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금속 이온 센서 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015135727
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 일 실시예에 따르면, 제1 발광 염료가 도핑된 코어 나노입자, 및 제2 발광 염료를 구비하면서 외부 금속 이온이 결합할 수 있는 바인딩 지점을 구비한 제1 수용성 고분자 전해질과 상기 제1 수용성 고분자 전해질과 반대 전하를 갖는 제2 수용성 고분자 전해질이 교대로 적층되면서 상기 코어 나노입자를 둘러싸는 다층박막 쉘을 포함하되, 상기 제1 발광 염료와 상기 제2 발광 염료는 자외선의 인가에 따라 각각 서로 다른 파장의 광을 방출하며, 상기 제2 발광 염료로부터의 방출광의 강도가 상기 외부 금속 이온의 농도에 따라 변화함으로써 상기 제1 발광 염료 및 상기 제2 발광 염료로부터의 혼합광의 색상이 변화하는 금속 이온 센서가 제공된다.
Int. CL G01N 21/64 (2006.01.01) G01N 21/64 (2006.01.01) G01N 21/33 (2006.01.01) G01N 27/26 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020090028820 (2009.04.03)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0919136-0000 (2009.09.21)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20090925) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.04.03)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 차국헌 대한민국 서울특별시 서초구
2 김호섭 대한민국 서울특별시 금천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남정길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 인화빌딩 *층 (삼성동)(특허법인(유한)아이시스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 차국헌 서울특별시 서초구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.04.03 수리 (Accepted) 1-1-2009-0201961-79
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2009.04.06 수리 (Accepted) 1-1-2009-0204595-86
3 보정요구서
Request for Amendment		 2009.04.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0023053-00
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2009.05.06 수리 (Accepted) 1-1-2009-0271680-18
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2009.06.08 수리 (Accepted) 1-1-2009-0345571-19
6 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2009.07.06 수리 (Accepted) 1-1-2009-0409281-52
7 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search		 2009.07.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search		 2009.07.16 수리 (Accepted) 9-1-2009-0042456-46
9 등록결정서
Decision to grant		 2009.09.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0374680-03
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 발광 염료가 도핑된 코어 나노입자; 및 제2 발광 염료를 구비하면서 외부 금속 이온이 결합할 수 있는 바인딩 지점을 구비한 제1 수용성 고분자 전해질과 상기 제1 수용성 고분자 전해질과 반대 전하를 갖는 제2 수용성 고분자 전해질이 교대로 적층되면서 상기 코어 나노입자를 둘러싸는 다층박막 쉘을 포함하되, 상기 제1 발광 염료와 상기 제2 발광 염료는 자외선의 인가에 따라 각각 서로 다른 파장의 광을 방출하며, 상기 제2 발광 염료로부터의 방출광의 강도가 상기 외부 금속 이온의 농도에 따라 변화함으로써 상기 제1 발광 염료 및 상기 제2 발광 염료로부터의 혼합광의 색상이 변화하는 금속 이온 센서
2 2
제1 항에 있어서, 상기 제1 발광 염료는 전이금속 착체인 금속 이온 센서
3 3
제1 항에 있어서, 상기 코어 나노입자는 실리카 비드 또는 고분자 비드인 금속 이온 센서
4 4
제1 항에 있어서, 상기 제2 발광 염료는 전이금속 착체인 금속 이온 센서
5 5
제1 항에 있어서, 상기 제2 발광 염료는 상기 제1 발광 염료와는 다른 색상의 인광성 발광을 하는 금속 이온 센서
6 6
제1 항에 있어서, 상기 바인딩 지점은 아민, 피리딘, 카르보닐, 카르복시산 그룹 또는 음전하를 가지는 작용기를 갖는 금속 이온 센서
7 7
제1 항에 있어서, 상기 제2 수용성 고분자 전해질은 상기 제1 발광 염료 또는 상기 제2 발광 염료의 발광 강도 향상을 위한 호스트 물질이 그래프트된 것인 금속 이온 센서
8 8
제1 항에 있어서, 상기 다층박막 쉘 내의 이중층 개수의 변화에 따라 검출 농도범위가 조절되는 금속 이온 센서
9 9
기재 위에 제1 항 내지 제8 항 중 어느 한 항에 따른 금속 이온 센서의 현탁액을 도포 및 건조하여 제조되는 고체상 이온 센서
10 10
제1 인광 물질이 도핑된 코어 나노입자; 및 상기 코어 나노입자를 둘러싸면서 상기 제1 인광 물질과 다른 발광 파장을 갖는 제2 인광 물질이 도핑된 다층박막 쉘을 포함하되, 상기 다층박막 쉘은 음전하로 대전된 고분자 전해질 층과 양전하로 대전된 고분자 전해질 층이 교대로 적층된 구조를 갖고, 외부 구리 이온과 결합할 수 있는 바인딩 지점을 구비하며, 상기 구리 이온과의 결합에 의해 상기 코어 나노입자로부터의 발광에 우선하여 상기 다층박막 쉘 내부로부터의 발광이 선택적으로 퀘엔칭되는 구리 이온 센서
11 11
제10 항에 있어서, 상기 코어 나노입자는 실리카 비드 또는 고분자 비드인 구리 이온 센서
12 12
제10 항에 있어서, 상기 양전하로 대전된 고분자 전해질 층은 폴리에틸렌이민(PEI)에 상기 제2 인광 물질이 그래프트된 고분자 전해질을 포함하는 구리 이온 센서
13 13
제10 항에 있어서, 상기 음전하로 대전된 고분자 전해질 층은 CBZ(carbazole) 또는 CBP(4,4'-N,N'-dicarbazole-biphenyl)이 그래프트된 폴리(아크릴산)을 포함하는 구리 이온 센서
14 14
제10 항 내지 제13 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 다층박막 쉘 내의 이중층 개수의 변화에 따라 검출 농도범위가 조절되는 구리 이온 센서
15 15
제1 발광 염료가 도핑된 코어 나노입자를 형성하는 단계; 제2 발광 염료가 도핑되어 있으며 외부 금속 이온이 결합할 수 있는 바인딩 지점을 구비한 제1 수용성 고분자 전해질을 제공하는 단계; 상기 제1 수용성 고분자 전해질과 반대 전하를 갖는 제2 수용성 고분자 전해질을 제공하는 단계; 및 상기 제1 수용성 고분자 전해질과 상기 제2 수용성 고분자 전해질을 교대로 상기 나노입자 코어 위에 적층하여 다층 쉘을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 외부 금속 이온이 상기 바인딩 지점에 결합되면 인광성 퀘엔칭에 의한 쉘 영역의 발광 강도의 감소가 유발되는 금속 이온 센서의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US08349453 US 미국 FAMILY
2 US20100252807 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2010252807 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8349453 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.