분자 검지 시스템
15 15
제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 나노도트들은 금, 은, 구리, 및 알루미늄으로 구성되는 그룹에서 선택되는 금속을 포함하는 타겟 분자 검지 시스템
16 16
제10항 또는 제11항에 있어서, 하나의 검지 존 내에 배치된 복수의 나노도트 상의 프로브 분자들은 다른 검지 존 내에 배치된 복수의 나노도트 상의 프로브 분자들과 상이한 타겟 분자 검지 시스템
17 17
제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 프로브 분자들은 DNA, RNA, 펩타이드, 및 효소로 구성된 그룹에서 선택되는 생체분자들을 포함하는 타겟 분자 검지 시스템
18 18
표면 플라즈몬 공명(SPR)을 사용하여 하나 이상의 타겟 분자를 검지하는 방법으로서, 상기 방법은 하나 이상의 타겟 분자에 기판을 노출시키는 단계; 및 상기 기판으로부터의 SPR 신호를 측정하는 단계를 포함하고, 상기 기판은, 상기 기판의 표면상에 하나 이상의 검지 존; 및 상기 하나 이상의 검지 존 내에 배치된 복수의 나노도트를 포함하며, 상기 복수의 나노도트는 상기 타겟 분자에 친화력을 가지는 하나 이상의 프로브 분자로 기능화된, 타겟 분자 검지 방법
19 19
제18항에 있어서, 상기 SPR 신호를 측정하는 단계는, 상기 하나의 검지 존 상의 하나의 나노도트로부터의 신호 전력을 상기 하나의 검지 존 내에 배치된 나노도트들의 수로 곱하여 상기 SPR 신호 전력값을 획득하는 단계를 포함하는 타겟 분자 검지 방법
20 20
제18항 또는 제19항에 있어서, 상기 프로브 분자들은 DNA, RNA, 펩타이드, 및 효소로 구성된 그룹에서 선택되는 타겟 분자 검지 방법
21 21
표면 플라즈몬 공명(SPR)을 사용하여 하나 이상의 타겟 분자를 검지하기 위한 기판을 제조하는 방법으로서, 상기 기판의 표면 상에 하나 이상의 검지 존을 형성하는 단계; 및 상기 하나 이상의 검지 존 중 하나 이상 내에 배치된 복수의 나노도트를 형성하는 단계 를 포함하는 타겟 분자 검지 기판 제조 방법
22 22
제21항에 있어서, 상기 타겟 분자에 대한 친화력을 가지는 하나 이상의 프로브 분자로 상기 나노도트들을 기능화하는 단계를 더 포함하는 타겟 분자 검지 기판 제조 방법
23 23
제22항에 있어서, 하나의 검지 존 내에 배치된 복수의 나노도트 상의 프로브 분자들은 다른 검지 존 내에 배치된 복수의 나노도트 상의 프로브 분자들과 상이한 타겟 분자 검지 기판 제조 방법
24 24
제22항 또는 제23항에 있어서, 상기 프로브 분자들은 DNA, RNA, 펩타이드, 및 효소로 구성된 그룹에서 선택되는 타겟 분자 검지 기판 제조 방법
25 25
제21항 내지 제23항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 나노도트들은 금, 은, 구리, 및 알루미늄을 포함하는 그룹에서 선택되는 금속을 포함하는 타겟 분자 검지 기판 제조 방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN102016662 CN 중국 FAMILY
2 EP02318867 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 US07933478 US 미국 FAMILY
4 US08137572 US 미국 FAMILY
5 US20090214170 US 미국 FAMILY
6 US20100025361 US 미국 FAMILY
7 US20100056393 US 미국 FAMILY
8 WO2010024948 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN102016662 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 US2009214170 US 미국 DOCDBFAMILY
3 US2010025361 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US2010056393 US 미국 DOCDBFAMILY
5 US7933478 US 미국 DOCDBFAMILY
6 US8137572 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.