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(a) 베이스기판 상에 전도성 고분자 층을 형성하는 단계;(b) 상기 (a) 단계에서 형성된 기판에 강산화제를 반응시켜 상기 전도성 고분자 층을 선택적으로 비활성화시켜 패터닝시키는 단계;(c) 상기 (b) 단계에서 패터닝된 기판에 메탈 하이드록사이드 화합물을 반응시켜 부분적으로 디도핑 (partial de-doping) 시키는 단계; 및(d) 상기 (c) 단계에서 부분적으로 디도핑 (partial de-doping) 된 기판에 강산를 반응시키는 단계를 포함하는 전도성 패턴의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 전도성 고분자는 폴리-3,4-에틸렌디옥시티오펜/폴리스티렌설포네이트(PEDOT/PSS), 폴리-3-헥실티오펜(P3HT), 폴리아닐린, 폴리아세틸렌 및 폴리페닐렌비닐렌 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전도성 패턴의 제조방법
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청구항 2에 있어서,상기 전도성 고분자는 폴리-3,4-에틸렌디옥시티오펜/폴리스티렌설포네이트(PEDOT/PSS)인 것을 특징으로 하는 전도성 패턴의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 강산화제는 NaOCl, H2O2, O3, KMnO4, K2Cr2O7 및 산화아민(Amine-Oxide) 중 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 전도성 패턴의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 메탈 하이드록사이드 화합물는 LiOH, NaOH, KOH, Ca(OH)2 및 Ba(OH)2중 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 전도성 패턴의 제조방법
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삭제
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청구항 1에 있어서,상기 강산은 HCl, HNO3, HClO4, H2SO4, HBr 및 HI 중 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 전도성 패턴의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 (b) 단계에서 강산화제를 10초 이상 반응시켜 에칭하는 것을 특징으로 하는 전도성 패턴의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 (b) 단계에서 강산화제를 60초 이상 반응시켜 에칭하는 것을 특징으로 하는 전도성 패턴의 제조방법
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10
청구항 1에 있어서,상기 강산화제의 농도는 0
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11
청구항 1에 있어서,상기 메탈 하이드록사이드 화합물의 농도는 0
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12
청구항 1에 있어서,상기 강산의 농도는 0
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13
청구항 1의 방법에 의하여 제조된 전도성 패턴
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14
청구항 13의 전도성 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 전극
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15
청구항 13의 전도성 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이용 기판
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청구항 15에 있어서,상기 기판은 플렉서블(flexible) 기판인 것을 특징으로 하는 디스플레이용 기판
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