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원자층 증착법을 이용한 주석산화물 박막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015139069
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 주석 전구체를 사용하여 원자층 증착법(atomic layer deposition, ALD)으로 주석 산화물 박막을 형성하는 방법 및 이를 이용한 thin film transistors (TFT) 소자 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 주석 산화물 박막의 제조방법은 낮은 온도에서 공정이 가능하며, 삼차원 구조의 기질에서도 두께가 균일한 박막을 제조할 수 있고 제조된 주석 산화물은 높은 전계 효과 이동도(field effect mobility)를 가지고 있어 TFTs의 채널재료로 적용할 수 있다.
Int. CL H01L 21/205 (2006.01) C23C 16/06 (2006.01) C23C 16/44 (2006.01)
CPC H01L 21/28556(2013.01) H01L 21/28556(2013.01) H01L 21/28556(2013.01)
출원번호/일자 1020110043189 (2011.05.06)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0125102 (2012.11.14) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.05.06)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이선숙 대한민국 대전광역시 중구
2 이병국 대한민국 대전광역시 유성구
3 안기석 대한민국 대전광역시 유성구
4 정택모 대한민국 대전광역시 유성구
5 이영국 대한민국 대전광역시 유성구
6 김창균 대한민국 대전광역시 유성구
7 정석종 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.05.06 수리 (Accepted) 1-1-2011-0338945-75
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.01.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.02.15 수리 (Accepted) 9-1-2012-0009761-31
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.08.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0473893-58
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.10.15 수리 (Accepted) 1-1-2012-0834124-43
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.10.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0834095-17
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.02.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0107521-95
8 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2013.03.20 수리 (Accepted) 7-1-2013-0010575-46
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
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번호 청구항
1 1
a) 원자층 증착 반응기에 주석 원으로서 하기 화학식 1의 주석 아미노알콕사이드를 공급하여 기질 위에 주석 화학종을 흡착시키는 단계; 및 b) 상기 원자층 증착 반응기에 산소 원을 공급하여 주석 화학종이 흡착한 기질 위에 산소 화학종을 흡착시켜 산화 반응을 일으키는 단계;를 포함하는 원자층 증착법에 의한 주석 산화물 박막의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 화학식 1의 m은 1 또는 2인 것을 특징으로 하는 원자층 증착법에 의한 주석 산화물 박막의 제조 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 a)단계의 주석 원의 온도는 20℃ 내지 70℃에서 변화시켜 사용하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착법에 의한 주석 산화물 박막의 제조 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 b)단계의 기질의 온도는 80℃ 내지 400℃에서 변화시켜 사용하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착법에 의한 주석 산화물 박막의 제조 방법
5 5
제4항에 있어서,상기 기질의 온도는 100℃ 내지 180℃에서 유지하는 원자층 증착법에 의한 주석 산화물 박막의 제조 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 원자층 증착법에 의한 주석 산화물 박막은 결정방향이 110, 101, 200의 방향성을 갖는 것을 특징으로 하는 원자층 증착법에 의한 주석 산화물 박막의 제조 방법
7 7
a) 원자층 증착 반응기에 주석 원으로서 하기 화학식 1의 주석 아미노알콕사이드를 공급하여 기질 위에 주석 화학종을 흡착시키는 단계; 및 상기 b) 반응하지 않은 주석 원과 반응 부산물을 원자층 증착 반응기로부터 제거하는 정화 단계; 및c) 원자층 증착 반응기에 산소 원을 공급하여 주석 화학종이 흡착한 기질 위에 산소 화학종을 흡착시켜 산화 반응을 일으키는 단계; 및d) 반응 부산물을 원자층 증착 반응기로부터 제거하는 제 2 정화 단계;포함하는 원자층 증착법에 의한 주석 산화물 박막의 제조 방법
8 8
제7항에 있어서,상기 화학식 1의 m은 1 또는 2인 것을 특징으로 하는 원자층 증착법에 의한 주석 산화물 박막의 제조 방법
9 9
제7항에 있어서,상기 a)단계의 주석 원의 온도는 20℃ 내지 70℃에서 변화시켜 사용하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착법에 의한 주석 산화물 박막의 제조 방법
10 10
제7항에 있어서,상기 c)단계의 기질의 온도는 80℃ 내지 400℃에서 변화시켜 사용하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착법에 의한 주석 산화물 박막의 제조 방법
11 11
제7항에 있어서,상기 기질의 온도는 100℃ 내지 180℃에서 유지하는 원자층 증착법에 의한 주석 산화물 박막의 제조 방법
12 12
제7항에 있어서,상기 원자층 증착법에 의한 주석 산화물 박막은 결정방향이 110, 101, 200의 방향성을 갖는 것을 특징으로 하는 원자층 증착법에 의한 주석 산화물 박막의 제조 방법
13 13
제7항에 있어서,상기 a) 내지 d) 단계를 반복 수행하되, 100~180℃의 온도에서 0
14 14
제1항 내지 제13항 중에서 선택되는 어느 한 항의 주석 산화물 박막을 기질 상에 형성하는 단계; 및상기 주석 산화물 박막 상에 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 트랜지스터 소자의 제조방법
15 15
제14항에 있어서,상기 기질은 실리콘 산화물(SiO2), 유리 (glass), 알루미늄 산화물 (Al2O3) 및 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리이미드, 폴리에스테르, 폴리카보네이트, 폴리스티렌, 폴리염화비닐 및 폴리우레탄을 포함하는 유기고분자로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 트랜지스터 소자의 제조방법
16 16
제15항에 있어서,상기 기질은 표면에 백금(Pt), 알루미늄 (Al), 이리듐(Ir), 루테늄(Ru), 이산화루테늄(RuO2) 또는 인듐 틴 산화물(ITO)으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 전극층이 형성된 것을 특징으로 하는 트랜지스터 소자의 제조방법
17 17
제14항에 있어서,상기 전극은 백금(Pt), 알루미늄 (Al), 이리듐(Ir), 루테늄(Ru), 이산화루테늄(RuO2) 또는 인듐 틴 산화물(ITO)으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 트랜지스터 소자의 제조방법
18 18
제14항 내지 17항 중에서 선택된 어느 한 항에 의해 제조된 트랜지스터 소자는 2 내지 8 ㎠/Vs의 전계 효과 이동도(field effect mobility)를 갖는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국화학연구원 미래기반기술개발사업 CVD/ALD 공정에 적합한 목적지향형 분자 전구체 설계 및 합성