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자성 입자를 이용한 생물막의 불활성화 방법

  • 기술번호 : KST2015137614
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 자성 입자를 이용한 생물막의 불활성화 방법에 관한 것으로 더욱 상세하게는 자성 입자(magnetic particle,M.P.)에 교류 자기장을 인가하면 발열한다는 특성을 이용한 생물막의 불활성화 방법에 관한 것이다. 본 발명은 표면에 생물막(biofilm)이 형성되어 있는 대상체를 준비하는 단계; 상기 생물막에 자성 입자를 첨가하는 단계; 상기 자성 입자가 첨가된 생물막이 형성된 대상체 외부에서 교류 자기장을 인가하는 단계; 및 외부에서 인가된 교류 자기장에 의해 상기 자성 입자가 발열함으로써 상기 생물막을 불활성화하는 단계를 포함하는 자성 입자를 이용한 생물막의 불활성화 방법에 관한 것이다. 상기 자성 입자가 첨가된 생물막을 외부에서 교류 자기장을 인가함으로써 상기 자성 입자의 발열 특성에 의해 단시간에 향상된 소독력으로 생물막을 불활성화할 수 있다. 자성 입자, 교류 자기장, 발열, 생물막
Int. CL A61L 2/04 (2006.01.01)
CPC A61L 2/04(2013.01) A61L 2/04(2013.01)
출원번호/일자 1020090109348 (2009.11.12)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1061502-0000 (2011.08.26)
공개번호/일자 10-2011-0052355 (2011.05.18) 문서열기
공고번호/일자 (20110902) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.11.12)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박태현 대한민국 서울특별시 서초구
2 박홍석 대한민국 서울특별시 서초구
3 윤제용 대한민국 서울특별시 서초구
4 박희진 대한민국 경상남도 거제시
5 김정아 대한민국 대전광역시 유성구
6 이승환 대한민국 경기도 부천시 원미구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김태선 대한민국 서울(해산으로 인한 퇴사 후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.11.12 수리 (Accepted) 1-1-2009-0696506-94
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2009.11.17 수리 (Accepted) 1-1-2009-0704960-32
3 보정요구서
Request for Amendment		 2009.11.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0089913-85
4 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2009.12.01 수리 (Accepted) 1-1-2009-0723360-48
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.09.01 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.10.15 수리 (Accepted) 9-1-2010-0063954-22
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0362650-66
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.07.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0512624-62
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.07.05 수리 (Accepted) 1-1-2011-0512623-16
10 등록결정서
Decision to grant		 2011.08.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0480311-38
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
표면에 생물막(biofilm)이 형성되어 있는 대상체를 준비하는 단계; 상기 생물막에 자성 입자를 첨가하는 단계; 상기 자성 입자가 첨가된 생물막이 형성된 대상체 외부에서 교류 자기장을 인가하는 단계; 및 상기 외부에서 인가된 교류 자기장에 의해 상기 자성 입자가 발열함으로써 상기 생물막을 불활성화하는 단계를 포함하는 자성 입자를 이용한 생물막의 불활성화 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 자성 입자는 Fe3O4, Fe2O3, 알루미늄(Al), 코발트(Co), 니켈(Ni), 망간(Mn), 주석, 아연, 카드뮴, 마그네슘, 구리, 바륨, 리튬 및 이트륨의 산화물로 이루어진 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 자성 입자를 이용한 생물막의 불활성화 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 자성 입자는 Fe3O4 또는 Fe2O3 인 것인 자성 입자를 이용한 생물막의 불활성화 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 자성 입자의 지름은 5 nm ~ 1 ㎛인 것을 특징으로 하는 자성 입자를 이용한 생물막의 불활성화 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 자성 입자가 첨가된 생물막은 10분 이내의 시간 동안 상기 자성 입자에 외부에서 교류 자기장을 인가하는 것을 특징으로 하는 자성 입자를 이용한 생물막의 불활성화 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 생물막은 슈도모나스 애루지노사(Pseudomonas aeruginosa), 비브리오 하베아이(Vibrio harveyi), 아그로박테리움 투메파시엔스 (Agrobacterium tumefaciens), 대장균(Escherichia coli) 또는 캔디다 알비칸스(Candidad albicans)에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 자성 입자를 이용한 생물막의 불활성화 방법
7 7
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1 서울특별시 서울대학교산학협력단 전략사업 혁신클러스터 육성 지원사업 바이오칩 혁신 클러스터 거점 구축을 통한 신기술/신산업 방출