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양자점 다층 박막을 포함한 전기발광소자

  • 기술번호 : KST2015137434
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 (a) 소정의 전하를 갖는 물질로 이루어진 링커층을 기판 위에 도입하는 단계, (b) 상기 소정의 전하를 갖는 물질과 반대 전하를 갖는 물질로 제1 양자점을 표면 개질하는 단계, (c) 상기 링커층의 물질과 동일 전하를 갖는 물질로 제2 양자점을 표면 개질하는 단계, (d) 상기 링커층 위에 표면 개질된 상기 제1 양자점의 층을 적층하는 단계, 및 (e) 상기 제1 양자점의 층 위에 표면 개질된 상기 제2 양자점의 층을 적층하는 단계를 포함하되, 표면 개질된 상기 제1 양자점의 층과 표면 개질된 상기 제2 양자점의 층을 교대로 각각 적어도 1층 이상 적층하여 상기 기판 위에 복수 층의 양자점 박막을 형성하는 양자점 다층 박막의 제조방법이 제공된다.
Int. CL H01L 33/06 (2010.01.01) H01L 33/08 (2010.01.01) H01L 33/00 (2010.01.01) H01L 33/44 (2010.01.01)
CPC H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01)
출원번호/일자 1020090001907 (2009.01.09)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1140309-0000 (2012.04.19)
공개번호/일자 10-2010-0082556 (2010.07.19) 문서열기
공고번호/일자 (20120502) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.01.09)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 차국헌 대한민국 서울특별시 서초구
2 이성훈 대한민국 서울특별시 관악구
3 이창희 대한민국 서울특별시 강남구
4 배완기 대한민국 서울특별시 관악구
5 곽정훈 대한민국 서울특별시 마포구
6 임재훈 대한민국 서울특별시 도봉구
7 남민기 대한민국 경기도 안성시 월덕천길 **
8 이동구 대한민국 경상남도 함안군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남정길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 인화빌딩 *층 (삼성동)(특허법인(유한)아이시스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 이성훈 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.01.09 수리 (Accepted) 1-1-2009-0014372-55
2 보정요구서
Request for Amendment		 2009.01.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0004484-74
3 [공지예외적용대상(신규성, 출원시의 특례)증명서류]서류제출서
[Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)] Submission of Document		 2009.02.09 수리 (Accepted) 1-1-2009-0077162-84
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2009.02.20 수리 (Accepted) 1-1-2009-0106836-18
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.06.28 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.07.15 수리 (Accepted) 9-1-2010-0044052-75
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.10.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0479133-48
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2010-0853591-62
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0060451-35
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.02.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0138655-04
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.02.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0138657-95
12 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2011.09.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0518455-28
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.11.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0897353-67
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.11.14 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2011-0897322-52
16 등록결정서
Decision to grant		 2012.01.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0047918-86
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
정공 주입 전극과 전자 주입 전극 사이에 정공 수송층, 정공 억제층, 전자 억제층, 전자 전달층 중 하나 이상을 구비하며, 양자점 다층박막을 발광층으로서 포함하되,상기 양자점 다층박막은 일정 전하로 표면 개질된 제1 양자점들이 밀집배열된 단일 층과 상기 제1 양자점들과 반대 전하로 표면 개질된 제2 양자점들이 밀집배열된 단일 층이 정전기적 인력에 의해 교대로 적층된 복수 층의 양자점 박막이고,상기 제1 양자점들과 상기 제2 양자점들에 대한 상기 표면 개질은 머르캅토 관능기를 구비한 산 또는 염기 단분자에 의해 이루어진 전기발광소자
2 2
제1 항에 있어서,상기 복수 층의 최상층에 해당하는 단일 층에 소정의 컬러로 전기발광하는 양자점들이 1종 이상 패터닝되어 상기 정공 주입 전극과 상기 전자 주입 전극 사이에 전압의 인가에 따라 상기 최상층으로부터 전기발광되는 전기발광소자
3 3
제1 항 또는 제2 항에 있어서,상기 복수 층을 이루는 각 단일 층이 수평적으로는 동일 전하를 띄는 양자점들에 의해 RMS 거칠기가 5 nm 이하이고 이상적인 밀집 배열 (close-packed) 대비 70% 이상의 밀도로 배열된 전기발광소자
4 4
제1 항 또는 제2 항에 있어서,상기 표면 개질은 머르캅토아세트산(mercaptoacetic acid, MAA), 3-머르캅토프로피온산(3-mercaptopropionic acid), 시스테아민(cysteamine), 아미노에탄티올(aminoethanethiol) 및 N,N-디메틸-2-머르캅토에틸 암모늄(N,N-dimethyl-2-mercaptoethyl ammonium)로 이루어진 군 중에서 선택되는 1종 이상의 화합물로 이루어지는 전기발광소자
5 5
제1 항 또는 제2 항에 있어서,상기 양자점 다층 박막의 이중층의 개수 n은 1 내지 100인 전기발광소자
6 6
정공 주입 전극과 전자 주입 전극 사이에 복수 층의 양자점 박막을 발광층으로 포함하는 전기발광소자의 제조방법에 있어서,(a) 소정의 전하를 갖는 물질로 이루어진 링커층을 상기 정공 주입 전극 위에 도입하는 단계;(b) 상기 소정의 전하를 갖는 물질과 반대 전하를 갖는 물질로 제1 양자점을 표면 개질하는 단계;(c) 상기 링커층의 물질과 동일 전하를 갖는 물질로 제2 양자점을 표면 개질하는 단계;(d) 상기 링커층 위에 표면 개질된 상기 제1 양자점의 층을 적층하는 단계; 및(e) 상기 제1 양자점의 층 위에 표면 개질된 상기 제2 양자점의 층을 적층하되, 표면 개질된 상기 제1 양자점의 층과 표면 개질된 상기 제2 양자점의 층을 교대로 각각 적어도 1층 이상 적층하여 복수 층의 양자점 박막을 형성하도록 하는 단계를 포함하되,상기 제1 양자점들과 상기 제2 양자점들에 대한 상기 표면 개질은 머르캅토 관능기를 구비한 산 또는 염기 단분자에 의해 이루어지며,미세 패터닝 공정을 이용하여 상기 복수 층의 최상층에 해당하는 단일 층에 소정의 컬러를 전기발광하는 양자점들을 1종 이상 패터닝하는 전기발광소자의 제조방법
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.